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公开(公告)号:CN109243981B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201710845069.8
申请日:2017-09-19
申请人: 力成科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/683 , H01L23/498
摘要: 本发明提供一种封装结构及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤:提供载体,在载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构;通过多条导线使半导体晶粒与牺牲结构上的接合垫电性连接;于载体上形成封装体以密封半导体晶粒、牺牲结构以及导线;剥离载体,并通过薄化工程来移除牺牲结构的至少一部分;于半导体晶粒与封装体上形成重布线层,所述重布线层通过导线电性连接至半导体晶粒。
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公开(公告)号:CN111816644B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN201910664026.9
申请日:2019-07-23
申请人: 力成科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种天线整合式封装结构及其制造方法,天线整合式封装结构包括芯片、线路层、密封体、耦合端、绝缘层、导电连接件、介电基板以及天线。线路层电性连接于芯片。密封体位于线路层上且包覆芯片。天线位于密封体上。绝缘层覆盖天线。绝缘层未暴露于外部。导电连接件贯穿密封体。天线通过导电连接件电性连接至线路层。介电基板位于密封体上且覆盖天线。耦合端配置于介电基板上。
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公开(公告)号:CN108321128A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201810051690.1
申请日:2018-01-16
申请人: 力成科技股份有限公司
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/25171 , H01L2224/2518 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73215 , H01L2224/73217 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/00
摘要: 一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括第一重布线路层、第二重布线路层、晶粒、多个导电柱以及晶粒堆叠结构。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第二重布线路层位于第一表面上。晶粒位于第一重布线路层与第二重布线路层之间,并且具有主动面以及相对于主动面的后表面。主动面黏着于第一表面,且晶粒电连接至第一重布线路层。导电柱位于并电连接至第一重布线路层与第二重布线路层之间。晶粒堆叠结构接合在第二重布线路层上。
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公开(公告)号:CN111816644A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201910664026.9
申请日:2019-07-23
申请人: 力成科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种天线整合式封装结构及其制造方法,天线整合式封装结构包括芯片、线路层、密封体、耦合端、绝缘层、导电连接件、介电基板以及天线。线路层电性连接于芯片。密封体位于线路层上且包覆芯片。天线位于密封体上。绝缘层覆盖天线。绝缘层未暴露于外部。导电连接件贯穿密封体。天线通过导电连接件电性连接至线路层。介电基板位于密封体上且覆盖天线。耦合端配置于介电基板上。
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公开(公告)号:CN109243981A
公开(公告)日:2019-01-18
申请号:CN201710845069.8
申请日:2017-09-19
申请人: 力成科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/683 , H01L23/498
摘要: 本发明提供一种封装结构及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤:提供载体,在载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构;通过多条导线使半导体晶粒与牺牲结构上的接合垫电性连接;于载体上形成封装体以密封半导体晶粒、牺牲结构以及导线;剥离载体,并通过薄化工程来移除牺牲结构的至少一部分;于半导体晶粒与封装体上形成重布线层,所述重布线层通过导线电性连接至半导体晶粒。
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公开(公告)号:CN109037089B
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN201710680991.6
申请日:2017-08-10
申请人: 力成科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/66
摘要: 本发明公开一种重布线层的测试方法,导电层成形于第一载体的第一表面上,重布线层成形于导电层上,然后于重布线层上执行断路测试,由于导电层与重布线层构成一封闭的回路,故若重布线层成形正确,则断路测试时将会有负载呈现,于断路测试执行完毕后,将第一载体与导电层移除,并于重布线层上执行一短路测试,由于重布线层本身为一开启的回路,故若重布线层成形正确,则短路测试时将不会有负载呈现,因此可在芯片结合于重布线层之前确定重布线层是否具有缺陷,则将不会因为重布线层的缺陷而浪费良好的芯片。
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公开(公告)号:CN109037089A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201710680991.6
申请日:2017-08-10
申请人: 力成科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/66
摘要: 本发明公开一种重布线层的测试方法,导电层成形于第一载体的第一表面上,重布线层成形于导电层上,然后于重布线层上执行断路测试,由于导电层与重布线层构成一封闭的回路,故若重布线层成形正确,则断路测试时将会有负载呈现,于断路测试执行完毕后,将第一载体与导电层移除,并于重布线层上执行一短路测试,由于重布线层本身为一开启的回路,故若重布线层成形正确,则短路测试时将不会有负载呈现,因此可在芯片结合于重布线层之前确定重布线层是否具有缺陷,则将不会因为重布线层的缺陷而浪费良好的芯片。
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公开(公告)号:CN109037088A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201710680424.0
申请日:2017-08-10
申请人: 力成科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: H01L25/0652 , G03F7/0041 , H01L21/0273 , H01L21/4857 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/485 , H01L23/49822
摘要: 本发明公开一种重布线层的测试方法,一导电层成形于载体的第一表面,重布线层成形于位在第一表面的该导电层以及载体的第二表面,接着于重布线层上执行断路测试及短路测试,由于导电层与位于导电层上的重布线层构成一封闭的回路,若重布线层成形良好则会有负载呈现,此外,由于重布线层与载体的第二区域构成一开启的回路,若重布线层成形良好则不会有负载呈现,因此,可在芯片结合于重布线层之前确定重布线层是否具有缺陷,则将不会因为重布线层的缺陷而浪费良好的芯片。
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