公开(公告)号：CN107017171A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610959626.4

申请日：2016-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶松峯 ,  余振华 ,  陈明发

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/10339 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83486

摘要： 用于形成半导体封装件的方法的实施例包括：附接第一管芯至第一载体；在第一管芯周围沉积第一隔离材料；以及在沉积第一隔离材料后，接合第二管芯至第一管芯。接合第二管芯至第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合。该方法还包括去除第一载体并且在第一管芯的与第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)。扇出式RDL电连接至第一管芯和第二管芯。本发明的实施例还提供了半导体封装件。

公开(公告)号：CN105895599A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610089028.6

申请日：2016-02-17

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： M·J·李

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16

摘要： 本发明涉及一种集成电路封装件，其可以包括附接到第二集成电路管芯的前表面的第一集成电路管芯。由成型复合物制成的中间层被形成为以“扇出”布置围绕第二集成电路管芯，同时留下第二集成电路管芯的表面暴露出来。因此，然后在中间层中形成一组通孔，并且该组通孔被填充有导电材料。这种配置形成双侧堆叠结构。该堆叠结构还可以适用于层叠封装的封装件和扇出晶片级芯片尺寸的封装件，其中该堆叠结构在两个异构或同构集成电路封装件之间形成。

公开(公告)号：CN105097792A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239639.X

申请日：2015-05-12

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  杨惟中

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L27/146 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一基底，第一基底内包括一感测装置；一第二基底，贴附于第一基底上，第二基底内包括一集成电路装置；一第一导电结构，通过设置于第一基底上的重布线层电性连接感测装置及集成电路装置；一绝缘层，覆盖第一基底、第二基底及重布线层，其中绝缘层内具有孔洞；以及一第二导电结构，设置于孔洞的底部下方。本发明能够缩小后续接合的电路板的尺寸，进而缩小具有感测功能的电子产品的尺寸。

公开(公告)号：CN103839932A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310587344.2

申请日：2013-11-20

申请人： 英特尔公司

发明人： D·V·库尔卡尼 ,  R·K·莫腾森 ,  J·S·古扎克

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明内容的实施方式涉及封装装配件以及用于形成封装装配件的方法和合并封装装配件的系统。封装装配件可以包括衬底，该衬底包括诸如BBUL等的多个构建层。在各种实施方式中，电气布线构件可以被放置在衬底的外表面上。在各种实施方式中，主逻辑管芯和第二管芯或电容器可以被嵌入在所述多个构建层中。在各种实施方式中，电气路径可以被定义在所述多个构建层中，以便在第二管芯或电容器和电气布线构件之间传送电能或接地信号，这旁路了主逻辑管芯。

公开(公告)号：CN103165505A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。

公开(公告)号：CN103077933A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210417425.3

申请日：2012-10-26

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： A·S·科尔卡 ,  K·坦比杜赖 ,  V·汉德卡尔 ,  H·D·阮

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 公开了一种三维的芯片到晶圆级集成，集成电路器件包括半导体基底和附接到该半导体基底的晶粒。导电柱被连接到半导体基底或晶粒中的至少一个。二次塑模被模制到半导体基底上位于晶粒上方，并且导电柱延伸通过二次塑模。

公开(公告)号：CN101529587B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780039517.X

申请日：2007-10-03

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/19 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 形成包括具有第一主表面和第二主表面半导体器件(14)的封装的装置(10)包括：在半导体器件(14)的第二主表面上和半导体器件(14)的侧面周围形成包封层(18)，并且保留第一半导体器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一绝缘层(46)。在第一绝缘层(46)中形成多个通路(48-56)。形成通过多个第一通路(48-56)到半导体器件(14)的多个触点(58-66)，其中所述多个触点(58-66)中的每一个具有在第一绝缘层(46)之上的表面。在第一绝缘层(46)上形成支撑层(72)，保留在所述多个第一触点(58-66)上的开口(70)，其中开口(70)具有围绕所述多个触点(58-66)的侧壁。

公开(公告)号：CN103887274B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310713521.7

申请日：2013-12-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金吉洙 ,  姜善远

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括开口位于其中央区域中的封装基板和设置为与开口相邻的电路图案。第一半导体芯片位于封装基板上并且包括第一结合焊盘。一对第二半导体芯片横跨开口彼此分隔开并且安装在封装基板和第一半导体芯片之间。第二半导体芯片均包括第二结合焊盘。连接元件进一步被设置为将第二结合焊盘电连接到相应的第一结合焊盘。

公开(公告)号：CN104103596B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410138101.5

申请日：2014-04-08

申请人： 英特尔公司

发明人： C·胡 ,  Q·马 ,  C-P·秋

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开的实施例目的在于包括玻璃焊接掩模层和/或桥的集成电路封装组件的技术和配置。在一个实施例中，装置包括具有电布线特征的一个或多个内建层和由玻璃材料构成的焊接掩模层，该焊接掩模层与一个或多个内建层耦合，并具有设置在焊接掩模层中的开口以允许通过一个或多个开口将封装级互连结构与电布线特征耦合。可描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN106876292A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710088191.5

申请日：2013-11-20

申请人： 英特尔公司

发明人： D·V·库尔卡尼 ,  R·K·莫腾森 ,  J·S·古扎克

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开内容的实施方式涉及封装装配件以及用于形成封装装配件的方法和合并封装装配件的系统。封装装配件可以包括衬底，该衬底包括诸如BBUL等的多个构建层。在各种实施方式中，电气布线构件可以被放置在衬底的外表面上。在各种实施方式中，主逻辑管芯和第二管芯或电容器可以被嵌入在所述多个构建层中。在各种实施方式中，电气路径可以被定义在所述多个构建层中，以便在第二管芯或电容器和电气布线构件之间传送电能或接地信号，这旁路了主逻辑管芯。