公开(公告)号：CN105304487B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201510278164.5

申请日：2015-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  彭治棠 ,  林宏达 ,  王建勋 ,  黄鸿仪

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明提供了一种垂直全环栅器件系统及其制造方法。提供了用于形成纳米线器件的底部源极/漏极接触区的结构和方法。纳米线形成在衬底上。纳米线相对于衬底基本上垂直延伸，并且纳米线设置在顶部源极/漏极区和底部源极/漏极区之间。第一介电材料形成在底部源极/漏极上。第二介电材料形成在第一介电材料上。执行第一蚀刻工艺，以去除部分第一介电材料和部分第二介电材料，从而暴露部分底部源极/漏极区。执行第二蚀刻工艺，以去除第一介电材料的位于第二介电材料下面的一部分，以进一步地暴露底部源极/漏极区。第一含金属材料形成在暴露的底部源极/漏极区上。执行退火，以形成底部接触区。

公开(公告)号：CN102194814B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010254651.5

申请日：2010-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  张智胜 ,  孟宪辉

IPC: H01L27/02 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明一实施例提供一种集成电路及其形成方法，该集成电路包括：一核心区，具有至少一边缘区；多个晶体管，设置于该边缘区之中；以及多个虚置结构，邻接该至少一边缘区而设置，其中所述多个晶体管的每一沟道在一沟道宽度方向上面向所述多个虚置结构的至少其中之一。本发明的施加至晶体管的每一沟道的应变应力可依需求而控制。

公开(公告)号：CN104576395A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410385556.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  黄懋霖 ,  林群雄 ,  让-皮埃尔·科林格

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0676 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻停止层。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线沟道下面的牺牲材料而形成。该蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN102468182B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110358405.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  张智胜 ,  林以唐 ,  谢铭峰

IPC: H01L21/336 ,  G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G03F1/00 ,  G06F17/5068 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了一种用于通过具有平面型晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。将多个延长芯棒限定在多个有源区域中。在相邻有源区域部分平行并在规定的最小间距内的情况下，将连接元件添加至位于相邻有源区域之间的空间的一部分，从而从一个有源区域至另一有源区域连接芯棒端部。

公开(公告)号：CN102479809A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110350727.9

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  张智胜 ,  林以唐 ,  谢铭峰

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 一种半导体FinFET器件，包括：在第一方向上形成的多个栅极线，以及两种类型的鳍结构。第一类型的鳍结构在第二方向上形成，并且第二类型的鳍结构垂直于第一类型的鳍结构。接触孔连接到一个或者多个第二类型的鳍结构。本发明还公开了一种用于在集成电路中形成鳍的器件和方法。

公开(公告)号：CN105280547B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN105047703B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510099898.7

申请日：2015-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡腾群 ,  林正堂 ,  王立廷 ,  彭治棠 ,  陈德芳 ,  林宏达 ,  王建勋

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7391 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了一种隧道场效应晶体管，包括漏极层、源极层、沟道层、金属栅极层和高k介电层。漏极层和源极层具有相反的导电类型。沟道层设置在漏极层和源极层之间。漏极层、沟道层和源极层中的至少一个具有基本恒定的掺杂浓度。金属栅极层设置在沟道层周围。高k介电层设置在金属栅极层和沟道层之间。本发明还提供了一种用于制造隧道场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN104576395B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410385556.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  黄懋霖 ,  林群雄 ,  让-皮埃尔·科林格

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0676 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻停止层。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线沟道下面的牺牲材料而形成。该蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN104916677A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410315836.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡洛斯·H.·迪亚兹 ,  林群雄 ,  张惠政 ,  章勋明 ,  王建勋 ,  黄懋霖

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了具有核-壳结构的半导体器件。一种器件结构包括形成在支撑件上的核结构、以及形成核结构上并且围绕核结构的至少一部分的壳材料。壳材料和核结构配置为在壳材料中形成量子阱沟道。

公开(公告)号：CN102479754A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110350752.7

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建勋 ,  张智胜 ,  林以唐

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845

Abstract: 一种方法包括在半导体衬底的表面上生长多个平行的芯轴，每个芯轴具有至少两个横向上相对的侧壁和预定的宽度。方法还包括在芯轴的侧壁上形成第一类型的间隔件，其中两个相邻芯轴之间的第一类型间隔件通过间隙分离。调节预定的芯轴宽度至合并相邻第一类型间隔件之间的间隙以形成第二类型间隔件。除去芯轴以由第一类型间隔件形成第一类型鳍片，而且由两个相邻芯轴之间的间隔件形成第二类型鳍片。第二类型鳍片比第一类型鳍片更宽。