半导体器件及方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104979334B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201410256010.1

    申请日:2014-06-10

    摘要: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据实施例,第一半导体管芯和第二半导体管芯接合至第一衬底。在第一半导体管芯和第二半导体管芯的上方并且在它们之间形成保护盖。将密封剂布置在保护盖的上方,并且去除密封剂的部分以露出保护盖,或者可选地露出第一半导体器件和第二半导体器件。然后,第一衬底可接合至第二衬底。