集成电路结构
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102064136B

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201010530411.3

    申请日:2010-10-28

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/498

    摘要: 本发明提供一种集成电路结构,其包括一第一工作件及一第二工作件。此第一工作件包含一铜凸块位于此第一工作件的主要表面上且具有一第一尺寸;及一含镍阻挡层,位于此铜凸块上并与其邻接。第二工作件与第一工作件接合,且此第二工作件包含一连接垫及一阻焊层位于此第二工作件的主要表面上,且此阻焊层具有一第二尺寸的阻焊开口以暴露一部分的此连接垫。第一尺寸对第二尺寸之比例大于约1。此外,一焊接区电性连接此铜凸块及此连接垫,且此连接垫及此铜凸块之间的垂直距离大于约30μm。本发明能使应力降低至某种程度,例如至产生破裂的临界点以下。

    集成电路结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102064136A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010530411.3

    申请日:2010-10-28

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/498

    摘要: 本发明提供一种集成电路结构,其包括一第一工作件及一第二工作件。此第一工作件包含一铜凸块位于此第一工作件的主要表面上且具有一第一尺寸;及一含镍阻挡层,位于此铜凸块上并与其邻接。第二工作件与第一工作件接合,且此第二工作件包含一连接垫及一阻焊层位于此第二工作件的主要表面上,且此阻焊层具有一第二尺寸的阻焊开口以暴露一部分的此连接垫。第一尺寸对第二尺寸之比例大于约1。此外,一焊接区电性连接此铜凸块及此连接垫,且此连接垫及此铜凸块之间的垂直距离大于约30μm。本发明能使应力降低至某种程度,例如至产生破裂的临界点以下。

    集成芯片及其形成方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111092090B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN201910438119.X

    申请日:2019-05-24

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本申请的各种实施例涉及具有高强度和接合能力的焊盘。在一些实施例中,集成芯片包括衬底、互连结构、焊盘和导电结构。互连结构邻接衬底并且包括导线和通孔。导线和通孔堆叠在焊盘和衬底之间。导电结构(例如,引线接合)延伸穿过衬底至焊盘。通过在焊盘和衬底之间布置导线和通孔,焊盘可以嵌入互连结构的钝化层中,并且钝化层可以吸收焊盘上的应力。此外,焊盘可以在顶部导线层级处接触导线和通孔。顶部导线层级的厚度可以超过其他导线层级的厚度,由此顶部导线层级可以更耐受应力。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

    集成芯片及其形成方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111092090A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201910438119.X

    申请日:2019-05-24

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本申请的各种实施例涉及具有高强度和接合能力的焊盘。在一些实施例中,集成芯片包括衬底、互连结构、焊盘和导电结构。互连结构邻接衬底并且包括导线和通孔。导线和通孔堆叠在焊盘和衬底之间。导电结构(例如,引线接合)延伸穿过衬底至焊盘。通过在焊盘和衬底之间布置导线和通孔,焊盘可以嵌入互连结构的钝化层中,并且钝化层可以吸收焊盘上的应力。此外,焊盘可以在顶部导线层级处接触导线和通孔。顶部导线层级的厚度可以超过其他导线层级的厚度,由此顶部导线层级可以更耐受应力。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。