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公开(公告)号:CN117559572A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311540142.2
申请日:2023-11-20
申请人: 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 湖南大学
摘要: 本发明公开一种基于变流器温升变化的风电机组调控方法、系统、设备及介质,涉及风电场控制技术领域,该方法包括:建立变流器温度与风电机组输出功率的关联模型;基于所述关联模型,根据变流器温度与环境温度的偏差、风电机组端电压与参考电压之间的偏差、以及风电机组输出功率与参考功率之间的偏差建立目标函数;以满足风电机组运行约束的条件下,以最小化所述目标函数为优化目标对所述目标函数进行求解,得到风电机组的有功功率参考值和无功功率参考值;采用所述有功功率参考值和所述无功功率参考值对所述风电机组进行调控。本发明提高了风电机组的健康性能。
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公开(公告)号:CN118627825A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410778810.3
申请日:2024-06-17
申请人: 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 湖南大学
IPC分类号: G06Q10/0631 , G06Q10/20 , G06Q50/06 , G06F18/241 , H02J3/00 , G06N7/02
摘要: 本发明公开了一种风电机群三级服役质量指数模糊综合评判方法及系统,评判方法包括步骤:S1、预先建立“关键部件‑机组‑机群”三级服役质量指数体系;S2、获取风电场原始数据并进行预处理,得到预处理后的风电场数据,再基于风电场数据计算三级服役质量指数体系下各项指标的劣化度;S3、根据各项指标的劣化度采用熵权法确定每项指标的权重;S4、基于各项指标的劣化度和权重,得到风电场整体劣化度,再根据风电场整体劣化度,基于隶属度函数确定风电场的整体健康等级。本发明能系统评估出风电场的健康等级,评估结果可为风电场合理安排机组的调度运行与检修维护计划提供参考。
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公开(公告)号:CN116930594B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311178015.2
申请日:2023-09-13
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统,属于半导体器件检测领域,该方法包括:搭建NV色心检测平台;对半导体器件检测样品施加电流,使其导通;利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度;利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度,以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法,能够探测半导体器件的磁场信号,从而反演获得半导体器件内部微区电流信息,实现半导体器件原位微区电流分布检测,获得半导体器件中载流子实际的输运过程,指导半导体器件设计。
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公开(公告)号:CN116875932B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202311148466.1
申请日:2023-09-07
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明涉及表面涂层技术领域,公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重,所述粉料包括:硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂,可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能,同时在衬底表面的附着力好,抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求,能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。
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公开(公告)号:CN116914839A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310922736.3
申请日:2023-07-26
申请人: 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC分类号: H02J3/38
摘要: 本发明公开一种基于DFIG‑RSC的高电压穿越控制方法及系统,涉及风力发电技术领域,包括:基于高电压穿越暂态分析,构建双馈风力发电机模型;基于双馈风力发电机模型,分别构建DFIG转子变流器模型和DFIG网侧变流器模型;基于预设DFIG网侧变流器的GSC控制策略,对DFIG网侧变流器模型中的无功电流分量进行PI控制,以得到优化后无功电流分量;基于预设定子磁链微分策略、预设DFIG转子变流器控制策略及优化后无功电流分量,对DFIG转子变流器模型中的转子电流q轴分量进行动态调整,以得到优化后转子电流q轴分量,以对双馈风力发电机模型进行调控。本发明能够有效提高DFIG的全过程高电压穿越能力。
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公开(公告)号:CN115940250A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211354692.0
申请日:2022-11-01
申请人: 国网山西省电力公司电力科学研究院
摘要: 本发明公开了一种双馈风机控制系统、方法、装置、存储介质及计算机设备,涉及风力发电技术领域。其中,所述系统用于控制包括双馈发电机与背靠背换流器的双馈风机,所述系统包括:撑压电阻电路,其输入端与双馈发电机的定子端连接,撑压电阻电路的输出端连接到与双馈发电机对应的并网点;直流撑压电路,其第一端与直流侧电容的第一端连接,直流撑压电路的第二端与直流侧电容的第二端连接;系统控制器,与撑压电阻电路的控制端和直流撑压电路的控制端电连接,用于控制撑压电阻电路为双馈发电机提供定子端支撑电压,以及控制直流撑压电路为背靠背换流器提供直流侧支撑电压。上述系统能有效减少风电系统实现低电压故障穿越功能所需的成本。
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公开(公告)号:CN118011175B
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202410420863.8
申请日:2024-04-09
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统,涉及半导体器件检测领域。分析方法包括:搭建缺陷检测平台,并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容;其中,缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件,晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构,每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚,缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚;搭建电磁干扰平台,并对缺陷检测样品进行电磁干扰;检测损伤瞬态电容;基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度,基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度;确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法,能够探测晶体管器件的微观缺陷,准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号:CN117647668A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311390319.5
申请日:2023-10-25
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统,涉及晶圆测试领域,探针卡包括:信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块;信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号;探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆,并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号;激励装置用于输出交变电压;压电晶片用于基于激励装置输出交变电压,发生周期性形变,从而产生机械振动,以带动探针模块在焊垫上表面来回振动,使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡,能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时,保证探针和焊垫形成良好欧姆接触,以减少探针积屑或烧针,提高晶圆测试精确度和探针寿命。
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公开(公告)号:CN116825824A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202311096893.X
申请日:2023-08-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本发明涉及半导体领域,提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括:硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构,还包括:第二导电类型埋层;第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅,第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅;第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接,以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结;第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接,以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结,提高器件的击穿电压,提升载流子迁移率,降低导通电阻。
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公开(公告)号:CN116825824B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311096893.X
申请日:2023-08-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本发明涉及半导体领域,提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括:硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构,还包括:第二导电类型埋层;第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅,第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅;第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接,以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结;第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接,以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结,提高器件的击穿电压,提升载流子迁移率,降低导通电阻。
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