公开(公告)号：CN103250246A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180041602.6

申请日：2011-06-29

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： 赖玉清 ,  F·Y·何 ,  W·K·纳姆 ,  涂莉莉 ,  S·冯 ,  关凯澄

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

摘要： 本发明揭露一种具有线上膜及铜线的薄型多晶片堆迭封装件的系统及方法。该封装件包括衬底以及设于该衬底上方的第一芯片。铜线电性连接该第一芯片至该衬底。膜设于该第一芯片及该铜线的部分上方。另外，该膜将第二芯片粘结至该第一芯片。该膜还将该铜线与该第二芯片电性绝缘。

公开(公告)号：CN103329263A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180049007.7

申请日：2011-08-10

申请人： 斯班逊有限公司

发明人： 赖玉清 ,  F·Y·何 ,  W·K·南 ,  K·E·龙 ,  S·冯 ,  关凯澄

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49427 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8503 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中，形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片，其中，该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块，其中，该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块，其中，该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。