-
公开(公告)号：CN106033744A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102667.7
申请日：2015-03-09
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体基底，半导体基底包括高压器件区和低压器件区；形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；第一栅氧化层的厚度大于第二栅氧化层的厚度；在第一栅氧化层和第二栅氧化层的表面分别形成第一多晶硅栅和第二多晶硅栅；以第一多晶硅栅和第二多晶硅栅为掩膜刻蚀第一栅氧化层和第二栅氧化层，直至将第一栅氧化层的厚度刻蚀至目标厚度；形成侧墙结构并进行源漏极离子注入形成源漏极引出区。上述半导体器件的制备方法，刻蚀过程无需再增加单独的光刻工艺步骤来对高压器件区的第一栅氧化层进行减薄，简化了工艺步骤的同时也节省了一层光罩，降低了工艺成本。
-
公开(公告)号：CN105990115A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054233.4
申请日：2015-02-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/0217 , H01L21/26513 , H01L21/28105 , H01L21/28123 , H01L29/4983
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成包括自下而上层叠的栅极氧化层和栅极材料层的栅极结构；执行第一离子注入，以在栅极材料层中形成第一掺杂离子；执行第二离子注入，以在栅极材料层的位于浅沟槽隔离结构的顶端拐角之上的部分形成与第一掺杂离子的导电类型相反的第二掺杂离子。根据本发明，通过改变器件的栅极材料层中的掺杂杂质分布，可以完全消除器件的双驼峰效应。
-
公开(公告)号：CN105448724A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410419891.4
申请日：2014-08-22
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和侧壁结构，在栅极结构的顶部以及半导体衬底中的源/漏区的顶部形成有硅化物；依次沉积层间隔离层和层间绝缘层，以覆盖半导体衬底、硅化物和侧壁结构；形成电性连接栅极结构区或源/漏区的接触塞，制作第一层金属布线；沉积用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层，覆盖第一层金属布线；沉积金属间绝缘层，覆盖所述阻挡层。根据本发明，通过在第一层金属布线和金属间绝缘层之间增加用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层并改进沉积所述阻挡层的工艺条件，可以有效降低所述电浆损伤，改善栅极氧化层的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105990421A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510048182.4
申请日：2015-01-29
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/823418 , H01L21/823443 , H01L21/823462 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/42364 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66492 , H01L29/66515 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L29/7831
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供包括低压器件区域和高压器件区域的半导体基底；在高压器件区域的非栅极区域和低压器件区域形成第一栅氧化层并在高压器件区域的栅极区域形成第二栅氧化层；第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度；在低压器件区域的第一栅氧化层的表面形成第一多晶硅栅以及第一侧墙结构并在第二栅氧化层的表面形成第二多晶硅栅以及第二侧墙结构；第二栅氧化层的宽度大于第二多晶硅栅的宽度；进行源漏极离子注入形成源漏极引出区；淀积金属硅化物阻挡层后进行光刻腐蚀并形成金属硅化物。上述半导体器件的制备方法简化了工艺步骤的同时也降低了工艺成本。还涉及一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN105448734A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410444255.7
申请日：2014-09-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4916 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L27/04 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/66477 , H01L29/66568
摘要： 本发明提供一种改善器件双峰效应的方法，将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，使所述有源区的边缘远离所述器件的导电沟道。本发明还提供一种半导体器件，所述半导体器件包括有源区和部分覆盖于所述有源区上的栅极区，位于所述栅极区下方的有源区的宽度大于其余有源区的宽度。根据本发明，在不需要增加新的工艺步骤进而不会增加制造成本的情况下，能够完全消除器件的双峰效应，不受到有源区的边缘形貌的限制，器件的可靠性也会有相应的提升。
-
公开(公告)号：CN105448657A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410444362.X
申请日：2014-09-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种改善高压器件阈值电压均匀性的方法，包括：对晶圆实施硫酸浸泡，以去除所述晶圆表面的有机物；对所述晶圆实施氢氟酸浸泡，以去除所述晶圆表面的自然氧化层；对所述晶圆实施SC1清洗液浸泡，以去除所述晶圆表面的杂质颗粒；对所述晶圆实施超声波清洗；对所述晶圆实施SC2清洗液浸泡，以去除所述晶圆表面的金属沾污；对所述晶圆实施第二次氢氟酸浸泡，以抑制所述晶圆表面的化学氧化层的生长。可以有效改善高压器件阈值电压的片内均匀性，同时，实施上述清洗之后到实施形成栅极氧化层的工艺之前的这段时间可以变得更长，对大批量流片的排片有很大帮助。
-
公开(公告)号：CN102569159A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010598548.2
申请日：2010-12-21
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
发明人： 李伟
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/336 , H01L21/8234
摘要： 本实施例公开了一种高压半导体器件制造方法，包括：提供基底；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。本发明实施例通过去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑，减小了STI浅沟槽角上的应力，从而使后续形成的衬垫氧化层在STI浅沟槽角上的分布变的更加均匀，进而改善了STI浅槽隔离区角上的栅介质层偏薄的现象，使器件性能得到明显的提高。
-
公开(公告)号：CN106816433A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510870997.0
申请日：2015-12-01
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种多晶硅高阻的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在多晶硅高阻区内半导体衬底上形成图案化的多晶硅电阻层；对所述NMOS区内形成源/漏区的区域和多晶硅电阻层同时进行N型离子注入，对PMOS区内预定形成源/漏区的区域和多晶硅电阻层同时进行P型离子注入，其中N型离子注入的注入剂量与P型离子注入的注入剂量不同，多晶硅电阻层的高阻区通过P型离子和所述N型离子的中和掺杂而形成。本发明通过在源漏区高掺杂注入时，将N型和P型杂质注入同一多晶硅电阻层，使两种杂质相互中和，实现较低的净掺杂浓度达到高阻的目的，节省了成本，简化了工艺。
-
公开(公告)号：CN102569159B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010598548.2
申请日：2010-12-21
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
发明人： 李伟
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/336 , H01L21/8234
摘要： 本实施例公开了一种高压半导体器件制造方法，包括：提供基底；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。本发明实施例通过去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑，减小了STI浅沟槽角上的应力，从而使后续形成的衬垫氧化层在STI浅沟槽角上的分布变的更加均匀，进而改善了STI浅槽隔离区角上的栅介质层偏薄的现象，使器件性能得到明显的提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.045 秒)
