公开(公告)号：CN105990115A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510054233.4

申请日：2015-02-02

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 李伟 ,  郝龙 ,  金炎

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/4983

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成包括自下而上层叠的栅极氧化层和栅极材料层的栅极结构；执行第一离子注入，以在栅极材料层中形成第一掺杂离子；执行第二离子注入，以在栅极材料层的位于浅沟槽隔离结构的顶端拐角之上的部分形成与第一掺杂离子的导电类型相反的第二掺杂离子。根据本发明，通过改变器件的栅极材料层中的掺杂杂质分布，可以完全消除器件的双驼峰效应。

公开(公告)号：CN105448724A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410419891.4

申请日：2014-08-22

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 李伟 ,  郝龙 ,  刘杰 ,  金炎 ,  马强 ,  任占强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和侧壁结构，在栅极结构的顶部以及半导体衬底中的源/漏区的顶部形成有硅化物；依次沉积层间隔离层和层间绝缘层，以覆盖半导体衬底、硅化物和侧壁结构；形成电性连接栅极结构区或源/漏区的接触塞，制作第一层金属布线；沉积用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层，覆盖第一层金属布线；沉积金属间绝缘层，覆盖所述阻挡层。根据本发明，通过在第一层金属布线和金属间绝缘层之间增加用于阻挡后段工艺产生的电浆损伤的阻挡层并改进沉积所述阻挡层的工艺条件，可以有效降低所述电浆损伤，改善栅极氧化层的可靠性。

公开(公告)号：CN102623496A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110037139.X

申请日：2011-01-27

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 金炎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 本发明提供一种矩阵型MOS场效应晶体管，属于MOS场效应晶体管技术领域。该MOS场效应晶体管包括形成于衬底之上的多个源端、多个漏端、多个体端和多条指条状的栅端，其中，多条所述栅介质层按纵向和横向交错构图分布，多个所述源端、漏端和体端交替分布于多个被所述栅端分隔形成的矩阵型的衬底区域中。该MOS场效应晶体管具有单元面积最大负载电流较大、CMP制备良率高、器件可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN106033727A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104516.5

申请日：2015-03-10

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 金炎

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

摘要： 一种场效应晶体管的制作方法，栅氧化层分为靠近源端一侧稍薄的第二栅氧化层和靠近漏端一侧稍厚的第一栅氧化层，漏端栅氧较厚的厚度可以降低漏栅之间的电场，提高器件漏端的耐压能力。因此利用此结构，可以省略掉漏栅之间的硅化物阻挡层结构(SAB)以减小器件尺寸。而且可以减少生产流程，降低生产成本。在多晶硅刻蚀之前就进行源端阱区的杂质注入，可以有效避免传统制造工艺中源端阱区的分布相差较大的问题。另外，利用自对准工艺进行源端阱区的大角度的杂质注入，栅端多晶硅结构靠近源端的一侧形成和源端阱区的杂质注入使用同一次光刻(同一光刻胶)，器件沟道长度由注入能量及角度决定，实现更长沟道的调节。

公开(公告)号：CN105990421A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510048182.4

申请日：2015-01-29

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 李伟 ,  郝龙 ,  金炎 ,  王德进

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供包括低压器件区域和高压器件区域的半导体基底；在高压器件区域的非栅极区域和低压器件区域形成第一栅氧化层并在高压器件区域的栅极区域形成第二栅氧化层；第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度；在低压器件区域的第一栅氧化层的表面形成第一多晶硅栅以及第一侧墙结构并在第二栅氧化层的表面形成第二多晶硅栅以及第二侧墙结构；第二栅氧化层的宽度大于第二多晶硅栅的宽度；进行源漏极离子注入形成源漏极引出区；淀积金属硅化物阻挡层后进行光刻腐蚀并形成金属硅化物。上述半导体器件的制备方法简化了工艺步骤的同时也降低了工艺成本。还涉及一种半导体器件。

公开(公告)号：CN105448734A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410444255.7

申请日：2014-09-02

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 郝龙 ,  金炎 ,  李伟

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4916 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/04 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568

摘要： 本发明提供一种改善器件双峰效应的方法，将所述器件有源区的位于所述器件栅极多晶硅下方的区域沿着所述栅极多晶硅的长度方向拉宽，使所述有源区的边缘远离所述器件的导电沟道。本发明还提供一种半导体器件，所述半导体器件包括有源区和部分覆盖于所述有源区上的栅极区，位于所述栅极区下方的有源区的宽度大于其余有源区的宽度。根据本发明，在不需要增加新的工艺步骤进而不会增加制造成本的情况下，能够完全消除器件的双峰效应，不受到有源区的边缘形貌的限制，器件的可靠性也会有相应的提升。

公开(公告)号：CN102623496B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110037139.X

申请日：2011-01-27

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 金炎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 本发明提供一种矩阵型MOS场效应晶体管，属于MOS场效应晶体管技术领域。该MOS场效应晶体管包括形成于衬底之上的多个源端、多个漏端、多个体端和多条指条状的栅端，其中，多条所述栅介质层按纵向和横向交错构图分布，多个所述源端、漏端和体端交替分布于多个被所述栅端分隔形成的矩阵型的衬底区域中。该MOS场效应晶体管具有单元面积最大负载电流较大、CMP制备良率高、器件可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN106033744A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510102667.7

申请日：2015-03-09

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 李伟 ,  郝龙 ,  金炎 ,  王德进

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体基底，半导体基底包括高压器件区和低压器件区；形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；第一栅氧化层的厚度大于第二栅氧化层的厚度；在第一栅氧化层和第二栅氧化层的表面分别形成第一多晶硅栅和第二多晶硅栅；以第一多晶硅栅和第二多晶硅栅为掩膜刻蚀第一栅氧化层和第二栅氧化层，直至将第一栅氧化层的厚度刻蚀至目标厚度；形成侧墙结构并进行源漏极离子注入形成源漏极引出区。上述半导体器件的制备方法，刻蚀过程无需再增加单独的光刻工艺步骤来对高压器件区的第一栅氧化层进行减薄，简化了工艺步骤的同时也节省了一层光罩，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN102569389B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201010603672.3

申请日：2010-12-24

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 金炎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7836

摘要： 本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法，所述器件包括：阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区；所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中，能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用，进而可以减小器件的间距，实现在相同的晶片面积中制造更多的器件，提高器件的生产效率和集成度，降低器件的生产成本。

公开(公告)号：CN102569389A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010603672.3

申请日：2010-12-24

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 金炎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7836

摘要： 本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法，所述器件包括：阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区；所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中，能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用，进而可以减小器件的间距，实现在相同的晶片面积中制造更多的器件，提高器件的生产效率和集成度，降低器件的生产成本。