集成半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101510543B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200910007167.X

    申请日:2009-02-13

    IPC分类号: H01L25/00 H01L23/498 B81B7/02

    摘要: 本发明涉及一种集成半导体器件,其包括:多个半导体元件,具有不同的集成元件电路或不同的尺寸;绝缘材料,设置在所述半导体元件之间;有机绝缘膜,完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上;细薄层布线,设置在所述有机绝缘膜上,且连接所述半导体元件;第一输入/输出电极,设置在所述绝缘材料的区域上;以及第一凸起电极,形成在所述第一输入/输出电极上。

    集成半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101510543A

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200910007167.X

    申请日:2009-02-13

    IPC分类号: H01L25/00 H01L23/498 B81B7/02

    摘要: 本发明涉及一种集成半导体器件,其包括:多个半导体元件,具有不同的集成元件电路或不同的尺寸;绝缘材料,设置在所述半导体元件之间;有机绝缘膜,完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上;细薄层布线,设置在所述有机绝缘膜上,且连接所述半导体元件;第一输入/输出电极,设置在所述绝缘材料的区域上;以及第一凸起电极,形成在所述第一输入/输出电极上。