-
公开(公告)号:CN108305857A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201711381918.5
申请日:2017-12-20
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/552
CPC分类号: H01L24/06 , H01L23/13 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/09 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/02311 , H01L2224/02319 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06136 , H01L2224/06151 , H01L2224/06155 , H01L2224/06159 , H01L2224/06177 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/06519 , H01L2224/09181 , H01L2224/09519 , H01L2224/12105 , H01L2224/1403 , H01L2224/14131 , H01L2224/14136 , H01L2224/14151 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/17519 , H01L2224/2518 , H01L2224/96 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要: 本发明提供一种半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括:基板部,包括芯层和积层,所述芯层具有形成在所述芯层中的装置容纳部,所述积层堆叠在所述芯层的相对侧中的每一侧上;电子装置,设置在所述装置容纳部中;以及散热导体,设置在所述积层中以向外散发由所述电子装置产生的热。
-
公开(公告)号:CN106847784A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710061288.7
申请日:2012-06-29
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/683 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05554 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
-
公开(公告)号:CN106486428A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610710277.2
申请日:2016-08-23
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/12 , H01L23/498 , H01L23/492
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L21/563 , H01L22/32 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06133 , H01L2224/06136 , H01L2224/06155 , H01L2224/06177 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14133 , H01L2224/14136 , H01L2224/14155 , H01L2224/16238 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/49173 , H01L2224/49175 , H01L2224/49179 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/45099
摘要: 本申请涉及半导体器件。提供一种可靠性增强的半导体器件。该半导体器件具有:布线衬底,包括与半导体芯片的电源电位供应部电连接的第一端子、将电源电位供应部与第一端子耦合的第一布线、与半导体芯片的参考电位供应部电连接的第二端子以及将参考电位供应部与第二端子耦合的第二布线。第一端子和第二端子被布置为与半导体芯片相比更接近布线衬底的外围。第二布线沿着第一布线延伸。
-
公开(公告)号:CN102856220B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210229643.4
申请日:2012-06-29
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05554 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中,通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热,以使其一体化并电连接。其中,所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热,可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着,在倒装芯片的连接工序中,将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此,可减少焊锡的渗出量。
-
公开(公告)号:CN104810340A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410192676.5
申请日:2014-05-08
申请人: 森富科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/50 , H01L24/06 , H01L2224/06155 , H01L2224/14155 , H01L2924/1434
摘要: 一种存储器及存储器球位焊垫的布局方法,存储器包括基板与多个存储器球位焊垫。多个存储器球位焊垫配置于基板的四周以形成回字型,并且多个存储器球位焊垫以镜像方式来形成左右对称,其中回字型的左半部的多个存储器球位焊垫区分为第一主区域、第二主区域、第三主区域与第四主区域。第一主区域内的多个存储器球位焊垫区分为第一子区域、第二子区域与第三子区域,并且第一子区域与第三子区域配置有多个输入/输出数据脚位与多个电力脚位,其中多个输入/输出数据脚位彼此不相邻,并且在每一个输入/输出数据脚位的附近配置有至少一电源电压脚位与至少一接地电压脚位。
-
公开(公告)号:CN104347601A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410349913.4
申请日:2014-07-22
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16058 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/2746 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作,并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。
-
公开(公告)号:CN103915401A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201310119638.2
申请日:2013-04-08
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/14155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81484 , H01L2224/81815 , H01L2924/00012 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/01047
摘要: 本发明公开了封装结构中的细长凸块结构,其中封装结构包括附接至衬底的芯片。芯片包括凸块结构,其包括具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)的导电柱。衬底包括焊盘区域和位于焊盘区域上方的掩模层,其中,掩模层具有露出部分焊盘区域的开口。芯片附接至衬底以在导电柱和焊盘区域之间形成互连件。开口具有沿着长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着短轴测量的第二尺寸(d2)。在一个实施例中,L大于d1,而W小于d2。
-
公开(公告)号:CN1900725A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN200610108541.1
申请日:1999-12-01
申请人: 佛姆法克特股份有限公司
CPC分类号: G01R1/06727 , C25D1/003 , G01R1/06733 , G01R1/06761 , G01R3/00 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/72 , H01L25/0657 , H01L2224/05166 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14133 , H01L2224/14136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/0001 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K3/326 , H05K3/4092 , Y10T29/49147 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 一种通过光刻技术形成包括弹性接触元件的互连的方法。在一个实施例中,该方法包括把一掩膜材料涂到衬底的第一部分上,该掩模材料具有能限定弹性结构的第一部分的开口;把一结构材料(例如,导电材料)沉积到开口中,并给开口过量填充该结构材料;除去结构材料的一部分;以及除去掩膜材料的第一部分。在此实施例中,弹性结构的第一部分的至少一部分没有掩膜材料。在本发明的一个方面,该方法包括对掩膜材料层和结构材料进行平面化,以除去结构材料的一部分。在另一个方面,所形成的弹性结构包括支柱部分、横梁部分和尖端结构部分中之一。
-
公开(公告)号:CN105280578B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201410443444.2
申请日:2014-09-03
申请人: 力智电子股份有限公司
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L23/3171 , H01L23/492 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2021/6027 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/06155 , H01L2224/08113 , H01L2224/13023 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16227 , H01L2224/32104 , H01L2224/32221 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要: 本发明公开一种可携式装置及其集成电路的封装结构、封装体与封装方法。封装结构包括集成电路的封装体与载板。封装体包括晶粒与冶金层。晶粒具有接触部、切割边界保留部与密封环。密封环位于接触部与切割边界保留部之间。冶金层设置于接触部上且冶金层至少部分设置于密封环之上。冶金层包括涂布有锡膏的可焊层。载板包括焊垫。焊垫耦接涂布有锡膏的可焊层。
-
公开(公告)号:CN104347601B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201410349913.4
申请日:2014-07-22
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16058 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/2746 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明构思的实施例包括一种具有多个层叠的半导体芯片的半导体封装件。多层衬底包括中心绝缘层、设置在中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在中心绝缘层的下表面上的第一下布线层。利用各种方式将层叠的半导体芯片连接至多层衬底和/或彼此连接。半导体封装件能够像基于倒装芯片接合的半导体封装件那样进行高性能操作,并且还通过克服由于单个半导体芯片导致的限制符合大容量的需要。本发明构思的实施例还包括用于制造该半导体封装件的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-