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    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN104064593A

    公开(公告)日：2014-09-24

    申请号：CN201310731532.8

    申请日：2013-12-26

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  小野祐

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/42356

    摘要： 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。

    薄膜压电谐振器及其制造方法
    4.
    发明公开
    薄膜压电谐振器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1691498A

    公开(公告)日：2005-11-02

    申请号：CN200510067261.6

    申请日：2005-04-20

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 佐野贤也 ,  梁濑直子 ,  板谷和彦 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  川久保隆 ,  罇贵子

    IPC分类号： H03H9/13 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

    摘要： 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。

    电源电路
    6.
    发明公开
    电源电路 无效

    公开(公告)号：CN104917374A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：CN201410453507.2

    申请日：2014-09-05

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 仲敏行 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  內原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  増子真吾 ,  小野祐

    IPC分类号： H02M3/155

    CPC分类号： H02M3/33507 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1491

    摘要： 本发明提供一种具备可以使常导通元件适当地动作的控制电路的电源电路。根据一实施方式，电源电路包括第一电路，该第一电路包含一个以上的第一开关元件以及控制所述第一开关元件的动作的第一控制电路，且输出第一电压。进而，所述电源电路包括第二电路，该第二电路包含包括常导通元件的一个以上的第二开关元件以及控制所述第二开关元件的动作的第二控制电路，且输出从所述第一电压产生的第二电压。进而，所述第二控制电路是基于所述第二电路内的第一节点的电压或电流的值，发送使所述第一电路输出所述第一电压的第一信号。进而，所述第一控制电路是通过根据所述第一信号来控制所述第一开关元件的动作，而使所述第一电压从所述第一电路输出。