-
公开(公告)号：CN109473705A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201810180827.3
申请日：2018-03-06
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01M8/1004 , H01M8/1016
摘要： 本发明涉及膜电极接合体、电化学电池和电化学装置。本发明提供一种膜电极接合体，该膜电极接合体具有：具有给电体层的一对电极，该给电体层包含导电材料并且为多孔质、和在上述一对电极间所配置的电解质膜，上述一对电极的至少一个电极在上述给电体层内具有催化剂层，在上述给电体层的截面中，从上述电解质膜侧向上述电解质膜侧的相反方向，在上述给电体层的厚度的80％以下的第1区域存在电解质，在上述第1区域中的上述导电材料的截面的外周的50％以上存在催化剂层，并且在上述第1区域以外的第2区域中的上述导电材料的截面的外周的10％以下存在上述催化剂层。
-
公开(公告)号：CN104917483A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410275588.1
申请日：2014-06-19
申请人： 株式会社东芝
发明人： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 铃木良和
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H03H9/02566
摘要： 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。
-
公开(公告)号：CN104465741A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410061074.6
申请日：2014-02-24
申请人： 株式会社东芝
发明人： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L29/045 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L29/778 , H01L29/41775
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。
-
公开(公告)号：CN104061848A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310394835.5
申请日：2013-09-03
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G01B7/16
CPC分类号： G01L1/2293 , H01L24/05 , H01L27/0738 , H01L28/24 , H01L29/1608 , H01L29/7803 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。
-
公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
申请人： 株式会社东芝
发明人： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
摘要： 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
-
公开(公告)号：CN1410838A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02143536.7
申请日：2002-09-27
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G03G15/10 , G03G15/161 , G03G15/1665 , G03G15/1695 , G03G15/6558 , G03G2215/00708 , G03G2215/017
摘要： 本发明公开了一种成像设备和成像方法，成像设备包括在其表面上形成静电潜像的成像材料；为静电潜像提供液体显影剂以在成像材料上形成显影图像的显影装置；中间转印介质具有一个初次转印位置和一个再次转印位置，在初次转印位置通过与成像材料接触将成像材料上的显影图像转印在所述中间转印介质，在再次转印位置通过与纸接触将显影图像再次转印到纸上；中间转印清洁装置，当中间转印介质已经通过再次转印位置但还没有达到初次转印位置时，通过与中间转印介质接触能够粘附并且去除附着在中间转印介质表面上的物质；位于将纸输送到再次转印位置的输送装置的输送路径上的纸清洁装置，通过与纸和中间转印介质的表面接触能粘附和去除附着在该表面上的物质，可防止附着在纸上的粉尘粘附在中间转印介质上。
-
公开(公告)号：CN101432666A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015630.4
申请日：2007-02-22
申请人： 株式会社东芝
摘要： 一种图案形成装置，具有沿着被转印介质滚动的滚筒状的凹版(1)。在利用带电器使凹版(1)带电后，通过显影装置将各色液体显影剂朝凹版(1)供给来利用调色剂粒子形成图案，使凹版(1)沿着被转印介质滚动，在两者之间形成电场，从而使带电的调色剂粒子朝被转印介质转印。将各色图案转印到被转印介质上后对凹版(1)进行清洁处理的清洁处理装置(8)具有：朝凹部喷出清洁液的带角度的喷嘴(102、103)、以及将从凹部游离出来的调色剂粒子与清洁液一起除去的除去辊(104、105)。
-
公开(公告)号：CN1254717C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02143536.7
申请日：2002-09-27
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G03G15/10 , G03G15/161 , G03G15/1665 , G03G15/1695 , G03G15/6558 , G03G2215/00708 , G03G2215/017
摘要： 本发明公开了一种成像设备和成像方法，成像设备包括在其表面上形成静电潜像的成像材料；为静电潜像提供液体显影剂以在成像材料上形成显影图像的显影装置；中间转印介质具有一个初次转印位置和一个再次转印位置，在初次转印位置通过与成像材料接触将成像材料上的显影图像转印在所述中间转印介质，在再次转印位置通过与纸接触将显影图像再次转印到纸上；中间转印清洁装置，当中间转印介质已经通过再次转印位置但还没有达到初次转印位置时，通过与中间转印介质接触能够粘附并且去除附着在中间转印介质表面上的物质；位于将纸输送到再次转印位置的输送装置的输送路径上的纸清洁装置，通过与纸和中间转印介质的表面接触能粘附和去除附着在该表面上的物质，可防止附着在纸上的粉尘粘附在中间转印介质上。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.044 秒)