-
公开(公告)号:CN103229290B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201080070258.9
申请日:2010-11-23
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: B81C1/00301 , B81B7/007 , B81C3/008 , B81C2203/035 , B81C2203/051 , G01L9/0048 , G01L19/0076 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P2015/084 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/81805 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤:a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110),其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接,其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132),b)在至少一个贯穿接触步骤中,将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上,其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142),c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离,以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上,其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。
-
公开(公告)号:CN103229290A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201080070258.9
申请日:2010-11-23
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: B81C1/00301 , B81B7/007 , B81C3/008 , B81C2203/035 , B81C2203/051 , G01L9/0048 , G01L19/0076 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P2015/084 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/81805 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤:a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110),其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接,其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132),b)在至少一个贯穿接触步骤中,将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上,其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142),c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离,以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上,其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。
-