公开(公告)号：CN104218024A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410227609.2

申请日：2014-05-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·刘 ,  Q·张 ,  A·E·舒克曼 ,  R·张

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81463 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/8147 ,  H01L2224/81472 ,  H01L2224/81479 ,  H01L2224/81481 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81487 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/185 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10363 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0481 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例目的在于在集成电路组件中的桥互连的分层互连结构的技术和配置。在一个实施例中，装置可包括衬底和嵌在衬底中的桥。桥可配置成在两个管芯之间传送电信号。与桥电气耦合的互连结构可包括：过孔结构，其包括第一导电材料；阻挡层，其包括设置在过孔结构上的第二导电材料；以及可焊接材料，其包括设置在阻挡层上的第三导电材料。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可具有不同的化学成分。可描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN116314104A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211545089.0

申请日：2022-11-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·阿亚拉索玛亚朱拉 ,  D·帕马纳班拉马莱克什米塔努 ,  R·张 ,  X·陆 ,  R·尼克森 ,  P·N·斯托弗

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 一种管芯封装，包括：衬底，包括焊料焊盘元件；耦合到衬底的半导体管芯；焊料层，包括沉积在焊料焊盘元件上的第一焊料材料，该第一焊料材料具有第一熔化温度；以及互连球，包括沉积在焊料层上的第二焊料材料，该第二焊料材料具有比第一熔化温度低的第二熔化温度。

公开(公告)号：CN108364926A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201711076350.6

申请日：2014-05-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·刘 ,  Q·张 ,  A·E·舒克曼 ,  R·张

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81463 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/8147 ,  H01L2224/81472 ,  H01L2224/81479 ,  H01L2224/81481 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81487 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/185 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10363 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0481 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例目的在于在集成电路组件中的桥互连的分层互连结构的技术和配置。在一个实施例中，装置可包括衬底和嵌在衬底中的桥。桥可配置成在两个管芯之间传送电信号。与桥电气耦合的互连结构可包括：过孔结构，其包括第一导电材料；阻挡层，其包括设置在过孔结构上的第二导电材料；以及可焊接材料，其包括设置在阻挡层上的第三导电材料。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可具有不同的化学成分。可描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN104218024B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410227609.2

申请日：2014-05-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·刘 ,  Q·张 ,  A·E·舒克曼 ,  R·张

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81463 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/8147 ,  H01L2224/81472 ,  H01L2224/81479 ,  H01L2224/81481 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81487 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/185 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10363 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0481 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例目的在于在集成电路组件中的桥互连的分层互连结构的技术和配置。在一个实施例中，装置可包括衬底和嵌在衬底中的桥。桥可配置成在两个管芯之间传送电信号。与桥电气耦合的互连结构可包括：过孔结构，其包括第一导电材料；阻挡层，其包括设置在过孔结构上的第二导电材料；以及可焊接材料，其包括设置在阻挡层上的第三导电材料。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可具有不同的化学成分。可描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN108364926B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201711076350.6

申请日：2014-05-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·刘 ,  Q·张 ,  A·E·舒克曼 ,  R·张

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18

Abstract: 本公开的实施例目的在于在集成电路组件中的桥互连的分层互连结构的技术和配置。在一个实施例中，装置可包括衬底和嵌在衬底中的桥。桥可配置成在两个管芯之间传送电信号。与桥电气耦合的互连结构可包括：过孔结构，其包括第一导电材料；阻挡层，其包括设置在过孔结构上的第二导电材料；以及可焊接材料，其包括设置在阻挡层上的第三导电材料。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可具有不同的化学成分。可描述和/或主张其它实施例。