公开(公告)号：CN105699778B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510922563.0

申请日：2015-12-11

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.巴伦舍恩 ,  A.毛德

IPC分类号： G01R27/08

CPC分类号： G01R31/3274 ,  G01R27/205 ,  H01H1/0015 ,  H01H47/002

摘要： 本发明涉及用于接触测量电路的系统和方法。根据实施例，一种接触测量电路被配置为耦合在第一接触部和第二接触部之间，并且所述接触测量电路包括第一晶体管、控制电容器和电压测量单元。所述第一晶体管包括被配置为耦合到所述第一接触部的第一导电端子、第二导电端子和第一控制端子。所述控制电容器包括耦合到所述第二导电端子的第一电容器端子和耦合到所述第一控制端子的第二电容器端子。所述电压测量单元耦合到所述第一电容器端子和所述第二电容器端子，并且所述第二电容器端子被配置为耦合到所述第二接触部。

公开(公告)号：CN104733301B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410791956.8

申请日：2014-12-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/78

摘要： 用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括形成从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。沟槽具有相对于半导体主体的垂直方向斜切的至少一个侧壁。该方法还包括移除至少在沟槽的底部和与半导体主体的第一表面相对的第二表面之间的半导体主体的材料。

公开(公告)号：CN103839910B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201310588326.6

申请日：2013-11-21

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K.侯赛因 ,  A.毛德 ,  P.森格

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括芯片载体以及具有半导体部分和传导结构半导体管芯。焊接层在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构。在焊接侧，沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离大于中央表面部分到芯片载体的距离。传导结构覆盖中央表面部分以及中间表面部分的至少区段，所述中间表面部分相对于中央表面部分倾斜。焊接材料被有效地防止以免于涂覆易受损坏的这样的半导体表面，并且焊接引起的污染被显著地减少。

公开(公告)号：CN107665889A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710623095.6

申请日：2017-07-27

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A.毛德 ,  A.维尔梅罗特

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L29/7815 ,  H01L21/266 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H03K17/102 ,  H03K17/122 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875 ,  H01L22/34 ,  H01L21/82 ,  H01L27/0617

摘要： 本发明公开半导体器件、电气装置以及用于形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括布置在半导体器件的半导体衬底中的多个补偿区。该多个补偿区的补偿区具有第一导电类型。进一步地，该半导体器件包括布置在半导体器件的半导体衬底中的、垂直电气元件布置的漂移区的多个漂移区部分。该漂移区具有第二导电类型。进一步地，该多个漂移区部分的漂移区部分和该多个补偿区的补偿区在横向方向上交替布置。此外，该半导体器件包括在半导体衬底的正面表面处与漂移区的抽头部分接触的抽头电极结构。该抽头部分横向地位于该多个补偿区的两个相邻补偿区之间。

公开(公告)号：CN104348350B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410041380.3

申请日：2014-01-28

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德

IPC分类号： H02M1/42

CPC分类号： G05F1/70 ,  H02M1/4225 ,  Y02B70/126

摘要： 本发明涉及功率因数校正电路。在各种实施例中，提供了一种电路装置，其可包括：第一AC输入节点和第二AC输入节点；第一电子开关器件，其耦合在第一AC输入节点与输出节点之间；第二电子开关器件，其耦合在第二AC输入节点与输出节点之间；电感器，其耦合在第一电子开关器件与第二电子开关器件之间；控制器，其被配置成控制第一电子开关器件和第二电子开关器件以：在第一模式下在通过电感器的第一电流流动方向上经由电感器来提供从第一AC输入节点到输出节点的第一电流路径；以及在第二模式下，在通过电感器的第二电流流动方向上经由电感器来提供从第二AC输入节点到输出节点的第二电流路径，第二电流流动方向不同于第一电流流动方向。

公开(公告)号：CN105375796A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510488269.3

申请日：2015-08-11

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.巴伦舍恩 ,  A.毛德

IPC分类号： H02M7/217

CPC分类号： H02M7/217 ,  H02M1/083 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M1/4225 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0006 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2007/2195 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1408 ,  Y02B70/16

摘要： 公开了具有电压检测的整流器。整流器包括被配置为接收交流输入电压的两个输入路径和被配置为提供直流输出电压的两个输出路径。开关模式整流路径被连接在输入路径中的一个和输出路径中的一个之间并且包括具有可控制的路径的至少两个半导体元件；可控制的路径与彼此串联连接。辅助输出节点被部署在整流路径中的两个半导体元件的可控制的路径之间并且提供辅助节点电压。可控制的输出路径被连接在两个输出路径中的一个的下游并且包括具有可控制的路径的半导体元件，其中，可控制的输出路径的半导体元件的可控制的路径由表示辅助节点电压的信号来控制。

公开(公告)号：CN105375795A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510488214.2

申请日：2015-08-11

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.巴伦舍恩 ,  A.毛德

IPC分类号： H02M7/217

CPC分类号： H02M7/217 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0006 ,  H02M2001/009

摘要： 公开了一种具有辅助电压输出的整流器。整流器包括被配置为接收交流输入电压的两个输入路径、被配置为提供直流输出电压的两个输出路径、和被配置为提供辅助输出电压的辅助输出路径。至少两个整流路径被连接在输入和输出路径中的每个之间。至少两个整流路径是被连接到同一输出路径的开关模式整流路径。两个开关模式整流路径被配置为在输入电压的一个半波期间将一个输出路径连接到一个输入路径，并且在另一半波期间将该一个输出路径连接到另一输入路径。两个开关模式整流路径的每个包括具有可控制的路径的两个半导体元件，可控制的路径通过辅助输出节点而与彼此串联连接。至少一个整流器元件被连接在辅助输出和两个辅助输出节点之间。

公开(公告)号：CN105097802A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510233707.1

申请日：2015-05-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.巴伦舍恩 ,  A.毛德

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H03K17/165

摘要： 本发明涉及包括箝位结构的集成电路和调整箝位晶体管阈值电压方法。一种集成电路（100），包括：负载晶体管（102），包括第一和第二负载端子和负载控制端子。集成电路（100）还包括箝位结构（110）。箝位结构（110）包括箝位晶体管（112），所述箝位晶体管（112）包括第一和第二箝位晶体管负载端子和栅极端子，其中箝位晶体管（112）电耦合在负载控制端子和第一负载端子之间，并且负载晶体管（102）的箝位电压由箝位晶体管（112）的阈值电压Vth确定。

公开(公告)号：CN104734544A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410807122.1

申请日：2014-12-23

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A.毛德

IPC分类号： H02M7/219

CPC分类号： H02M7/217 ,  H02M1/088 ,  H02M1/4208 ,  H02M7/219 ,  H02M2007/2195 ,  H03K17/6872 ,  H03K2017/307 ,  H03K2217/0045 ,  Y02B70/1408

摘要： 公开了一种全波整流器。在一个实施例中，全波整流器包括：两个输入路径，被配置为接收交流输入电压；两个输出路径，被配置为提供直流输出电压；以及四个开关模式整流路径，被连接在输入路径的每个和输出路径的每个之间，其中开关模式整流路径被配置为在输入电压的第一半波期间把第一输入路径连接到第一输出路径并且把第二输入路径连接到第二输出路径，以及在输入电压的第二半波期间把第一输入路径连接到第二输出路径并且把第二输入路径连接到第一输出路径，并且其中开关模式整流路径包括共源共栅电路。

公开(公告)号：CN103383966A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310056709.9

申请日：2013-02-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： O.布兰克 ,  F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  R.西米尼克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明涉及具有改善的鲁棒性的半导体器件。一种半导体器件，包括：第一接触体，与器件的源极区域和在器件的有源区中形成的主体区域的第一部分低欧姆接触；和第二接触体，与在器件的外围区中形成的主体区域的第二部分低欧姆接触。在器件的第一表面的第二接触体的最小宽度大于在第一表面的第一接触体的最小宽度，使得在使半导体器件换向期间的最大电流密度减小，从而也减小了在硬换向期间器件损坏的风险。