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公开(公告)号：CN105388709A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN105388709B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN110095954A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910039419.0
申请日：2019-01-16
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种微乳液去除剂，以所述微乳液去除剂的总重量计，其包含1)10％至60％，至少一种有机溶剂，ii)10％至50％，至少一种共溶剂，iii)0.1％至10％，至少一种碱，iv)0.1％至10％，至少一种氧化剂，v)0.1％至10％，至少一种表面活性剂和vi)水。
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公开(公告)号：CN107797380A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710741024.6
申请日：2017-08-24
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/00 , C08G77/20 , C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F234/00
CPC分类号： G03F7/11 , C08F20/10 , C08F20/14 , C08F20/28 , C08F20/32 , C08F24/00 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F220/24 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F230/08 , C08F2220/1825 , C08F2220/1858 , C08F2220/1891 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/325 , C08F2800/10 , C08G67/00 , C08G73/128 , C08G77/04 , C08G77/20 , C08G77/80 , C09D5/20 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/161 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/422 , G03F7/423 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0035 , C08F2220/281 , C08F234/00
摘要： 本发明提供包含一种或多种包含含Si-O键的主链的含硅聚合物、一种或多种有机掺合物聚合物和固化催化剂的可湿剥离底层组合物。这些组合物适用于制造各种电子装置。
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公开(公告)号：CN106336356A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610474665.5
申请日：2016-06-24
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C07C65/24 , C07C69/94 , C07C309/42 , C07C69/157 , C07C235/46 , C07C39/225 , C08G61/12
摘要： 由具有溶解度提高部分的芳香族二炔烃单体形成的聚亚芳基寡聚物显示在某些有机溶剂中溶解度提高并且适用于形成电子应用中的介电材料层。
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公开(公告)号：CN105273149B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510411991.7
申请日：2015-07-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： C08G8/04 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G8/20 , C07C39/15 , C07C39/14 , C07D213/30 , C08L61/06 , G03F7/00
摘要： 本发明涉及用于底层的树脂，具体地，某些经取代的四芳基甲烷单体的聚合反应产物在半导体制造工艺中适用作底层。
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公开(公告)号：CN105273149A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510411991.7
申请日：2015-07-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： C08G8/04 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G8/20 , C07C39/15 , C07C39/14 , C07D213/30 , C08L61/06 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/094 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/40 , C07C2603/42 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C07D213/16 , C08G8/04 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G12/08 , C08G12/26 , C08G12/34 , C09D161/06 , C09D161/22 , C09D161/26 , G03F7/091 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 本发明涉及用于底层的树脂，具体地，某些经取代的四芳基甲烷单体的聚合反应产物在半导体制造工艺中适用作底层。
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公开(公告)号：CN106243357B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610389823.7
申请日：2016-06-02
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： G03F7/091 , C08G77/14 , C08G77/18 , C08G77/26 , C08G77/28 , C08G77/80 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32
摘要： 提供包含一或多种含硅聚合物的可湿式剥去的抗反射组合物，所述含硅聚合物不含作为聚合单元的Q单体和氢化硅烷。这些组合物适用于制造多种电子装置。
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公开(公告)号：CN108227383A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711309420.8
申请日：2017-12-11
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： G03F7/11 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F2220/283 , C08F2220/303 , C09D151/00 , C09D151/003 , C09D187/00 , C09D187/005 , G03F7/00 , G03F7/075 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , G03F7/425
摘要： 提供采用可湿剥离垫层组合物制造电子装置的方法，所述组合物包含聚合物的缩合物和/或水解产物，所述聚合物包含一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体作为聚合单元，其中所述可缩合含硅部分位于所述聚合物主链的侧位；以及一种或多种可缩合硅单体。
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