公开(公告)号：CN109643645A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053614.8

申请日：2017-06-01

申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构

发明人： 藤冈洋 ,  上野耕平

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

摘要： 本发明的化合物半导体具有5×1019cm-3以上的高电子浓度，显示46cm2/V·s以上的电子迁移率，且显示低电阻性，由此构成高性能的半导体器件。根据本发明，提供一种能在室温～700℃下在大面积的衬底上成膜的n型导电型13族氮化物半导体。

公开(公告)号：CN108475710A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006921.0

申请日：2017-01-18

申请人： 王子控股株式会社

发明人： 大纮太郎 ,  筱塚启 ,  八田嘉久

IPC分类号： H01L33/22 ,  C30B25/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

摘要： 本发明提供一种能够降低发光层中的结晶的结晶转位密度的半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法。半导体发光元件用基板，具备：基准面，其与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及多个凸部，其从基准面突出，并在沿着结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与结晶面平行的平坦面，在包含基准面的平面中的互相相邻的凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，在与基准面相对向的俯视中，单位面积中的前端面的合计面积为第1面积S1，单位面积中的基准面的合计面积为第2面积S2时，满足0.76≦S1/S2≦7.42。

公开(公告)号：CN107211521B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580074957.3

申请日：2015-02-20

申请人： 株式会社京三制作所

发明人： 让原逸男 ,  小玉真一 ,  安达俊幸

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H02M5/08 ,  H02M7/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： H05H1/46 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H02M5/08 ,  H02M5/42 ,  H02M7/12 ,  H05H2001/4682

摘要： 在输出互为反相的交流电压的高频电源装置中，将高频输出电路的输出分压成两个输出的结构中，无法将高电压与低电压的相异的电压值进行与需求相对应的切换，输出端的电压会降低至高频输出电路的输出电压的1/2的峰值。在高频电源装置中，切换将由分压电路进行分压后的高频电压分压为相对于接地电位互为反相的交流电压的分压电路的连接状态来改变两个输出端电压的电压比例，从而切换高电压和低电压并输出。通过切换分压电路的连接状态，能够选择输出高电压和低电压的相异的电压值，在高频电源装置的输出端，通过在高电压输出时选择高电压来输出，抑制源自高频输出电路的输出电压的降低。

公开(公告)号：CN107078033A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580049211.7

申请日：2015-07-08

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 藤仓序章

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/203 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/22 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/24 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 本发明具有如下工序：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到比所述凸部的顶端宽度厚、并且11nm以上且400nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。

公开(公告)号：CN106292004A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610689107.0

申请日：2016-08-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王莉莉 ,  王路

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： H01L21/447 ,  B23K20/121 ,  H01L21/203 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/4828 ,  H01L2021/60187 ,  H01L2224/75

摘要： 本发明提供了一种覆晶薄膜和显示面板的绑定装置及绑定方法。该绑定装置包括：承载台；设置于所述承载台上方的抓取单元，所述抓取单元被配置为用于抓取整张覆晶薄膜的至少部分区域；驱动单元，被配置为使得所述抓取单元和所述承载台能够相对运动；控制器，与所述驱动单元和检测单元信号连接；所述检测单元，被配置为用于检测所述一排第一绑定区和所述一排第二绑定区的相对位置信息；当所述一排第一绑定区和所述一排第二绑定区相对位时，所述检测单元向所述控制器发送停止对位信息；所述控制器根据所述停止对位信息控制所述驱动单元停止对位；绑定单元，被配置为将对位后的所述一排第一绑定区和所述一排第二绑定区绑定在一起。

公开(公告)号：CN105378919A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480003615.8

申请日：2014-07-10

申请人： 核心整合科技股份有限公司

发明人： 金昌寿 ,  金钟云 ,  李民镇

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01L21/203 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在此公开了一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI(电磁干扰)屏蔽的溅射方法及其溅射设备。所述方法包括：(a)安装托盘；(b)在所述托盘上应用液态胶粘剂；(c)固化所述液态胶粘剂；(d)将多个半导体封装件装载到托盘上，以使所述多个半导体封装件附着到所述液态胶粘剂；(e)对所述多个半导体封装件进行溅射处理；(f)从所述托盘卸载所述多个半导体封装件；以及(g)从所述托盘去除所述液态胶粘剂。

公开(公告)号：CN108573854A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810194164.0

申请日：2018-03-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  桥本浩幸 ,  野泽秀二 ,  藤川诚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67703 ,  H01L29/785 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。

公开(公告)号：CN108183113A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711289553.3

申请日：2017-12-08

申请人： 佳能株式会社

发明人： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  金田翼 ,  小川俊之

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0288

CPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L21/04 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/203 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H04N5/367 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  Y02E10/50

摘要： 本申请涉及光电转换设备、相机、制造半导体基板的方法以及制造光电转换设备的方法。该光电转换设备具有硅基板，该硅基板包括被配置为执行光电转换的第一部分和被布置为比第一部分更远离硅基板的光接收表面并且包含碳的第二部分。作为第二部分中的碳峰值浓度的第一峰值浓度不小于1×1018[原子/cm3]且不大于1×1020[原子/cm3]，并且作为第二部分中的氧峰值浓度的第二峰值浓度不小于第一峰值浓度的1/1000且不大于第一峰值浓度的1/10。

公开(公告)号：CN106661714A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580002767.0

申请日：2015-11-25

申请人： 瑞福龙株式会社

发明人： 车国麟 ,  任志淳

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L31/18 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L21/02535 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/50 ,  H01L21/203

摘要： 本发明涉及利用锡金属靶在玻璃衬底上形成锡氧化物层的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法。本发明提供利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，该方法包括以下步骤：通过利用锡金属靶的溅射在玻璃衬底上形成锡氧化物缓冲层(SnO2)；以及通过利用锡金属靶的溅射在锡氧化物缓冲层上形成锡氧化物半导体层(SnO2‑x)(0

公开(公告)号：CN104733292A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510101331.9

申请日：2015-03-06

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 陆小力 ,  张吉文 ,  张春福 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28

摘要： 本发明公开了一种超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法，主要解决现有技术不能直接在半导体材料上沉积单晶钛酸钡薄膜问题。其技术方案是：1.在蓝宝石衬底沉积一层单晶氧化镁薄膜；2.在单晶氧化镁薄膜上沉积单晶钛酸钡薄膜；3.在单晶钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的钛酸钡薄膜与衬底脱离；4.将脱离蓝宝石衬底的单晶钛酸钡薄膜转移到后续所需的半导体衬底上，得到超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜。本发明能实现在半导体衬底上生长单晶钛酸钡薄膜，且单晶钛酸钡薄膜的厚度仅为几个纳米，保证了光源照射的可靠性，可用于半导体器件制备。