公开(公告)号：CN112335057B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980041859.8

申请日：2019-08-08

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀勉 ,  塩见弘 ,  宫濑贵也

IPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。

公开(公告)号：CN118056038A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280067308.0

申请日：2022-08-08

申请人： 株式会社希克斯

发明人： 八木邦明

IPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18 ,  H01L21/304

摘要： 本发明的课题是提供在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板(33)的制造方法。本发明的解决手段是，其特征在于，具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材(11)的表面形成碳层(21)来制造第二基底基材(12)；多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜(31)在第二基底基材的表面成膜；碳层露出工序，该工序去除在第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使碳层露出；以及多晶碳化硅分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除碳层后的第二基底基材分离，在不会使第一基底基材消失的情况下实现其再利用，因此具有能够降低多晶碳化硅基板的制造成本的效果。

公开(公告)号：CN111868884B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201980001810.X

申请日：2019-08-28

申请人： 艾德麦普株式会社

发明人： 川本聪

IPC分类号： H01L21/205 ,  C04B35/569 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/683

摘要： 提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)；SiC涂层(16)，其至少覆盖本体(12)与盖体(14)的外缘部的接触部位而将两者接合。

公开(公告)号：CN109937468B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780070214.8

申请日：2017-12-11

申请人： 株式会社力森诺科

发明人： 石桥直人 ,  深田启介 ,  坂东章

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

摘要： 提供一种p型SiC外延晶片的制造方法，具有设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在上述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下在基板上形成p型SiC外延膜而得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm‑3以上的p型SiC外延晶片的工序，上述投入原料C/Si比基于包含上述掺杂剂气体所含的C元素的成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比来设定，上述投入原料C/Si比与上述总气体C/Si比不同，上述投入原料C/Si比为0.8以下。

公开(公告)号：CN116364659A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310283040.0

申请日：2018-06-29

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 陈俊 ,  华子群 ,  胡思平 ,  王家文 ,  王涛 ,  朱继锋 ,  丁滔滔 ,  王新胜 ,  朱宏斌 ,  程卫华 ,  杨士宁

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/42

摘要： 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；在所述第一基底表面上的第一粘附/键合叠层，所述第一粘附/键合叠层包括至少一层第一粘附层和至少一层第一键合层，所述第一粘附层和第一键合层分别采用不同的材料，所述第一键合层的材料为包括Si、N和C的介质材料，所述第一粘附层的材料为包括Si和N的介质材料。所述半导体结构的第一粘附/键合叠层在键合时能够具有较高的键合力。

公开(公告)号：CN113543968B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202080019015.6

申请日：2020-03-25

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 望月佳彦

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

摘要： 本发明的课题是提供一种功能性膜及其制造方法，所述功能性膜不需要层叠保护膜、通过涂布而形成保护层以及贴附保护层，并且耐湿热性也高。本发明的功能性膜通过如下方式而解决课题：具有支撑体、无机层及由树脂膜组成的保护层，无机层与保护层直接接合，当红外吸收光谱中的2800～2900cm‑1范围的最大峰值为A，2900～3000cm‑1范围的最大峰值为B，并将峰值B的强度除以峰值A的强度的强度比设为B/A时，保护层在无机层侧的表面的强度比B/A为相反侧的表面的1.04倍以上。

公开(公告)号：CN110709963B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201880037625.1

申请日：2018-05-14

申请人： 株式会社力森诺科

发明人： 龟井宏二

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

摘要： 本发明的SiC外延晶片具备4H‑SiC单晶基板和形成于所述4H‑SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H‑SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。

公开(公告)号：CN113196455B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201980078450.3

申请日：2019-09-05

申请人： 株式会社明电舍

发明人： 龟田直人 ,  三浦敏德 ,  花仓满

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

摘要： 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。

公开(公告)号：CN115985764A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211613898.0

申请日：2022-12-15

申请人： 拓荆科技股份有限公司

发明人： 赵郁晗 ,  孙萌萌 ,  王志华 ,  吴凤丽 ,  刘振 ,  杨华龙

IPC分类号： H01L21/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/06

摘要： 本发明提供了一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜，该制备方法包括：在采用原子层沉积工艺制备该阻挡层的每个周期内，加热半导体基底，在第一脉冲时间内向反应腔室内的该半导体基底上通入金属化合物气体，接着在第二脉冲时间内通入载气进行吹扫，再在第三脉冲时间内通入NH3，以及在第四脉冲时间内再次通入该载气进行吹扫，重复多个周期直至满足预设工艺要求；反应初始经过一个或多个周期后，在该第一脉冲时间内同时通入硅源气体；以及随着反应的进行，逐步加大该硅源气体和该金属化合物气体的流量比例，以使得该阻挡层中沿靠近该半导体基底的方向，沉积反应得到的氮化硅与金属氮化物的含量形成浓度梯度。

公开(公告)号：CN115461502A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180034073.0

申请日：2021-05-07

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC分类号： C30B25/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L27/12

摘要： 本发明的III‑V族化合物晶体用基底基板(1)具备：陶瓷芯层(2)、封入陶瓷芯层(2)的杂质封入层(3)、杂质封入层上的接合层(4)和接合层上的加工层(5)，杂质封入层(3)是以SiOxNy(这里，x=0～2、y=0～1.5、x+y>0)的组成式表示的组合物的层，接合层(4)是以SiOx’Ny’(这里，x’=1～2、y’=0～2)的组成式表示的组合物的层，加工层(5)是籽晶层。根据本发明，可提供用于得到大口径和高品质的III‑V族化合物晶体的III‑V族化合物晶体用基底基板及其制造方法。