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公开(公告)号：CN119530979A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411733361.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种低应力碳化硅单晶生长感应炉及碳化硅单晶生长方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。本发明提供的低应力的碳化硅单晶生长真空感应炉包括支撑筒、感应炉上盖及感应炉下盖，感应炉上盖设置在支撑筒的上部，感应炉下盖设置在支撑筒的下部。本发明将保温层分为上、下两部分，通过升降机构对上保温层位置进行控制，在生长炉上盖增加堵头输运机构，将中部测温孔移到坩埚外缘进行测温，使得测温孔直径实现最小化，碳化硅籽晶径向温度梯度减小。采用所提供装置进行碳化硅单晶生长过程中，通过改进生长工艺，采用构建的函数控制生长过程中的温度，实现碳化硅晶锭生长面温度的精确控制，提高碳化硅晶锭晶型的稳定性，从而减小碳化硅晶锭的应力。
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公开(公告)号：CN119507030A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682836.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，包括底座，底座顶部侧壁可拆卸式连接有炉体，底座内部开设有底槽，底槽内顶部侧壁放置有气罐，气罐靠近定端的一侧侧壁可拆卸式连接有承接板，承接板顶部且远离气罐的一侧侧壁可拆卸式连接有泵箱，泵箱顶部侧壁穿插连接有输送柱，输送柱的顶端可拆卸式连接有分流柱，分流柱远离输送柱的一侧侧壁均匀的贯通开设有气孔，且每个气孔内均可拆卸式连接有支流管，本发明具有以下优点：在分流柱上连接多个支流管，通过多个支流管形成多通道功能，这样就能将气体通过多个支流管进行分开独立输送，同时能将支流管环绕在坩埚的四周，避免了单一供气口导致的气体上升速率不同而产生紊流。
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公开(公告)号：CN118639319B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411103407.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 浙江晶越半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及莫桑石生产技术领域，尤其涉及一种高效率高产能无色莫桑石的制造方法，所述方法包括以下步骤：（S.1）将半绝缘晶种经过切割，得到具有规则形状的晶种；（S.2）在具有规则形状的晶种表面涂覆胶水并将其进行排列以及拼接，得到大尺寸拼接晶种；（S.3）将大尺寸拼接晶种粘结于柔性基底表面，随后在柔性基底的另一面涂覆胶水；（S.4）将柔性基底连同大尺寸拼接晶种粘结于物理气相沉积装置内，并通过物理气相沉积在大尺寸拼接晶种表面沉积碳化硅晶体，从而形成无色莫桑石。本申请通过将小尺寸晶种经过切割以及拼接成大尺寸拼接晶种，并将其粘结与柔性基底表面进行沉积，从而在提升了无色莫桑石的制备效率的前提下降低了莫桑石的损耗率。
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公开(公告)号：CN119446895A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411375649.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门市三安集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括：由下至上依次层叠设置的衬底、包含至少一个缓冲单元的组合缓冲层以及漂移层；其中，每个所述缓冲单元包括氮掺杂缓冲单元和磷掺杂缓冲单元。本申请提供的外延结构，通过在衬底表面进行氮、磷掺杂以形成组合结构缓冲层的外延，可以降低外延初期堆垛层错的诱发概率，同时，在外延过程中掺杂较大的原子磷，可以扩大晶格常数，从而弥补量产工艺掺氮晶格常数缩小的问题，从而改善晶圆翘曲，提高良品率。
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公开(公告)号：CN119442962A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411504626.6
申请日：2024-10-26
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/28 , C30B25/00 , C30B23/00 , G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/006 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/126 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了基于流体力学和小样本预测算法的晶圆抗粘层镀膜工艺优化方法。包括：构建真空反应腔仿真几何模型：真空腔、晶圆载具和晶圆；根据所述仿真几何模型，基于流体力学仿真运算吹扫过程，观察离散相分布情况，选择吹扫效果最好的模型定制腔体。搭建相应的硬件系统与人机交互平台，并进行测试实验，同时依据获得的实验数据进行小样本学习，通过环境数据、样品数据等与疏水性等镀膜性能进行多映射预测。根据上述方案，可以实现吹扫和沉积效果更好，且在长期使用中具有更好效果的晶圆镀膜工艺，并通过小样本预测算法实现针对性的工艺优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119436811A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411598661.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种物料制备组件和晶体生长设备，所述物料制备组件包括隧道炉和多个原料炉；所述隧道炉包括加热室和运动驱动机构，所述多个原料炉沿所述隧道炉长度方向依次设于所述加热室内，所述运动驱动机构驱动所述多个原料炉沿所述隧道炉长度方向运动；所述加热室内设有物料加热机构，所述物料加热机构用于加热所述原料炉。
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公开(公告)号：CN119433692A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411736365.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及氮化铝单晶生长装置技术领域，尤其涉及一种可调过饱和度的PVT‑AlN单晶生长装置及方法。装置包括用于放置烧结体原料的坩埚本体、设于坩埚本体顶部的坩埚上盖；坩埚上盖外沿的内径与坩埚本体的外径匹配；坩埚本体包括坩埚内腔和坩埚外腔；坩埚内腔壁上设有n个内腔壁凹口，内腔壁凹口相对于坩埚本体呈中心对称；n为≥2的偶数；坩埚上盖上设有n个上盖凸块，和内腔壁凹口一一对应；通过旋转坩埚上盖带动上盖凸块的转动，使内腔壁凹口被部分遮挡或全部覆盖；内腔壁凹口被上盖凸块全部覆盖时，坩埚内腔和坩埚外腔不联通。优点在于：能够有效调控AlN晶体长晶时的表面过饱和度，从而提高单晶生长成功率及生长效率。
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公开(公告)号：CN119411219A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411598561.6
申请日：2024-11-11
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种晶体生长设备，所述设备包括炉体、坩埚和加热组件；其中，所述炉体包括炉膛，所述坩埚和所述加热组件都设于所述炉膛内；所述加热组件对所述坩埚进行加热；所述加热组件包括第一加热组件和/或第二加热组件，其中，所述第一加热组件针对所述坩埚的底部进行加热；所述第二加热组件针对所述坩埚的侧部进行加热。
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公开(公告)号：CN119392362A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411536490.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化碳/甲烷混合气碳源制备单晶金刚石的方法，本发明提出采用微波等离子体化学气相沉积法，以CH4/CO2混合气为碳源，制备出高质量的单晶金刚石，并且显著提高了单晶金刚石生长速率；本发明解决了现有二氧化碳甲烷化转化率不高，转化后输出的二氧化碳/甲烷混合气体无法直接转变为高价值单晶金刚石的问题，该方法对于二氧化碳转化为金刚石具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119371224A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411957499.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种利用熔盐法制备的多孔碳化钽及其制备方法与应用，结合熔融盐和固相烧结法，首先利用过量熔融钽前驱体粉末（例如氧化钽等）来使多孔碳基材料（例如多孔石墨）金属化形成多孔钽；随后钽原子热运动扩散渗透到石墨等碳材料的晶格中，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽，但内部会有部分碳芯；最后在热处理炉中进行除碳，得到高纯、高孔隙率的多孔碳化钽。与现有技术相比，本发明制造的多孔碳化钽耐腐蚀性更强，可再生使用，孔隙率更高且无空隙堵塞现象的发生。
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