公开(公告)号：JP2017098511A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015232371

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L21/76 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H02M7/48 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/085 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/432 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175

Abstract: 【課題】窒化物半導体層内に複数のトランジスタ構造を備えた、信頼性の高い窒化物半導体装置を実現する。 【解決手段】窒化物半導体装置100は、導電性基板2と窒化物半導体層12を備えている。窒化物半導体層12は、導電性基板2上に存在する。窒化物半導体層12は、横型の第1トランジスタ構造50aと横型の第2トランジスタ構造50bを含む。導電性基板2は、第1電位制御領域2aと、第1電位制御領域2aに対して独立して電位制御が可能な第2電位制御領域2bを含む。窒化物半導体層12を平面視したときに、第1トランジスタ構造50aが第1電位制御領域2aと重複しており、第2トランジスタ構造50bが第2電位制御領域2bと重複している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021090015A

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：JP2019220625

申请日：2019-12-05

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】JFET領域を有するプレーナゲート構造の窒化物半導体縦型MOSFETに関し、耐圧の確保と低いオン抵抗の両立を図る技術を開示する。 【解決手段】窒化物半導体装置は、n型のドリフト層と、前記ドリフト層の上に設けられているp型の一対のボディ領域と、前記ドリフト層の上であって前記一対のボディ領域のそれぞれとの間に設けられているn型のJFET領域と、絶縁膜を挟んで前記一対のボディ領域と前記JFET領域に対向しているゲート電極と、前記一対のボディ領域のそれぞれについて、前記JFET領域及び前記ドリフト層内であって前記ボディ領域から離間する位置に、上下方向に延びるn型の不純物濃度が高い高濃度領域が配置されていてもよい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6715210B2

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：JP2017083050

申请日：2017-04-19

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2018182197A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017083050

申请日：2017-04-19

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】n型のJFET領域内にp型領域(電界緩和領域)を有するプレーナゲート構造の窒化物半導体装置を低コストで提供する。 【解決手段】半導体装置10は、基板3と、n型の窒化物半導体層4と、ゲート電極8と、p型の一対のボディ領域5a、5bと、n型のJFET領域7と、p型の一対の電界緩和領域13a、13bを備えている。JFET領域7は、ゲート電極8の下方で一対のボディ領域5a、5bの間に設けられている。一方の電界緩和領域13aは、JFET領域7の一方のボディ領域5a寄りの端に設けられており、他方の電界緩和領域13bはJFET領域7の他方のボディ領域5b寄りの端に設けられている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6263498B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2015103942

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹 ,  長里 喜隆 ,  大川 峰司

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2017174842A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016055705

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  冨田 一義 ,  上田 博之 ,  森 朋彦 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】ヘテロ接合が構成されている半導体装置において、電流コラプス現象を抑制する。 【解決手段】半導体装置100は、半導体層10と、アノード電極16と、カソード電極12と、p型半導体層18を備えている。半導体層10は、第1半導体層6と第2半導体層8を有している。第2半導体層8は、第1半導体層6上に設けられているとともに第1半導体層6よりバンドギャップが広い。アノード電極16は、半導体層10上に設けられており、半導体層10にショットキー接触している。カソード電極12は、アノード電極16から離れて半導体層10上に設けられている。p型半導体層18は、アノード電極16に対して、カソード電極12の反対側で半導体層10上に設けられている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017076658A

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2015202163

申请日：2015-10-13

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】ゲート電流が流れることが抑制された、窒化物半導体装置を実現する。 【解決手段】半導体装置100は、バンドギャップが異なる窒化物半導体層が積層されたヘテロ接合層7と、ヘテロ接合層7上の一部に設けられているp型窒化物半導体層14と、p型窒化物半導体層14上に設けられているポリシリコン層16と、ポリシリコン層16上に設けられているゲート電極18を備えている。ポリシリコン層16は、不純物を含んでいる。また、ポリシリコン層16は、p型窒化物半導体層14より高抵抗である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016219632A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015103942

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹 ,  長里 喜隆 ,  大川 峰司

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/872 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L21/762 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】窒化物半導体基板に搭載されている半導体素子の温度をより正確に検出することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置10は、温度センサ94を有する。温度センサ94が、p型抵抗層50と、P型抵抗層50を介して間に電流を流すことができるように配置されている第1センス電極51と第2センス電極52を有する。窒化物半導体層であるP型抵抗層50の電気抵抗は、温度によって変化する。第1センス電極51と第2センス電極52の間に電流を流すことで、温度を検出する。 【選択図】図1

Abstract translation: 能够检测半导体元件的温度的半导体装置更精确地安装在所述氮化物半导体基板上。 一种半导体装置10具有温度传感器94。 温度传感器94具有p型电阻层50，第一感测电极51和被布置为能够通过在P型电阻层50中流动之间的电流的第二感测电极52。 在P型电阻层50的电阻为一个氮化物半导体层随温度变化。 通过使第二感测电极52的第一感测电极51之间的电流，以检测温度。 点域1

公开(公告)号：JP6844482B2

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：JP2017184792

申请日：2017-09-26

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 森 朋彦 ,  上田 博之 ,  樹神 雅人 ,  長里 喜隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2019057589A

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：JP2017180607

申请日：2017-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： 櫛田 知義 ,  長里 喜隆 ,  岩田 直高 ,  榊 裕之

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有するダイオードにおいて、半導体積層体の2次元正孔ガス層とn型半導体領域の間の電界集中を緩和する技術を提供する。 【解決手段】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有するダイオード1であって、2次元正孔ガス層(2DHG)とn型半導体領域104は、第1絶縁性領域202によって直接的に接しないように構成されている。 【選択図】図1