公开(公告)号：JP5686109B2

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：JP2012055325

申请日：2012-03-13

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 千葉　隆 ,  隆 千葉 ,  木村　徹 ,  徹 木村 ,  宇高　友広 ,  友広 宇高 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川 ,  宏和 榊原 ,  宏和 榊原 ,  寛 堂河内 ,  寛 堂河内

IPC: C08F220/26 ,  C08F212/14 ,  C08F220/06 ,  C08F220/54 ,  C08F228/02 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/38 ,  C08F228/00 ,  G03F7/2041

公开(公告)号：JPWO2012008546A1

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：JP2012524594

申请日：2011-07-14

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 友洋 柿澤 ,  友洋 柿澤 ,  峰規 川上 ,  峰規 川上 ,  孝和 木元 ,  孝和 木元 ,  希佳 田中 ,  希佳 田中 ,  岳彦 成岡 ,  岳彦 成岡 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F2220/1841 ,  C08F2220/1875 ,  G03F7/2041 ,  C08F2220/1883 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/283 ,  C08F220/22

Abstract: 本発明の感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体(A)、及び、感放射線性酸発生剤(B)を含有する。【化1】

公开(公告)号：JPWO2010029982A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：JP2010528755

申请日：2009-09-10

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  恭彦 松田 ,  恭彦 松田 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川 ,  友久 藤澤 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  ゆかり 濱 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、感度、解像度、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本性能に優れており、且つ液浸露光の際にウォーターマーク欠陥及びバブル欠陥を抑制できる十分なレジスト膜表面の撥水性を発現する感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位を含み、且つフッ素原子を含有する繰り返し単位を含まない樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤(B)と、酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位、及びフッ素原子を含有する繰り返し単位を含むフッ素含有樹脂(C)と、ラクトン化合物(D)と、を含有し、ラクトン化合物(D)の含有量が、樹脂(A)を100質量部とした場合に、31〜200質量部である。

公开(公告)号：JPWO2005069076A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：JP2005517066

申请日：2005-01-14

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 木村　徹 ,  徹 木村 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  宇高　友広 ,  友広 宇高 ,  根本　宏明 ,  宏明 根本 ,  中村　敦 ,  敦 中村 ,  千葉　隆 ,  隆 千葉 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  C08F214/182 ,  C08F214/186 ,  C08F216/10 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  G03F7/11 ,  C08F220/06 ,  C08F2222/1013

Abstract: 【課題】 248nm(KrF)および193nm(ArF)の露光波長での十分な透過性と、フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。【解決手段】レンズとフォトレジスト膜との間に水を介して放射線照射する液浸露光装置を用いるときに、上記フォトレジスト膜に被覆される組成物であって、この組成物は、放射線照射時に水に安定な膜を形成し、その後の現像液に溶解する樹脂と、炭素数6以下の1価アルコールを含む溶媒とからなり、特に上記樹脂が、少なくともα位にフルオロアルキル基を有するアルコール性水酸基をその側鎖に有する樹脂成分を含む。

公开(公告)号：JP4896765B2

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：JP2007040986

申请日：2007-02-21

Applicant: Jsr株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： 克憲 一野 ,  大樹 中川 ,  智弘 井関 ,  孝介 吉原 ,  基之 島

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/162

公开(公告)号：JP5360065B2

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：JP2010528755

申请日：2009-09-10

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 幸生 西村 ,  恭彦 松田 ,  大樹 中川 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/22 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: A radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, but does not include a fluorine-containing repeating unit, (B) a photoacid generator, (C) a fluorine-containing resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, and a fluorine-containing repeating unit, and (D) a lactone compound, the content of the lactone compound (D) in the composition being 31 to 200 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin (A). A resist pattern-forming method utilizes the radiation-sensitive resin composition. The radiation-sensitive resin composition produces an excellent pattern shape, exhibits excellent basic resist performance (e.g., sensitivity, resolution, LWR, development defect resistance, and pattern collapse resistance), and produces a resist film having a sufficiently water-repellent surface that suppresses watermark defects and bubble defects during liquid immersion lithography.

公开(公告)号：JP5103904B2

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：JP2006537763

申请日：2005-09-28

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 隆 千葉 ,  徹 木村 ,  友広 宇高 ,  大樹 中川 ,  宏和 榊原 ,  寛 堂河内

IPC: C08F220/10 ,  C08F228/02 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/38 ,  C08F228/00 ,  G03F7/2041

公开(公告)号：JP4742685B2

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：JP2005163537

申请日：2005-06-03

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 大樹 中川 ,  隆 千葉 ,  寛 堂河内 ,  友広 宇高 ,  誠 杉浦

IPC: C08F220/26 ,  C08F220/22 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4600289B2

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：JP2005517066

申请日：2005-01-14

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 大樹 中川 ,  敦 中村 ,  隆 千葉 ,  友広 宇高 ,  徹 木村 ,  宏明 根本 ,  幸生 西村

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  C08F214/182 ,  C08F214/186 ,  C08F216/10 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  G03F7/11 ,  C08F220/06 ,  C08F2222/1013

公开(公告)号：JP4600112B2

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：JP2005085133

申请日：2005-03-24

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 大樹 中川 ,  隆 千葉 ,  寛 堂河内 ,  友広 宇高 ,  徹 木村

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027