公开(公告)号：JPWO2013146532A1

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：JP2014507795

申请日：2013-03-21

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 信也 峯岸 ,  信也 峯岸 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  雅史 堀 ,  雅史 堀 ,  吉田　昌史 ,  昌史 吉田 ,  光央 佐藤 ,  光央 佐藤 ,  憲彦 池田 ,  憲彦 池田

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明は、[A]下記式(1)で表される構造単位を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する液浸露光用感放射線性樹脂組成物である。下記式(1)中、R1は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。R2は、単結合、炭素数1〜20の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基、又はこれらのうちの1種若しくは2種以上と−O−とを組み合わせた基である。R3は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。RAは、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。

Abstract translation: 本发明是[A]的聚合物，[B]一种感觉为含有具有由下述式（1）表示的结构单元的放射线酸产生液浸曝光的辐射敏感树脂组合物。 在下面的式（1）中，R 1是一价有机基团氢原子或C 1-20。 R 2表示单键，碳原子数1〜20的具有3至20个碳原子，或一个或多个其中，二价脂环式烃基的二价链烃基 - 是与O-结合的基团。 R3是一价有机基氢原子或C 1-20。 RA是单价有机基团氢原子或C 1-20。

公开(公告)号：JPWO2013047528A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：JP2013536304

申请日：2012-09-25

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  憲彦 池田 ,  憲彦 池田

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明は、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及び[B]酸発生体を含有し、上記[B]酸発生体から発生する酸のファンデルワールス体積が、2.1?10−28m3以上であるフォトレジスト組成物である。式(1)中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基若しくは炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はR2及びR3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される炭素数3〜20の環構造を表す。R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1〜20の1価の有機基であるか、又はR4及びR5が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される炭素数3〜20の環構造を表す。nは、1〜4の整数である。【選択図】なし

Abstract translation: 本发明中，[A]具有由下式（1）表示的结构单元（I）的聚合物，并且包含[B]酸产生剂，从[B]酸性发生器风扇产生的酸 Deruwarusu体积，光致抗蚀剂组合物是2.1？10-28m3以上。 其中（1）中，R1是氢原子，氟原子，甲基或三氟甲基。 R2和R3各自独立地为氢原子，氟原子，或为羟基的单价有机基团或碳原子数1〜20，或配置一起与R 2和R 3结合它们彼此结合的碳原子 它是3至20个碳原子的环结构的代表。 R4和R5各自独立地为单价有机基团的氢原子或1〜20个碳原子，或R4和R5结合与该碳原子构成的碳数3一起形成它们所连接至彼此 代表20的环结构。 n为1〜4的整数。 系统技术领域

公开(公告)号：JP5660037B2

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：JP2011514394

申请日：2010-05-14

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 研 丸山 ,  研 丸山 ,  晃太 西野 ,  晃太 西野 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  宏和 榊原 ,  宏和 榊原

IPC: G03F7/039 ,  C07C65/05 ,  C07C65/10 ,  C08F212/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/36 ,  G03F7/004

CPC classification number: C07C65/10 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F212/14 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08F2220/1891 ,  C08F220/18

公开(公告)号：JPWO2012133595A1

公开(公告)日：2014-07-28

申请号：JP2013507703

申请日：2012-03-28

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 浩光 中島 ,  浩光 中島 ,  木村　徹 ,  徹 木村 ,  裕介 浅野 ,  裕介 浅野 ,  雅史 堀 ,  雅史 堀 ,  木村　礼子 ,  礼子 木村 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  拡 宮田 ,  拡 宮田 ,  吉田　昌史 ,  昌史 吉田

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0041 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/283 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274

Abstract: 本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に表面自由エネルギーが30mN/m以上40mN/m以下のレジスト膜を形成する工程、(2)マスクを介した放射線照射により、上記レジスト膜を露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法である。上記工程(2)における露光を、上記レジスト膜上に液浸露光液を配置し、この液浸露光液を介して行うことが好ましい。上記感放射線性樹脂組成物は、[A]フッ素原子含有重合体、及び[C]酸発生体を含有することが好ましい。

公开(公告)号：JPWO2012043684A1

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：JP2012536529

申请日：2011-09-28

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  浩光 中島 ,  浩光 中島 ,  雅史 堀 ,  雅史 堀 ,  吉田　昌史 ,  昌史 吉田

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/004 ,  C07D307/93 ,  C07D493/18 ,  C08F220/20 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275

Abstract: 本発明の目的は、感度等の基本特性だけではなく、MEEF性能、焦点深度、LRW、CDUをも十分に満足するレジスト膜形成用の感放射線性樹脂組成物を提供することである。本発明は、(1)基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、(2)上記レジスト膜に露光する露光工程、(3)露光した上記レジスト膜を110℃以上にならない温度で加熱する加熱工程、及び(4)加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程を有するパターン形成方法におけるレジスト膜形成用感放射線性樹脂組成物であって、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)及び下記式(2)で表される構造単位(II)を有する重合体を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物である。

公开(公告)号：JPWO2010134477A1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：JP2011514394

申请日：2010-05-14

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 研 丸山 ,  研 丸山 ,  晃太 西野 ,  晃太 西野 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  宏和 榊原 ,  宏和 榊原

IPC: G03F7/039 ,  C07C65/05 ,  C07C65/10 ,  C08F212/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/36 ,  G03F7/004

CPC classification number: C07C65/10 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F212/14 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08F2220/1891 ,  C08F220/18

Abstract: (A)酸解離性基含有樹脂と、(C)一般式(1)で表される化合物(一般式(1)中、Z−は、一般式(2)で表される一価のアニオンを示す。M+は、一価のオニウムカチオンを示す。)と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。(一般式(2)中、R1は、フッ素原子で置換若しくは非置換の炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を示す。nは、1又は2を示す。)

公开(公告)号：JPWO2009142182A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：JP2010513014

申请日：2009-05-18

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 岳彦 成岡 ,  岳彦 成岡 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川 ,  宏和 榊原 ,  宏和 榊原 ,  誠 杉浦 ,  誠 杉浦 ,  下川　努 ,  努 下川 ,  誠 志水 ,  誠 志水 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  信司 松村 ,  信司 松村 ,  裕介 浅野 ,  裕介 浅野

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C69/96 ,  C08F220/24 ,  C08F220/30 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明の目的は、液浸露光時に接触する液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、液浸露光用液体との後退接触角が大きく、現像欠陥が少なく、且つ微細なレジストパターンを高精度に形成することが可能なレジスト膜を形成し得る感放射線性樹脂組成物等を提供することである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法において、レジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、樹脂成分と、酸発生剤と、溶剤とを含有しており、この樹脂成分は、側鎖にフッ素原子と酸解離性基とを有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂(A1)を含み、且つ、前記樹脂組成物は、K1=F1/F2(式中、F1はレジスト膜の最表面付近におけるフッ素含有率を示し、F2はレジスト膜の最表面側から膜厚の20%付近におけるフッ素含有率を示す。)で定義されるK1の値が、1≦K1≦5を満たす。

公开(公告)号：JP5515449B2

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：JP2009149002

申请日：2009-06-23

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 一憲 草開 ,  峰規 川上 ,  芳史 大泉 ,  岳彦 成岡 ,  香織 酒井 ,  裕介 浅野 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition which is a material of a resist film that obtains a good pattern shape, has excellent depth of focus, prevents elution into a liquid for liquid immersion exposure, such as water, ensures a large receding contact angle to the liquid for liquid immersion exposure, and prevents development defects, and to provide a polymer to be used as a resin component of the radiation-sensitive resin composition, and a resist pattern forming method using the radiation-sensitive resin composition.SOLUTION: In the invention, a plurality of fluorine atom-containing polymers are used at the same time. The radiation-sensitive resin composition comprises a fluorine atom-containing polymer (A1) which, under the following conditions, dissolves in a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23°C at a dissolution rate of

公开(公告)号：JP5360065B2

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：JP2010528755

申请日：2009-09-10

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 幸生 西村 ,  恭彦 松田 ,  大樹 中川 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/22 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: A radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, but does not include a fluorine-containing repeating unit, (B) a photoacid generator, (C) a fluorine-containing resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, and a fluorine-containing repeating unit, and (D) a lactone compound, the content of the lactone compound (D) in the composition being 31 to 200 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin (A). A resist pattern-forming method utilizes the radiation-sensitive resin composition. The radiation-sensitive resin composition produces an excellent pattern shape, exhibits excellent basic resist performance (e.g., sensitivity, resolution, LWR, development defect resistance, and pattern collapse resistance), and produces a resist film having a sufficiently water-repellent surface that suppresses watermark defects and bubble defects during liquid immersion lithography.

公开(公告)号：JP5481979B2

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：JP2009167220

申请日：2009-07-15

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 一樹 笠原 ,  宏和 榊原 ,  岳彦 成岡

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/12 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

Abstract: A radiation-sensitive resin composition includes a solvent and a polymer. The polymer includes a first repeating unit shown by a general formula (1) in which R1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, and Z represents a monovalent group that generates an acid upon exposure to radiation.