公开(公告)号：JP2018064125A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2018010604

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社ソシオネクスト

Inventor： 新保 宏幸

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11807 ,  H01L27/1211 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】フィン型トランジスタを用いたスタンダードセルを備えた半導体集積回路装置において、フィンの終端部の細りの影響を抑制する。 【解決手段】スタンダードセル1は、第1方向に延びるフィン11を有する。第1方向と垂直をなす第2方向に延びており、フィン11上に設けられたゲート配線12と、フィン11とによって、アクティブトランジスタN1が構成されている。フィン11と、ゲート配線12と並列に設けられたダミーゲート配線14とによって、アクティブトランジスタN1とソースまたはドレインの一方のノードを共有しているダミートランジスタD1が構成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018061010A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2017161492

申请日：2017-08-24

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： ソーレンセン,トロイ アール. ,  アクタル,モハッド カムラン

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11548

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 【課題】半導体デバイス構造を形成する方法を提供する。 【解決手段】半導体デバイス構造100は、犠牲構造106と犠牲構造に縦方向に隣接する絶縁構造108とを独立的に各々が含む階層を含むスタック構造104を基板102の上に形成することを含む。マスキング構造114がスタック構造の部分の上に形成される。フォトレジスト116がマスキング構造の上、かつ、マスキング構造によって覆われていないスタック構造の追加の部分の上に形成される。階段ステップ構造120を形成するために、フォトレジストの部分ならびに、マスキング構造及びフォトレジストの残りの部分のうちの1つまたはそれより多くによって覆われていないスタック構造の部分を選択的に除去するための一連の材料除去処理をフォトレジストとスタック構造が受けさせられる。 【選択図】図1F

公开(公告)号：JP6301551B1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2017509791

申请日：2016-09-30

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 小谷 涼平 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  三川 雅人 ,  押野 浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866 ,  H01L29/41 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

Abstract: 【課題】過電圧保護ダイオードの耐圧変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域B上に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上に交互に隣接配置されたN型半導体層5aとP型半導体層5bを有する過電圧保護ダイオード5と、絶縁膜4上に形成され、過電圧保護ダイオード5に電気的に接続された導体部6,7,8,9と、過電圧保護ダイオード5および導体部6,7,8,9を被覆する絶縁膜15と、絶縁膜15を介して過電圧保護ダイオード5の上方に設けられた高電位部17と、を備え、P型半導体層5bのP型不純物濃度は、N型半導体層5aのN型不純物濃度より低く、高電位部17は、逆バイアス印加状態において、高電位部17の直下に位置するP型半導体層5bの電位よりも高い電位を有するように構成されている。

公开(公告)号：JP2018045756A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2017202503

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  加藤 清

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G11C5/14 ,  G11C11/56 ,  H01L21/768 ,  G11C11/4074

CPC classification number: G11C7/10 ,  G11C5/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C11/24 ,  G11C11/4097 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/28 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート 電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第 2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジ スタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトラ ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018507546A

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：JP2017538193

申请日：2016-01-20

Applicant: クゥアルコム・インコーポレイテッド ,  QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： シュ、ジェフレイ・ジュンハオ ,  バオ、ジュンジン ,  ジュ、ジョン・ジャンホン ,  ソン、スタンレー・スンチョル ,  モジュムデル、ニラドリ・ナラヤン ,  ヤップ、チョ・フェイ

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53223 ,  B29C64/386 ,  B29C67/0088 ,  B33Y50/02 ,  G05B19/418 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53219 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 集積回路デバイスは、アルミニウムを含む第1の金属層を含む。集積回路デバイスは、インターコネクト構造を含む第2の金属層を含む。インターコネクト構造は、アルミニウムを含む第1の材料の層を含む。集積回路デバイスは、アルミニウムを含む相互拡散層を含む。相互拡散層は、第1の金属層に近接し、かつアルミニウムを含む第1の材料の層に近接している。集積回路デバイスは、アルミニウムを含む自己形成バリア層を含む。自己形成バリア層は、誘電体層に近接し、かつアルミニウムを含む第1の材料の層に近接している。

公开(公告)号：JP6291359B2

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2014116435

申请日：2014-06-05

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 佐藤 啓之 ,  中柴 康隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L23/528 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6289567B2

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：JP2016171635

申请日：2016-09-02

Applicant: テラ イノヴェイションズ インク

Inventor： ベッカー、スコット、ティー. ,  スメイリング、マイケル、シー.

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11807 ,  G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11803 ,  H01L2027/1182 ,  H01L2027/11866 ,  H01L2027/11874 ,  H01L2027/11888 ,  Y02P90/265

公开(公告)号：JP6286292B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2014127706

申请日：2014-06-20

Applicant: 株式会社フローディア

Inventor： 谷口 泰弘 ,  川嶋 泰彦 ,  葛西 秀男 ,  品川 裕 ,  櫻井 良多郎 ,  奥山 幸祐

IPC: H01L27/11558 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11521

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1087

公开(公告)号：JP2018008458A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2016139695

申请日：2016-07-14

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 高木 誠

IPC: B41J2/14

CPC classification number: B41J2/04541 ,  B41J2/04548 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/04581 ,  B41J2/04586 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922

Abstract: 【課題】吐出素子に供給する電圧のばらつきを低減しながら、配線や端子部のレイアウトの制約を緩和ことができる半導体装置を提供する。 【解決手段】液体を吐出するための吐出素子101と、吐出素子を駆動するための駆動部102と、をそれぞれ有する複数の吐出ユニットUNITと、複数の吐出ユニットのそれぞれに配線を介して電源を供給するための端子部Tと、を含み、複数の吐出ユニットは、第1吐出ユニットと第2吐出ユニットとを含み、第1吐出ユニットは、吐出素子のうち第1吐出素子と、駆動部のうち第1駆動部と、を有し、第2吐出ユニットは、吐出素子のうち第2吐出素子と、駆動部のうち第2駆動部と、を有し、端子部から第1吐出ユニットまでの電流経路の長さは、端子部から前記第2吐出ユニットまでの電流経路の長さよりも大きく、第1駆動部の抵抗は、第2駆動部の抵抗よりも小さい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6238234B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2014115133

申请日：2014-06-03

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 徳光 成太

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/082 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087