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公开(公告)号:JP2015165653A
公开(公告)日:2015-09-17
申请号:JP2015016958
申请日:2015-01-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H03K19/173
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/785
Abstract: 【課題】消費電力の低減、回路の縮小が図られた、新規な構成の半導体装置を提供する。 【解決手段】 コンフィギュレーションメモリ内のパストランジスタにおいて、コンフィギュレーション動作を開始すると、信号パスノードへのHレベルの電位の供給を停止させた後、そして信号パスノードをLレベルの電位として、パストランジスタのゲートであるメモリ電位保持ノードに、コンフィギュレーションデータを与え、そしてコンフィギュレーション動作完了後に、信号パスノードへのHレベルの電位の供給を再開することで、パストランジスタとメモリ電位保持ノードの間で容量結合を発生させ、パストランジスタのゲート電位を上昇させることでブースティング効果が得られる半導体装置とする。該構成とすることで、キーパー回路が不要となり、消費電力の低減、回路面積の縮小を図ることができる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种具有新型组成的半导体器件,其实现功率消耗的降低和电路的小型化。解决方案:在半导体器件中,当在配置存储器中的通过晶体管中开始配置操作时, 向信号通过节点提供H电平电位,随后将信号通过节点设置为L电平电位,并将配置数据提供给作为通过晶体管的栅极的存储电位保持节点 ,并且在完成配置操作之后,通过恢复对信号通过节点的H电平电位的供给,并且通过晶体管和存储电位保持节点的栅极电位的增加,在通过晶体管和存储电位保持节点之间产生电容耦合, 晶体管提供了增强效果。 利用这种配置,不需要保持器电路,并且可以实现功耗的降低和电路面积的减小。
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公开(公告)号:JP5701425B2
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:JP2014093240
申请日:2014-04-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G06F3/1423 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14 , G09G3/344
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公开(公告)号:JPWO2019211697A1
公开(公告)日:2021-06-17
申请号:JPIB2019053299
申请日:2019-04-22
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G11C11/4074 , G11C11/405 , G11C5/14 , G06F12/0893
Abstract: 記憶装置の各階層の記憶領域の変更が可能な半導体装置を提供する。第1および第2記憶回路を有する記憶装置と、制御回路と、を有する半導体装置で、第1記憶回路は、第1容量素子と、第1容量素子に保持される電荷を保持する機能を有する第1トランジスタと、を有し、第2記憶回路は、第2トランジスタと、前記第2トランジスタのゲートに電気的に接続された第2容量素子と、第2容量素子に保持される電荷を保持する機能を有する第3トランジスタと、を有する。第1および第3トランジスタは、酸化物半導体を有する半導体層と、ゲートと、バックゲートと、を有する。第1又は第3トランジスタバックゲートに印加される電圧を調整することによって、第1又は第2記憶回路のそれぞれの記憶領域を変更する。
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公开(公告)号:JP6838911B2
公开(公告)日:2021-03-03
申请号:JP2016189862
申请日:2016-09-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/3233 , G02F1/133 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09G3/20
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公开(公告)号:JP6806846B2
公开(公告)日:2021-01-06
申请号:JP2019108852
申请日:2019-06-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮口 厚
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F1/1671 , G02F1/16757 , G02F1/16766 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , G09F9/30
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公开(公告)号:JP2020201495A
公开(公告)日:2020-12-17
申请号:JP2020131709
申请日:2020-08-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , H05B33/02 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する表示装 置を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した表示装置を提供すること を目的の一とする。 【解決手段】第1の板及び第2の板と、第1の可撓性基板と、表示部と、第2の可撓性基 板と、第3の板及び第4の板と、を有し、表示部は、トランジスタを有し、第1の板と、 第2の板とは離間して設けられ、第3の板と、第4の板とは離間して設けられ、第1の板 と第2の板との間は、第3の板と第4の板との間と重なる領域を有し、表示部は、第1の 板と第2の板との間で折り曲がる機能を有し、表示部は、第1の方向に沿って折り曲がる 機能を有する表示装置である。 【選択図】図9
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公开(公告)号:JP2020195138A
公开(公告)日:2020-12-03
申请号:JP2020121801
申请日:2020-07-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H03K17/687 , G09G3/36 , G09G3/20 , G09G3/30 , G09G3/3233 , G02F1/133 , H01L29/786 , H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/096
Abstract: 【課題】新規な構成の半導体装置を提供すること。消費電力が低減された半導体装置を提 供すること。 【解決手段】ゲートとバックゲートとを有するトランジスタにおいて、第1の状態ではゲ ートとバックゲートの双方に入力端子からの信号を与え、第2の状態ではゲートのみに入 力端子からの信号を与えるための回路を設ける構成とする。当該構成とすることで、トラ ンジスタの電流供給能力を動作毎に切り替えることができ、バックゲートに電荷を充電す る分の消費電力を低減することができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6580773B2
公开(公告)日:2019-09-25
申请号:JP2018220888
申请日:2018-11-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01M2/10 , H01M10/0585 , H01M10/0562 , H01M2/20 , H01M10/052 , G01R29/08
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公开(公告)号:JP2019117882A
公开(公告)日:2019-07-18
申请号:JP2017251809
申请日:2017-12-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 【課題】大電力向けのパワーデバイスとして用いられる半導体装置に酸化物半導体を用い、高い耐圧と、高い耐熱性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体を用いた縦型トランジスタをパワーデバイスのスイッチング素子として利用する。FETを積層することで専有面積を増加させることなく、高い耐圧性と耐熱性を有する半導体装置を実現できる。さらに、4価となり得る金属元素を酸化物半導体に添加することで、大電流を流せるようになり、消費電力が低下し、耐熱性が向上する。 【選択図】図3
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