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    半導体装置
    74.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015167218A

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：JP2014098360

    申请日：2014-05-12

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 加藤 清 ,  大貫 達也

    IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L29/786 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C11/412 ,  H01L21/8244

    CPC分类号： H01L27/11563 ,  G11C11/005 ,  G11C14/0054 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1225 ,  G11C11/412 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1156

    摘要： 【課題】素子の微細化を進めてもデータの保持に必要な保持容量を確保できる、新規な構成の半導体装置を提供する。 【解決手段】容量素子を構成する電極をトランジスタのゲートとなる電極と、ソースおよびドレインとなる電極と、同層に設けられた電極で構成する。そして、トランジスタのゲートとなる電極を設ける層と、複数のメモリ間のトランジスタのゲートを接続する配線層と、を別の層に設ける構成とする。該構成により、トランジスタのゲートに形成される寄生容量を抑制する構成とすることができる。またトランジスタのゲートとなる電極を設ける層を、複数のメモリ間のトランジスタのゲートを接続する配線層と、別の層に設けることができるため、その分容量素子を形成する面積を増加させることができる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种新颖的组合物的半导体器件，其即使在元件的小型化进行时也可以确保保持数据所需的保持容量。解决方案：在半导体器件中，构成电容元件的电极由提供的电极组成 在与作为晶体管的栅极的电极层和作为源极和漏极的电极相同的层中，并且设置作为晶体管的栅极的电极的层和用于连接栅极的布线层 的多个存储器中的晶体管设置在不同的层中。 利用这种结构，可以实现抑制晶体管栅极中形成的寄生电容的组合物。 此外，由于设置有作为晶体管的栅极的电极的层可以设置在与用于连接多个存储器中的晶体管的栅极的布线层不同的层中，用于形成电容元件的区域可以 增加一个备用区。

    半導体装置
    75.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015130517A

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：JP2015030191

    申请日：2015-02-19

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 松嵜 隆徳 ,  加藤 清

    IPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8242

    CPC分类号： G11C11/404 ,  G11C11/403

    摘要： 【課題】半導体装置の駆動方法を提供する。 【解決手段】ビット線と、選択線と、選択トランジスタと、m(mは2以上の自然数)本 の書き込みワード線と、m本の読み出しワード線と、ソース線と、第1乃至mのメモリセ ルと、を有する半導体装置において、メモリセルは、第1のトランジスタ、容量素子に蓄 積された電荷を保持する第2のトランジスタを含み、第2のトランジスタは酸化物半導体 層で形成されるチャネルを有する。上記構成の半導体装置の駆動方法において、メモリセ ルに書き込みを行う場合、第1のトランジスタを導通させて第1のソース端子または第1 のドレイン端子を固定電位とし、容量素子に安定した電位の書き込みを行う。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件的驱动方法。解决方案：在包括位线，选择线，选择晶体管的m（m是等于或大于2的自然数）的半导体器件中，写入字 线，m行读取字线，源极线和第一至第m存储器单元，每个存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，其保持蓄积在电容器中的电荷。 第二晶体管包括形成在氧化物半导体层中的沟道。 在具有上述结构的半导体器件的驱动方法中，当执行对存储单元的写入时，第一晶体管导通，使得第一源极端子或第一漏极端子被设定为固定电位; 因此，电位稳定地写入电容器。

    半導体装置
    80.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020079539A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：JPIB2019058629

    申请日：2019-10-10

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 大貫 達也 ,  八窪 裕人 ,  加藤 清 ,  齋藤 聖矢

    IPC分类号： H03K17/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H03M1/12

    摘要： 新規な構成の半導体装置を提供すること。センサと、センサのセンサ信号が入力されるアンプ回路と、アンプの出力信号が入力され、当該出力信号に応じた電圧を保持するサンプルホールド回路と、電圧に応じたサンプルホールド回路の出力信号が入力されるアナログデジタル変換回路と、インターフェース回路と、を有する。インターフェース回路は、センサ信号をアンプ回路に入力し、アンプ回路の出力信号をサンプルホールド回路に保持する第1の制御期間と、サンプルホールド回路に保持した電圧をアナログデジタル変換回路に出力して得られるデジタル信号をインターフェース回路に出力する第2の制御期間と、を切り替えて制御する機能を有する。アナログデジタル変換回路は、第1の制御期間において、デジタル信号の出力を停止するよう切り替えられる。第1の制御期間は、第2の制御期間より長い。