-
公开(公告)号：JP2012074699A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2011208268
申请日：2011-09-24
发明人： QIN WEI , JOHN W BRUNNER , PAUL A REID
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a wire bond using a wire bonding machine.SOLUTION: A formation method of a wire bond comprises: a step 300 of selecting at least one target bonding control value; a step 302 of generating bonding parameters for forming the wire bond using an algorithm and the at least one target bonding control value; a step 304 of forming the wire bond using the generated bonding parameters; a step 306 of determining whether the at least one selected target bonding control value of the formed wire bond is within a predetermined allowable range of the at least one selected target bonding control value; and a step 310 of adjusting at least one bonding adjustment value if the at least one selected target bonding control value of the formed wire bond is not within the predetermined allowable range.
摘要翻译： 要解决的问题：提供使用引线接合机形成引线接合的方法。 线接合的形成方法包括：选择至少一个目标结合控制值的步骤300; 使用算法和所述至少一个目标结合控制值生成用于形成所述引线接合的接合参数的步骤302; 使用所生成的接合参数形成引线接合的步骤304; 确定所形成的引线键合的至少一个所选择的目标结合控制值是否在所述至少一个所选择的目标结合控制值的预定允许范围内的步骤306; 以及如果形成的线接合的至少一个所选择的目标结合控制值不在预定的允许范围内，则调整至少一个接合调整值的步骤310。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
-
公开(公告)号：JP2017092464A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016214727
申请日：2016-11-02
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/78 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/78001 , H01L2224/78901 , H01L2224/85181 , H01L2224/859 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 【課題】ワイヤーボンディング操作中に、オーバーハングダイ(張り出したダイ)の適用に伴って使用されるワイヤーボンディング・プログラム・パラメータを決定する方法、ワイヤーボンドの形成中、ボンディング位置に適用する最大接合力を決定する方法およびワイヤーボンド形成のためのZ軸定速プロファイルを決定する方法を提供する。【解決手段】ワイヤーボンディング操作中に複数のボンディング位置に適用されるZ軸力プロファイルを提供する方法は、少なくとも1つの基準半導体装置の支持されていない部分における前記複数のボンディング位置の各ボンディング位置についてZ軸力プロファイルを決定する工程と、対象とされる半導体装置の後続ボンディング中に前記Z軸力プロファイルを適用する工程とを含む。【選択図】図6
-
公开(公告)号：JP2007294975A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：JP2007116269
申请日：2007-04-26
发明人： GILLOTTI GARY S , MAK STEVEN , FRASCH E WALTER
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： B23K20/007 , B23K35/38 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/78703 , H01L2224/85045 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for reducing oxidation in wire bonding. SOLUTION: A wire bonding apparatus is provided. More specifically, the system relates to the delivery of a cover gas to a bond site region of the wire bonding apparatus. That is, this wire bonding apparatus includes the bond site region which holds a semiconductor element during wire bonding operation, and a gas supply line which is configured to supply the gas to the bond site region from its upper side. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种减少引线接合中的氧化的方法和设备。 解决方案：提供一种引线接合装置。 更具体地，该系统涉及将覆盖气体输送到引线接合装置的接合位置区域。 也就是说，该引线接合装置包括在引线接合操作期间保持半导体元件的接合位置区域，以及气体供给管线，其构造成从其上侧向粘合位置区域供给气体。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
-
4.发明专利Method of reducing and removing wire sweep in semiconductor device of multilayer bonding structure and device manufactured by the same method 审中-公开减少和去除多层结构的半导体器件中的线迹的方法和由该方法制造的器件
公开(公告)号：JP2006032955A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：JP2005202548
申请日：2005-07-12
申请人： Kulicke & Soffa Industries Inc , キューリック・アンド・ソファ・インダストリーズ・インコーポレーテッドKulicke And Soffa Industries,Incorporated
发明人： BATISH RAKESH
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/4556 , H01L2224/45599 , H01L2224/48 , H01L2224/48247 , H01L2224/4899 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85148 , H01L2224/85909 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device with high reliability at low cost. SOLUTION: The method of packaging a multilayer wire bonding semiconductor device includes a step of applying an insulating material by traversing only part of at least two conducting wires of a plurality of conducting wires interconnecting devices at each layer in the multilayer wire bonding semiconductor device. The method also includes the packaging of the semiconductor device by sealing the conducting wires and devices. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译： 要解决的问题：提供以低成本制造高可靠性的半导体器件的方法。 解决方案：多层引线接合半导体器件的封装方法包括通过仅跨越多层导线接合半导体中的每层的多个导线互连器件的至少两根导线的一部分来施加绝缘材料的步骤 设备。 该方法还包括通过密封导线和器件来封装半导体器件。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.013 秒)
