高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
    5.
    发明专利
    高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 审中-公开
    聚合化合物,一种化学放大正性抗蚀剂组合物和图案化工艺

    公开(公告)号:JP2017008181A

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:JP2015124100

    申请日:2015-06-19

    摘要: 【解決手段】一般式(1)で示される繰り返し単位a1を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。 (R 1 は−C(=O)−R 4 、−O−C(=O)−R 4 、又は−C(=O)−O−R 4 であり、R 4 は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又は炭素数2〜4のアルケニル基である。R 2 は水素原子又はメチル基であり、R 3 は酸不安定基である。) 【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超LSI製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、EUV露光用のパターン形成材料等として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 【選択図】なし

    摘要翻译: 包括重复单元的重均分子量A1由通式(1)表示为高分子化合物的范围为1,000至500,000。 (R 1为-C(= O)-R 4,-O-C(= O)-R 4或-C(= O)是-O-R 4,R 4是碳原子数为1〜4的直链或支链的 乔烷基或具有2至4个碳原子.R2是氢原子或甲基基团的烯基,R 3是酸不稳定基团。)的影响,本发明的基础树脂的聚合物化合物 正型抗蚀剂的材料包括碱溶解速度的对比度之前和之后的曝光是显著越高,曝光后的高分辨率,图案轮廓和线边缘粗糙度良好,而且,尤其是抑制酸扩散速率 它表现出优异的耐蚀刻性。 因此,根据本发明,特别是超大规模LSI的制造或用于光掩模的微细图案形成材料,合适的正抗蚀剂材料作为形成材料,例如用于EUV曝光的图案,它尤其得到了一种化学放大正性抗蚀剂组合物 它可以是。 系统技术领域

    レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
    6.
    发明专利
    レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 审中-公开
    耐蚀组合物及其制造方法

    公开(公告)号:JP2016194691A

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:JP2016068359

    申请日:2016-03-30

    摘要: 【課題】形状が良好で、かつ剥離性に優れたレジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】酸不安定基を有する樹脂、酸発生剤、フェノール性水酸基を2つ以上有する化合物(ただし、樹脂は除く)及び溶剤を含有するレジスト組成物。例えば、酸不安定基を有する樹脂が式(a1−2)で表される構造単位を含む樹脂である。 [式中、R a1' 及びR a2' は、互いに独立に、水素原子又は炭化水素基;R a3’ は炭化水素基を表すか、R a1' が水素原子又は炭化水素基を表し、R a2' 及びR a3' が互いに結合して2価の炭化水素基を表し、これらの炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又は硫黄原子で置き換わってもよい;R a5 は水素原子又はメチル基;R a6 はアルキル基又はアルコキシ基;mxは、0〜4の整数を表す。] 【選択図】なし

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种抗蚀剂组合物,可以从其制备具有良好外形和优异剥离性能的抗蚀剂图案。溶胶:抗蚀剂组合物包含具有酸不稳定基团的树脂,酸产生剂,具有两个 或更多的酚羟基(树脂除外)和溶剂。 具有酸不稳定基团的树脂例如是含有由式(a1-2)表示的结构单元的树脂。 式中,Rand Reach独立地表示氢原子或烃基; 表示烃基; 或R表示氢原子或烃基,并且Rare Rare彼此键合以表示二价烃基,其中包含在这些烃基中的亚甲基可以被氧原子或硫原子代替; R表示氢原子或甲基; R表示烷基或烷氧基; mx表示0〜4的整数