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    レドックスキャパシタ
    4.
    发明专利
    レドックスキャパシタ 有权
    REDOX电容器

    公开(公告)号：JP2015019098A

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：JP2014182055

    申请日：2014-09-08

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

    发明人： KURIKI KAZUKI ,  OGINO KIYOFUMI ,  SAITO YUMIKO ,  SAKATA JUNICHIRO

    IPC分类号： H01G11/56 ,  H01G9/00 ,  H01G11/02 ,  H01G11/46 ,  H01G11/84 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

    CPC分类号： H01G11/02 ,  H01G9/038 ,  H01G9/22 ,  H01G11/28 ,  H01G11/56 ,  H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01G11/84 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L28/40 ,  Y02E60/13

    摘要： 【課題】室温で使用可能なレドックスキャパシタ及びその作製方法を提供する。【解決手段】レドックスキャパシタの電解質として、水素を含む非晶質半導体を用いる。水素を含む非晶質半導体は、非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマニウム、または非晶質ゲルマニウム等の半導体元素を有する。また、水素を含む非晶質半導体には、水素を含む酸化物半導体があり、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ニッケル、酸化バナジウム、または酸化インジウム等の一元系酸化物半導体を有する。また、水素を含む酸化物半導体としては、多元系酸化物半導体があり、InMO3(ZnO)m(m>0、MはAl、Ga、Fe、Ni、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素)がある。【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供在室温下可用的氧化还原电容器，并提供一种制造氧化还原电容器的方法。解决方案：使用含氢的非晶半导体作为氧化还原电容器的电解质。 包含氢的非晶半导体包括诸如非晶硅，非晶硅锗或无定形锗的半导体元件。 含有氢的非晶半导体包括含有氢的氧化物半导体。 包含氢的氧化物半导体包括单组分氧化物半导体，例如氧化锌，氧化钛，氧化镍，氧化钒或氧化铟。 含有氢的氧化物半导体包括含有InMO（ZnO）的多组分氧化物半导体（其中m> 0，M是选自Al，Ga，Fe，Ni，Mn中的一种金属元素或两种或更多种金属元素， Co）。