公开(公告)号：JP2018174337A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018113487

申请日：2018-06-14

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 松倉 英樹

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】素子の一方の電極と同一工程で形成した導電層を有効利用する。 【解決手段】基板100は絶縁表面を有し、絶縁表面上に導電層201を有し、導電層上201に絶縁層300を有し、絶縁層上300に酸化物半導体層301、302を有し、酸化物半導体層301上に導電層401を有し、酸化物半導体層302上に導電層402を有し、酸化物半導体層301上及び酸化物半導体層302上に導電層403を有し、導電層401上、導電層402上、及び導電層403上に絶縁層500を有し、絶縁層500上に導電層601を有し、絶縁層500上に導電層604を有する。導電層201は、酸化物半導体層301と重なる領域を有し、導電層601は、酸化物半導体層301と重なる領域を有する。導電層604は、酸化物半導体層302と重なる領域を有し、導電層601を導電層201と電気的に接続する。 【選択図】図44

公开(公告)号：JP2016139450A

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：JP2016004197

申请日：2016-01-13

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 石津 貴彦 ,  上杉 航 ,  加藤 清 ,  大貫 達也

IPC分类号： G11C11/41 ,  G11C11/412 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L29/786 ,  G11C11/413

CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/418 ,  G11C14/0054 ,  G11C5/148 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G06F2212/221 ,  G11C5/14

摘要： 【課題】新規な構成の半導体装置を提供すること。低消費電力化に優れた半導体装置を提供すること。 【解決手段】記憶したデータを不揮発化できるSRAMをベースとしたメモリセルと、メモリセルの周辺回路とで、パワーゲーティングする状態を異ならせることができる構成とする。極めて短い第1の期間では、ビット線をプリチャージする状態を解除して電気的に浮遊状態とする。第1の期間より長い第2の期間では、メモリセルへのパワーゲーティングを行う。さらに長い第3の期間では、メモリセル及び周辺回路へのパワーゲーティングを行う。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有新颖结构的半导体器件，并提供降低功耗的优异的半导体器件。解决方案：一种基于SRAM的存储单元，其允许存储的数据被脱挥发和存储单元的外围电路是 配置为提供不同的电源门控状态。 在极短的第一周期中，通过取消对位线进行预充电的状态，使位线进入电浮动状态。 在比第一期间长的第二期间，对存储单元进行电力门控。 在比第二时段长的第三时段中，对存储单元和外围电路执行电源门控。图1：图1

公开(公告)号：JP2015167227A

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：JP2015025932

申请日：2015-02-13

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 桃 純平 ,  栗城 和貴 ,  郷戸 宏充 ,  山崎 舜平

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01M10/46 ,  A61N1/378 ,  G06F1/163 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/425 ,  H01M10/613 ,  H01M10/623 ,  H02J7/025 ,  H01M2220/30 ,  H01M2300/0071

摘要： 【課題】回路やバッテリーが効率よく収納された半導体装置を提供する。 【解決手段】第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び二次バッテリーが、1つの基板に設けられた半導体装置である。第2のトランジスタのチャネル領域は酸化物半導体を有する。また、二次バッテリーは固体電解質を有し、半導体製造プロセスで作製することが可能である。なお、基板は半導体基板、または、可撓性基板とすることができる。二次バッテリーは無線によって充電される機能を有する。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种半导体器件，其中电路和电池被有效地容纳。解决方案：公开了一种半导体，其中第一晶体管，第二晶体管和二次电池设置在一个基板上。 第二晶体管的沟道区具有氧化物半导体。 此外，二次电池具有固体电解质，并且可以在半导体制造工艺中制造。 同时，衬底可用作半导体衬底或柔性衬底。 二次电池具有通过无线电充电的功能。

公开(公告)号：JP2015144267A

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：JP2014260058

申请日：2014-12-24

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 宮入 秀和 ,  山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L21/265 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 【課題】微細化に適した半導体装置を提供する。または、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】のトランジスタと、容量素子と、を有し、トランジスタは、半導体層を有し、半導体層は容量素子の上方に位置し、容量素子はトランジスタと電気的に接続する第1の電極を有する半導体装置である。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供适合于小型化的半导体器件; 或提供具有高可靠性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括晶体管和电容元件。 晶体管具有半导体层，并且半导体层位于电容元件上方。 电容元件具有与晶体管电连接的第一电极。

公开(公告)号：JP4873858B2

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：JP2004529137

申请日：2003-08-19

申请人： ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク

发明人： エス イム ジェイムス

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/04 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78651

摘要： A process and system for processing a thin film sample are provided. In particular, a beam generator can be controlled to emit at least one beam pulse. The beam pulse is then masked to produce at least one masked beam pulse, which is used to irradiate at least one portion of the thin film sample. With the at least one masked beam pulse, the portion of the film sample is irradiated with sufficient intensity for such portion to later crystallize. This portion of the film sample is allowed to crystallize so as to be composed of a first area and a second area. Upon the crystallization thereof, the first area includes a first set of grains, and the second area includes a second set of grains whose at least one characteristic is different from at least one characteristic of the second set of grains. The first area surrounds the second area, and is configured to allow an active region of a thin-film transistor ("TFT") to be provided at a distance therefrom.

公开(公告)号：JPWO2010016207A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：JP2010523736

申请日：2009-07-30

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 平野　浩一 ,  浩一 平野 ,  中谷　誠一 ,  誠一 中谷 ,  小川　立夫 ,  立夫 小川 ,  貴志 一柳 ,  貴志 一柳 ,  武 鈴木 ,  武 鈴木

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC分类号： H01L29/78651 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

摘要： 本発明は、フレキシブル半導体装置の製造方法であって、(i)金属箔の上面に絶縁膜を形成する工程、(ii)金属箔の上面に取出し電極パターンを形成する工程、(iii)取出し電極パターンと接するように、絶縁膜の上に半導体層を形成する工程、(iv)半導体層および取出し電極パターンを覆うように、金属箔の上面に封止樹脂層を形成する工程、ならびに、(v)金属箔をエッチングすることによって電極を形成する工程を含んで成り、金属箔を、(i)〜(iv)にて形成される絶縁膜、取出し電極パターン、半導体層および封止樹脂層のための支持体として用いると共に、(v)にて電極の構成材料として用いることを特徴とする。本発明は、支持体である金属箔を最終的に剥離する必要がないので、TFT素子を簡便なプロセスで作製できる。また、支持体に金属箔を用いるので、絶縁膜および半導体層の作製に高温プロセスを導入でき、TFT特性が向上する。

公开(公告)号：JP2008287032A

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：JP2007132172

申请日：2007-05-17

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： KIMURA HAJIME

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/2074 ,  G09G3/342 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0486 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0885 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/066 ,  G09G2320/068 ,  G09G2320/106 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/145 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-quality liquid crystal display device excellent in viewing angle characteristics. SOLUTION: The liquid crystal display device has a pixel including a first switch, a second switch, a third switch that is controlled at a timing different from those of the first switch and second switch, first resistance, second resistance, first liquid crystal device and second liquid crystal device, wherein a pixel electrode of the first liquid crystal device is electrically connected to a signal line through the first switch, the pixel electrode of the first liquid crystal device is electrically connected to a pixel electrode of the second liquid crystal device through the second switch and trough the first resistance, the pixel electrode of the second liquid crystal device is electrically connected to a Cs line through the third switch and through the second resistance, and a common electrode of the first liquid crystal device is electrically connected to a common electrode of the second liquid crystal device. By entering a potential to the signal line according to a grayscale of the pixel, high-quality display with excellent viewing angle characteristics can be obtained. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供视角特性优异的高品质液晶显示装置。 解决方案：液晶显示装置具有包括第一开关，第二开关，与第一开关和第二开关不同的时间控制的第三开关的像素，第一电阻，第二电阻，第一液体 晶体装置和第二液晶装置，其中第一液晶装置的像素电极通过第一开关电连接到信号线，第一液晶装置的像素电极电连接到第二液体的像素电极 晶体装置通过第二开关并且通过第一电阻，第二液晶装置的像素电极通过第三开关和通过第二电阻与Cs线电连接，并且第一液晶装置的公共电极是电 连接到第二液晶装置的公共电极。 通过根据像素的灰阶向信号线输入电位，可以获得具有优异视角特性的高质量显示。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007036032A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：JP2005219093

申请日：2005-07-28

申请人： Seiko Epson Corp ,  セイコーエプソン株式会社

发明人： YUDASAKA KAZUO

IPC分类号： H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78603 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78651

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve nonconductivity between the films of wiring substrates having a multi-wiring structure without making manufacturing processes complicated. SOLUTION: The system is provided with a substrate 101, a first wiring 102 formed on the substrate 101, a second wiring 103, and an insulating film 104 containing an insulative material formed between the first wiring 102 and the second wiring 103. A space 105 is formed between at least a part of the insulating film 104 and the first wiring 102. At least a part of the insulating film 104 is contacted with the first wiring 102, and a part of the second wiring 103 is positioned in the space 105. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：为了改善具有多线结构的布线基板的膜之间的非导电性，而不使制造工艺复杂。 解决方案：该系统设置有基板101，形成在基板101上的第一布线102，第二布线103和包含形成在第一布线102和第二布线103之间的绝缘材料的绝缘膜104。 在绝缘膜104的至少一部分和第一布线102之间形成有空间105.绝缘膜104的至少一部分与第一布线102接触，第二布线103的一部分位于 空间105.版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR20210029339A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020190110194A

申请日：2019-09-05

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 강장미 ,  김동우 ,  이철곤 ,  장재용

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5203

摘要： 본 발명의 일 실시예는, 표시요소가 배치된 표시영역, 상기 표시영역 외측에 패드부를 구비한 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역에 배치되며, 실리콘 반도체를 포함하는 제1반도체층 및 상기 제1반도체층과 절연된 제1게이트전극을 포함하는 제1박막트랜지스터; 상기 제1게이트전극 상에 배치되며, 산화물 반도체를 포함하는 제2반도체층 및 상기 제2반도체층과 절연된 제2게이트전극을 포함하는 제2박막트랜지스터; 상기 제2게이트전극 상에 제1방향으로 연장된 제1전압선; 상기 제1전압선과 이격되어 배치된 데이터선; 및 상기 표시영역 내에서, 상기 데이터선을 상기 패드부와 연결하는 연결배선;을 포함하고, 상기 연결배선은 상기 제1방향으로 연장된 제1부분 및 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 제2부분을 포함하며, 상기 제1부분은 상기 제1전압선과 중첩된, 표시 장치를 개시한다.

公开(公告)号：JP6184698B2

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：JP2013010898

申请日：2013-01-24

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L29/045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/7869