公开(公告)号：JP2014042082A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：JP2013253070

申请日：2013-12-06

Applicant: Ecole Polytechnic Federal De Lausanne (Epfl) ,  エコール ポリテクニーク フェデラル ドゥ ローザンヌ(エーペーエフエル)

Inventor： GRAETZEL MICHAEL ,  PLASS ROBERT ,  BACH UDO

IPC: H01L31/04 ,  H01L51/42 ,  H01G9/20 ,  H01L31/06 ,  H01L31/109 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01G9/2009 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic cell having improved stability against the influence of light deterioration and environment.SOLUTION: A solid p-n hetero junction comprises: an electron conductor; a Hall conductor; and further a semiconductor for sensitization. The semiconductor for the sensitization is located at an interface between the electron conductor and the Hall conductor. Especially, the semiconductor for the sensitization has a quantum dot shape. A solid sensitization photovoltaic cell comprises the disclosed lamination hetero junction between two electrodes.

Abstract translation: 要解决的问题：提供对光劣化和环境的影响具有改进的稳定性的光伏电池。解决方案：固体p-n异质结包括：电子导体; 霍尔指挥 并进一步用于敏化的半导体。 用于敏化的半导体位于电子导体和霍尔导体之间的界面处。 特别地，用于敏化的半导体具有量子点形状。 固体光敏电池包括两个电极之间公开的层叠异质结。

公开(公告)号：JP5011607B2

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：JP2001117291

申请日：2001-04-16

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 造 勝山 ,  浩 矢野 ,  康 藤村

IPC: H01L31/10 ,  G02B26/02 ,  H01L31/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/103 ,  H01L31/109

公开(公告)号：JP2011009788A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：JP2010229902

申请日：2010-10-12

Applicant: Picometrix Inc ,  ピコメトリックス インコーポレイテッド

Inventor： KO CHENG C ,  LEVINE BARRY

IPC: H01L31/107 ,  H01L20060101 ,  H01L21/00 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/50

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple and effective avalanche photodiode that can be manufactured inexpensively and with efficient critical control.SOLUTION: The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region. A further feature of the structure includes an n-type semiconductor multiplication layer, an n-type semiconductor absorption layer, and a p-type contact layer. A further embodiment includes a planar avalanche photodiode having the first n-type semiconductor layer defining the planar contact area, the n-type semiconductor multiplication layer, the n-type semiconductor absorption layer and a p-type semiconductor layer electrically coupled to the p-type contact layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种简单有效的雪崩光电二极管，其可以廉价地制造并且具有有效的关键控制。解决方案：本发明包括平面雪崩光电二极管，其具有限定平面接触面积的第一n型半导体层和 具有p型扩散区域的第二n型半导体层。 该结构的另一特征包括n型半导体倍增层，n型半导体吸收层和p型接触层。 另一实施例包括具有限定平面接触面积的第一n型半导体层的平面雪崩光电二极管，n型半导体倍增层，n型半导体吸收层和电耦合到p型半导体层的p型半导体层， 型接触层。

公开(公告)号：JP4515726B2

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：JP2003272634

申请日：2003-07-10

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 順愛 徐 ,  寅▲敬▼ 柳 ,  ▲玄▼助 金

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/401 ,  G11C11/404 ,  G11C16/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L29/792 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C16/0475 ,  H01L27/112

公开(公告)号：JP4502585B2

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：JP2003055854

申请日：2003-03-03

Applicant: 三洋電機株式会社

Inventor： 昭一郎 松本

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/13 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L31/109 ,  H01L51/50 ,  H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20

CPC classification number: H01L27/326 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/322 ,  H01L29/78645

公开(公告)号：JP4406527B2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：JP2002257571

申请日：2002-09-03

Applicant: Okiセミコンダクタ株式会社 ,  株式会社 沖マイクロデザイン

Inventor： 徹哉 三苫

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4099 ,  G11C11/407 ,  G11C11/408 ,  H01L31/109

CPC classification number: G11C11/4085 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4099

公开(公告)号：JP2009267433A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：JP2009156583

申请日：2009-07-01

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： TSUTSUI TETSUO ,  ABE HIROKO ,  SEO TETSUSHI

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30 ,  H01L27/32 ,  H01L31/04 ,  H01L31/109 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/20

CPC classification number: H01L51/504 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/302 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0595 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5278 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectronic device with improved efficiency. SOLUTION: In an organic solar battery having n organic thin film layers from the first to the nth (n is an integer greater than 2) of organic thin film layers laminated successively between two electrodes, between all the kth (k is an integer of 1≤k≤(n-1)) organic thin film layer and k+1th organic thin film layer, a conductor layer in a floating state containing a metal oxide and p-type organic semiconductor, a metal oxide and n-type organic semiconductor, a compound semiconductor and p-type organic semiconductor or a compound semiconductor and n-type organic semiconductor is provided. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高效率的光电子器件。 解决方案：在有机薄膜层的第一至第n（n为大于2的整数）的有机太阳能电池中，连续层压在两个电极之间的有机薄膜层的所有第k个（k为 1≤k≤（n-1）的整数）有机薄膜层和第k + 1有机薄膜层，包含金属氧化物和p型有机半导体的浮置状态的导体层，金属氧化物和n型 有机半导体，化合物半导体和p型有机半导体或化合物半导体和n型有机半导体。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4236903B2

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：JP2002314327

申请日：2002-10-29

Applicant: Necエレクトロニクス株式会社

Inventor： 弘行 高橋

IPC: G11C11/406 ,  G11C7/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/405 ,  G11C11/407 ,  G11C11/4193 ,  H01L31/109

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603

公开(公告)号：JP4171601B2

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：JP2002034519

申请日：2002-02-12

Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 再 九 李

IPC: G11C29/04 ,  G11C5/00 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C29/00 ,  H01L31/109

CPC classification number: G11C29/808

公开(公告)号：JP4163166B2

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：JP2004270484

申请日：2004-09-16

Applicant: 三星電機株式会社

Inventor： 宗 萬 高

IPC: H01S5/40 ,  H01L31/109 ,  H01S5/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: G11B7/1275 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087