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    다결정성 CVD 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물
    41.
    发明公开
    다결정성 CVD 다이아몬드를 포함하는 화합물 반도체 구조물 审中-实审
    包括多晶CVD金刚石的化合物半导体结构

    公开(公告)号：KR1020170106645A

    公开(公告)日：2017-09-21

    申请号：KR1020177016849

    申请日：2015-12-09

    Applicant: 알에프에이치아이씨 주식회사

    Inventor： 로우,프랭크얀티스 ,  프랜시스,다니엘 ,  나세르-파이리,피루즈 ,  트위첸,다니엘제임스

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

    Abstract: 단결정화합물반도체물질의층; 및다결정성 CVD 다이아몬드물질의층을포함하고, 여기서다결정성 CVD 다이아몬드물질의층이, 두께가 25nm 미만이고두께변화가 15nm 이하인결합층을통해단결정화합물반도체물질의층에결합하며, 여기서단결정화합물반도체물질의층과다결정성 CVD 다이아몬드물질의층 사이의경계면에서일시적인열반사율에의해측정된유효열 경계저항(TBR)이반도체장치구조물을따라측정된 12mK/GW 이하의변화를갖는 25mK/GW 미만이며, 여기서단결정화합물반도체물질의층은적어도 1200cmVs의전하이동도; 및 700 Ω/스퀘어(square) 이하의시트저항(sheet resistance)의특성들중의하나또는둘 다를갖는반도체장치구조물이개시된다.

    Abstract translation: 一层单晶化合物半导体材料; Mitda包括结晶CVD金刚石材料，其中，多晶CVD金刚石材料的层，其厚度被结合到单晶化合物半导体材料的超过25nm的比厚度变化为15nm结合层，其中，所述单晶化合物半导体小于和大于该层的层 小于25mK / GW具有在结晶的层通过瞬时热反射率在CVD金刚石材料抗性（TBR）根据材料的伊凡导体器件结构测量在12mK / GW或更小的变化的层之间的界面处测量一个yuhyoyeol边界， 其中单晶化合物半导体材料层具有至少1200cmVs的电荷迁移率; 并且700Ω/平方或更小的表面电阻特性中的一个或两个。

    웨이퍼의 가공 방법 및 전자 디바이스
    44.
    发明公开
    웨이퍼의 가공 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
    波形处理方法和电子设备

    公开(公告)号：KR1020170020242A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：KR1020160100756

    申请日：2016-08-08

    Applicant: 가부시기가이샤 디스코

    Inventor： 하라다세이지

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/76 ,  H01L21/205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

    Abstract: 본발명은웨이퍼를구성하는디바이스의항절강도를확보하면서, 충분한게터링효과도생기게할 수있도록하는것을목적으로한다. 표면에복수의디바이스가교차하는복수의분할예정라인에의해구획되어형성된웨이퍼의이면을가공하는웨이퍼의가공방법으로서, 디바이스가표면에형성된웨이퍼의이면을연삭하여미리정해진두께로박화(薄化)하는이면연삭공정과, 연삭된웨이퍼의이면을연마하여연삭변형을제거하는이면연마공정과, 연마된웨이퍼의이면에다이아몬드라이크카본(DLC)막을성막(成膜)하는 DLC 성막공정을포함한다.

    Abstract translation: 这里公开了一种晶片处理方法，用于处理具有形成在前侧上的多个器件的晶片的背面，以便被多个交叉分割线分开。 晶片处理方法包括：研磨晶片的背面的背面磨削步骤，从而将晶片的厚度减小到预定厚度，在进行后磨削步骤之后抛光晶片背面的背面抛光步骤，由此 去除研磨应变和在进行背面抛光步骤之后在晶片背面形成类金刚石碳膜的类金刚石碳膜沉积步骤。

    탄소 막 응력 완화
    45.
    发明公开
    탄소 막 응력 완화 审中-实审
    碳膜压力松弛

    公开(公告)号：KR1020160107289A

    公开(公告)日：2016-09-13

    申请号：KR1020167021890

    申请日：2014-12-12

    Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    Inventor： 언더우드,브라이언색스턴 ,  말릭,아브히짓바수

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3115 ,  C23C14/34

    CPC classification number: C23C14/3471 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/48 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/02631

    Abstract: 반도체기판상의탄소막을처리하기위한방법들이설명된다. 탄소는에칭저항성을증가시키고하드마스크로서의새로운응용들을가능하게하기위해높은함량의 sp본딩을가질수 있다. 탄소막은처리이전에그리고심지어는처리이후에다이아몬드-유사탄소로지칭될수 있다. 처리의목적은, 에칭저항성을희생시키지않으면서, 퇴적된탄소막의통상적으로높은응력을감소시키는것이다. 처리는국소적인용량성플라즈마로부터형성되는플라즈마배출물들을이용하는이온충격을수반한다. 국소적인플라즈마는불활성가스들, 탄소-및-수소프리커서들및/또는질소함유프리커서들중 하나이상으로부터형성된다.

    Abstract translation: 描述了用于处理半导体衬底上的碳膜的方法。 碳可以具有高含量的sp3键合以增加耐蚀刻性，并使新的应用作为硬掩模。 在处理之前和之后，碳膜可以被称为类金刚石碳。 处理的目的是在不牺牲耐蚀刻性的情况下降低沉积碳膜的典型高应力。 该处理涉及使用由局部电容等离子体形成的等离子体流出物进行离子轰击。 局部等离子体由一种或多种惰性气体，碳 - 氢前体和/或含氮前体形成。

    초-콘포말한 탄소 막 증착
    48.
    发明公开
    초-콘포말한 탄소 막 증착 审中-实审
    碳掺杂氧化膜的层叠沉积

    公开(公告)号：KR1020150131165A

    公开(公告)日：2015-11-24

    申请号：KR1020157028449

    申请日：2014-02-14

    Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    Inventor： 베헤라,스와얌부피. ,  샤이크,샤히드 ,  만나,프라미트 ,  판디트,만다르비. ,  수만,테르셈 ,  레일리,패트릭 ,  파드히,디니쉬 ,  김복현 ,  박흥락 ,  위티,데렉알.

    IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

    Abstract: 본발명의구체예들은콘포말한탄소-기반물질의증착에관한것이다. 일구체예에서, 본방법은기판위에사전결정된두께를갖는희생유전체층을증착시키고, 희생유전체층의일부들을제거하여기판의상부표면을노출시킴으로써기판상에패턴화된피쳐들을형성시키고, 가공챔버에탄화수소소스, 플라즈마-개시가스, 및희석가스를도입하되, 탄화수소소스 : 플라즈마-개시가스 : 희석가스의부피유량이 1:0.5:20의비이고, 플라즈마를약 300℃내지약 500℃의증착온도에서발생시켜패턴화된피쳐들및 기판의노출된상부표면상에콘포말한비정질탄소층을증착시키고, 패턴화된피쳐들의상부표면및 기판의상부표면으로부터비정질탄소층을선택적으로제거하고, 패턴화된피쳐들을제거하는것을포함한다.

    Abstract translation: 本发明的实施方案涉及保形碳基材料的沉积。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积具有预定厚度的牺牲电介质层，通过去除牺牲电介质层的部分以暴露衬底的上表面，引入烃源，等离子体 - 引发气体和稀释气体进入处理室，其中烃源的体积流量：等离子体起始气体：稀释气体的比例为1:0.5:20，在约300℃的沉积温度下产生等离子体 C至约500℃以在图案化特征和暴露的基底的上表面上沉积共形无定形碳层，从图案化特征的上表面和基底的上表面选择性地除去无定形碳层， 图案特征。

    성막 장치 및 성막 방법
    50.
    发明公开
    성막 장치 및 성막 방법 有权
    膜沉积装置和膜沉积方法

    公开(公告)号：KR1020150111289A

    公开(公告)日：2015-10-05

    申请号：KR1020150036762

    申请日：2015-03-17

    Applicant: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스

    Inventor： 나카시마나오토 ,  하다고지 ,  요시노히로후미

    IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/0405 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02527 ,  H05H1/46

    Abstract: 다이아몬드성카본막의성막효율을높일수 있는기술을제공한다. 성막장치(10)는, 내부에처리공간 V를형성하는챔버(1)와, 처리공간 V에배치된저인덕턴스의유도결합형안테나(21)와, 유도결합형안테나(21)에, 고주파전력을간헐적으로공급하는고주파전력공급부(24)와, 처리공간 V에, 탄화수소를포함하는가스를공급하는가스공급부(3)와, 막형성의대상물인기재(9)를, 유도결합형안테나(21)에대해, 상대이동시키는상대이동부(4)와, 유도결합형안테나(21)로의고주파전력의공급이일시적으로정지되어있는시간대에, 기재(9)에음의전압을인가하는전압인가부(5)를구비한다.

    Abstract translation: 本发明提供能够提高形成金刚石型碳膜的效率的技术。 一种用于形成薄膜（10）的设备包括：在其中形成处理空间（V）的腔室（1）; 布置在处理空间（V）中的具有低电感的电感耦合天线（21）; 向电感耦合天线（21）间歇地供给高频电力的高频电源单元（24）; 向处理空间（V）供给含有碳氢的气体的气体供给单元（3）。 相对于电感耦合天线（21）相对移动用于形成膜的物体（9）的基底材料（9）的相对移动单元（4）; 以及在对电感耦合天线（21）的供电暂时停止的时间段期间向基材（9）施加负电压的电压施加单元（5）。

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