公开(公告)号：TW200832574A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096133596

申请日：2007-09-07

申请人： 瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.

发明人： 市原誠一 ICHIHARA, SEIICHI ,  大淵篤 OBUCHI, ATSUSHI

IPC分类号： H01L ,  G02F

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074

摘要： 本發明係提供一種可解決隨著凸塊電極之間距變窄而顯現之問題點的技術。具體而言,係提供一種技術如下:於電氣特性檢測之探針之針接觸時,即使探針對凸塊電極之接觸位置偏移之情況,亦可防止探針接觸到鄰接之凸塊電極。本發明將凸塊電極4a~4c排列成一行,於鄰接之凸塊電極配置成一部分區域偏移。而且,使探針6a~6c接觸於偏移之區域以實施電氣特性檢測。

简体摘要： 本发明系提供一种可解决随着凸块电极之间距变窄而显现之问题点的技术。具体而言,系提供一种技术如下:于电气特性检测之探针之针接触时,即使探针对凸块电极之接触位置偏移之情况,亦可防止探针接触到邻接之凸块电极。本发明将凸块电极4a~4c排列成一行,于邻接之凸块电极配置成一部分区域偏移。而且,使探针6a~6c接触于偏移之区域以实施电气特性检测。

公开(公告)号：TW200818437A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：TW096136056

申请日：2007-09-27

申请人： 先進封裝技術私人有限公司 ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD.

发明人： 周輝星 CHEW, HWEE-SENG JIMMY ,  王志堅 ONG, CHEE-KIAN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種半導體元件及其製造方法。半導體元件具有一主動表面,該半導體元件包括至少一最大徑長小於100微米的連結構件及至少一凸塊。連結構件係設置於主動表面上。凸塊係設於連結構件上,而以連結構件電性連結主動表面。凸塊包括一柱體部及一頂部,柱體部設置於連結構件上,頂部設置於柱體部之頂端。柱體部具有平行於主動表面之一第一徑長及一第二徑長,第一徑長大於1.2倍之第二徑長。柱體部在一預設溫度下,不會熔化。頂部係由銲料所構成,在預設溫度下,會熔化。

简体摘要： 一种半导体组件及其制造方法。半导体组件具有一主动表面,该半导体组件包括至少一最大径长小于100微米的链接构件及至少一凸块。链接构件系设置于主动表面上。凸块系设于链接构件上,而以链接构件电性链接主动表面。凸块包括一柱体部及一顶部,柱体部设置于链接构件上,顶部设置于柱体部之顶端。柱体部具有平行于主动表面之一第一径长及一第二径长,第一径长大于1.2倍之第二径长。柱体部在一默认温度下,不会熔化。顶部系由焊料所构成,在默认温度下,会熔化。

公开(公告)号：TW200733273A

公开(公告)日：2007-09-01

申请号：TW095140824

申请日：2006-11-03

申请人： 奈培斯股份有限公司 NEPES CORPORATION

发明人： 姜仁秀 KANG, IN SOO ,  崔榮 CHOI, JOON YOUNG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 在此提供具銲料凸塊之半導體晶片及製造方法。習知,於操作半導體晶片時,因其所產生的熱造成於銲料凸塊界面的介金屬化合物(IMC)非預期成長,因而減弱半導體晶片之機械性質。為解決此一缺憾,一半導體晶片,包含:至少一金屬黏著層,其係形成於該半導體晶片的一電極墊上;一層間絕緣層,其係形成於該金屬黏著層上;至少一穿透層,其係形成於該層間絕緣層上且滲入該銲料凸塊中;以及該銲料凸塊,其係形成於該穿透層上。由此,滲入銲料凸塊的穿透層材料可改變銲料凸塊成為多成份之銲料凸塊,從而抑制IMC的成長,並改善半導體晶片的可靠度。

简体摘要： 在此提供具焊料凸块之半导体芯片及制造方法。习知,于操作半导体芯片时,因其所产生的热造成于焊料凸块界面的介金属化合物(IMC)非预期成长,因而减弱半导体芯片之机械性质。为解决此一缺憾,一半导体芯片,包含:至少一金属黏着层,其系形成于该半导体芯片的一电极垫上;一层间绝缘层,其系形成于该金属黏着层上;至少一穿透层,其系形成于该层间绝缘层上且渗入该焊料凸块中;以及该焊料凸块,其系形成于该穿透层上。由此,渗入焊料凸块的穿透层材料可改变焊料凸块成为多成份之焊料凸块,从而抑制IMC的成长,并改善半导体芯片的可靠度。

公开(公告)号：TW200729370A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：TW095139732

申请日：2006-10-27

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 司裘費爾德 海茲D. SCHOFIELD, HAZEL D. ,  斯寇凱 斯勞梅 SKOCKI, SLAWOMIR ,  亞丹生 菲力普 ADAMSON, PHILIP

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013

摘要： 提供一種覆晶晶片蕭基晶粒,該晶粒包括自該晶粒頂面延伸、而用於電氣連接到一板之三個接觸突頭,而第一突頭和第二突頭是作為陰極觸頭而第三突頭是作為陽極觸頭,且具有,比該第一突頭和該第二突頭的各個頂面大,而用於0.5安培元件之一頂面的第三突頭。各突頭在其基底為實質矩形,但在方形晶粒上可具有曲線狀或弧形頂面。也提供一種可用于諸如1.0安培電流的MOSFET或二極體等覆晶晶片元件中的接觸突頭,該突頭包括PbSn焊料體或含SnAgCu的無鉛焊料體。此一接觸突頭實質呈矩形,並具有約120���m的高度。

简体摘要： 提供一种覆晶芯片萧基晶粒,该晶粒包括自该晶粒顶面延伸、而用于电气连接到一板之三个接触突头,而第一突头和第二突头是作为阴极触头而第三突头是作为阳极触头,且具有,比该第一突头和该第二突头的各个顶面大,而用于0.5安培组件之一顶面的第三突头。各突头在其基底为实质矩形,但在方形晶粒上可具有曲线状或弧形顶面。也提供一种可用于诸如1.0安培电流的MOSFET或二极管等覆晶芯片组件中的接触突头,该突头包括PbSn焊料体或含SnAgCu的无铅焊料体。此一接触突头实质呈矩形,并具有约120���m的高度。

公开(公告)号：TW200711017A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095127948

申请日：2006-07-31

申请人： 米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION

发明人： 林茂雄 MOU-SHIUNG LIN ,  羅心榮 HSIN-JUNG LO ,  周秋明 CHIU-MING CHOU ,  周健康 CHIEN-KANG CHOU ,  陳科宏 KE-HUNG CHEN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本發明係提供一種線路元件結構及其製作方法,此半導體基底之頂部表面上係具有至少一接墊;一保護層(passivation layer)係位在半導體基底之頂部表面上,且位在此保護層內之至少一開口暴露出接墊;及一金屬層係堆疊形成在接墊上。

简体摘要： 本发明系提供一种线路组件结构及其制作方法,此半导体基底之顶部表面上系具有至少一接垫;一保护层(passivation layer)系位在半导体基底之顶部表面上,且位在此保护层内之至少一开口暴露出接垫;及一金属层系堆栈形成在接垫上。

公开(公告)号：TW200711016A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095127947

申请日：2006-07-31

申请人： 米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION

发明人： 林茂雄 MOU-SHIUNG LIN ,  羅心榮 HSIN-JUNG LO ,  周秋明 CHIU-MING CHOU ,  周健康 CHIEN-KANG CHOU ,  陳科宏 KE-HUNG CHEN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本發明係提供一種線路元件結構及其製作方法,此半導體基底之頂部表面上係具有至少一接墊;一保護層(passivation layer)係位在半導體基底之頂部表面上,且位在此保護層內之至少一開口暴露出接墊;及一金屬層係堆疊形成在接墊上。

简体摘要： 本发明系提供一种线路组件结构及其制作方法,此半导体基底之顶部表面上系具有至少一接垫;一保护层(passivation layer)系位在半导体基底之顶部表面上,且位在此保护层内之至少一开口暴露出接垫;及一金属层系堆栈形成在接垫上。

公开(公告)号：TWI236934B

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW092126833

申请日：2000-05-11

申请人： 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： 丹尼爾C. 艾德爾史登 DANIEL C. EDELSTEIN ,  安東尼K. 史坦伯 ANTHONY K. STAMPER

IPC分类号： B05D ,  B32B

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H05K3/244 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/05552

摘要： 一種在基材上製造耐腐蝕導電墊方法和相關結構之自動校準(即空間選擇)，其中該結構包內括一可使接頭連接至導電墊上的互連線(如，一種晶片至包裝的接合)。該導電墊包含一種金屬如銅、鋁或鎢。相關互連線的實例包括引線接合的互連線和經控制的晶片接合(C4)互連線。該自動校準方法在起初露出來的金屬層上生成一金屬化層，其中該金屬化層可導電而且耐腐蝕。該金屬化層包括一種合金或非合金金屬。該金屬層可包含銅。此方法可藉在基材上提供一種金屬層並在該金屬層上無電鍍覆一層材腐蝕金屬或耐腐蝕合金而達成。該無電前述替換方法可另外包括將第二耐腐蝕金屬無電鍍覆在該耐腐蝕金屬或耐腐蝕合金上。耐腐蝕導電墊形成之後，將此互聯方式黏貼在該導電墊上。

简体摘要： 一种在基材上制造耐腐蚀导电垫方法和相关结构之自动校准(即空间选择)，其中该结构包内括一可使接头连接至导电垫上的互连接(如，一种芯片至包装的接合)。该导电垫包含一种金属如铜、铝或钨。相关互连接的实例包括引线接合的互连接和经控制的芯片接合(C4)互连接。该自动校准方法在起初露出来的金属层上生成一金属化层，其中该金属化层可导电而且耐腐蚀。该金属化层包括一种合金或非合金金属。该金属层可包含铜。此方法可藉在基材上提供一种金属层并在该金属层上无电镀覆一层材腐蚀金属或耐腐蚀合金而达成。该无电前述替换方法可另外包括将第二耐腐蚀金属无电镀覆在该耐腐蚀金属或耐腐蚀合金上。耐腐蚀导电垫形成之后，将此互联方式黏贴在该导电垫上。

公开(公告)号：TW200524025A

公开(公告)日：2005-07-16

申请号：TW093135090

申请日：2004-11-16

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 山野孝治 YAMANO, TAKAHARU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種半導體晶圓，其係藉由研磨其背側(相對於形成有多數個元件且進一步形成金屬柱之側邊)而薄化至預定厚度，而後一由具有接近該半導體晶圓之線性熱膨脹係數之金屬所製成的金屬層係形成在該經研磨的側邊。再者，該半導體晶圓係以樹脂加以密封，金屬突起物係黏結至該金屬柱(阻擋金屬層)之頂端，而後該半導體晶圓係分割成各別的半導體元件。矽係使用作為用於該半導體晶圓之材料，而鎢與鉬係使用作為構成該金屬層之金屬。

简体摘要： 一种半导体晶圆，其系借由研磨其背侧(相对于形成有多数个组件且进一步形成金属柱之侧边)而薄化至预定厚度，而后一由具有接近该半导体晶圆之线性热膨胀系数之金属所制成的金属层系形成在该经研磨的侧边。再者，该半导体晶圆系以树脂加以密封，金属突起物系黏结至该金属柱(阻挡金属层)之顶端，而后该半导体晶圆系分割成各别的半导体组件。硅系使用作为用于该半导体晶圆之材料，而钨与钼系使用作为构成该金属层之金属。

公开(公告)号：TWI235622B

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW093105053

申请日：2004-02-27

申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  關東三洋半導體股份有限公司 KANTO SANYO SEMICONDUCTORS CO., LTD.

发明人： 龜山工次郎 KAMEYAMA, KOUJIRO ,  三田清志 MITA, KIYOSHI

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H01L33/54 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05169

摘要： 本發明之目的在於提供一種可提高耐濕性等之光半導體裝置(10)及其製造方法。
本發明之光半導體裝置(10A)之構成係具備：表面形成有包含受光元件或發光元件之電路部(21)之光半導體元件(11)；裝設在光半導體元件(11)的背面且與電路部(21)電性連接之端子部(17)；覆蓋光半導體元件(11)的表面且由透明材質所構成之覆蓋層(12)；以及覆蓋光半導體元件側面(11)以及覆蓋層(12)之密封樹脂(16)。此外，可藉由再配線(15)連接電路部(21)與端子部(17)。

简体摘要： 本发明之目的在于提供一种可提高耐湿性等之光半导体设备(10)及其制造方法。 本发明之光半导体设备(10A)之构成系具备：表面形成有包含受光组件或发光组件之电路部(21)之光半导体组件(11)；装设在光半导体组件(11)的背面且与电路部(21)电性连接之端子部(17)；覆盖光半导体组件(11)的表面且由透明材质所构成之覆盖层(12)；以及覆盖光半导体组件侧面(11)以及覆盖层(12)之密封树脂(16)。此外，可借由再配线(15)连接电路部(21)与端子部(17)。

公开(公告)号：TWI228309B

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：TW092129019

申请日：2003-10-20

申请人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

发明人： 大森弘治 OMORI, KOUJI ,  湯川昌行 YUKAWA, MASAYUKI ,  仲澤利行 NAKAZAWA, TOSHIYUKI ,  老田成志 OITA, NARISHI ,  小川隆司 OGAWA, TAKASHI ,  口茂樹 SAKAGUCHI, SHIGEKI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/09381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164

摘要： 本發明旨在：於以Sn-Zn系無鉛焊料接合作為表面處理已形成鈀膜之電極端子的表面安裝型電子部件和設置於安裝該電子部件之基板上的配線電極的半導體裝置中，確實地進行藉由焊料之接合。
於電子部件1之面對基板3的面上設置複數個分別具有平面圓形形狀的電極端子2，於基板3之主面上面對各電極端子2之區域，設置複數個分別具有平面圓形形狀的配線電極4。

简体摘要： 本发明旨在：于以Sn-Zn系无铅焊料接合作为表面处理已形成钯膜之电极端子的表面安装型电子部件和设置于安装该电子部件之基板上的配线电极的半导体设备中，确实地进行借由焊料之接合。 于电子部件1之面对基板3的面上设置复数个分别具有平面圆形形状的电极端子2，于基板3之主面上面对各电极端子2之区域，设置复数个分别具有平面圆形形状的配线电极4。