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1.

发明专利
保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 有权
简体标题：保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER

公开(公告)号：TWI328264B

公开(公告)日：2010-08-01

申请号：TW095140066

申请日：2006-10-30

申请人： 米輯電子股份有限公司

发明人： 周秋明 , 周健康 , 林世雄 , 林茂雄 , 羅心榮

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/4943 , H01L2224/85051 , H01L2224/85399 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/4554

摘要： 本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片，其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊，且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方，且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。

简体摘要： 本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片，其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫，且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方，且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

2.

发明专利
線路元件結構及其製作方法 BONDING PAD ON IC SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
简体标题：线路组件结构及其制作方法 BONDING PAD ON IC SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

公开(公告)号：TWI370496B

公开(公告)日：2012-08-11

申请号：TW095127948

申请日：2006-07-31

申请人： 米輯電子股份有限公司

发明人： 林茂雄 , 羅心榮 , 周秋明 , 周健康 , 陳科宏

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/525 , H01L24/12 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13183 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/12043 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00014 , H01L2924/013

摘要： 本發明係提供一種線路元件結構及其製作方法，此半導體基底之頂部表面上係具有至少一接墊；一保護層(passivation layer)係位在半導體基底之頂部表面上，且位在此保護層內之至少一開口暴露出接墊；及一金屬層係堆疊形成在接墊上。

简体摘要： 本发明系提供一种线路组件结构及其制作方法，此半导体基底之顶部表面上系具有至少一接垫；一保护层(passivation layer)系位在半导体基底之顶部表面上，且位在此保护层内之至少一开口暴露出接垫；及一金属层系堆栈形成在接垫上。

3.

发明专利
保護層上形成有後護層結構的半導體晶片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER 审中-公开
简体标题：保护层上形成有后护层结构的半导体芯片 SEMICONDUCTOR CHIP WITH POST-PASSIVATION SCHEME FORMED OVER PASSIVATION LAYER

公开(公告)号：TW200802645A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW095140066

申请日：2006-10-30

申请人： 米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION

发明人： 周秋明 CHOU, CHIU MING , 周健康 CHOU, CHIEN KANG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG , 林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 羅心榮 LO, HSIN JUNG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05553 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/4943 , H01L2224/85051 , H01L2224/85399 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/4554

摘要： 本發明係提供一種保護層上形成有後護層結構的半導體晶片,其包括一圖案化金屬層在保護層上。此圖案化金屬層包括一第一接墊,且第一接墊連接保護層之開口所暴露出的一第二接墊。一金屬凸塊位在第一接墊上以及位在複數半導體元件上方,且此金屬凸塊包括厚度介於8微米至50微米之間的金。

简体摘要： 本发明系提供一种保护层上形成有后护层结构的半导体芯片,其包括一图案化金属层在保护层上。此图案化金属层包括一第一接垫,且第一接垫连接保护层之开口所暴露出的一第二接垫。一金属凸块位在第一接垫上以及位在复数半导体组件上方,且此金属凸块包括厚度介于8微米至50微米之间的金。

4.

发明专利
金屬球的製造方法、接合材料及金屬球审中-公开
简体标题：金属球的制造方法、接合材料及金属球

公开(公告)号：TW201544225A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104103150

申请日：2015-01-30

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU

IPC分类号： B23K31/12 , H01L23/488

CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004

摘要： 製造經抑制被放射的α射線量之金屬球。製造該金屬球係包含以下的步驟：將純金屬在比作為除去對象的不純物之沸點更高、比純金屬的熔點更高且比純金屬的沸點更低的溫度，進行加熱而使純金屬熔融之步驟；及將熔融後的純金屬造球成為球狀之步驟；其中該純金屬，係具有比在純金屬所含有的不純物之中，作為除去對象的不純物之按照氣壓的沸點更高的沸點，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，純度為99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合計含量為1ppm以上。

简体摘要： 制造经抑制被放射的α射线量之金属球。制造该金属球系包含以下的步骤：将纯金属在比作为除去对象的不纯物之沸点更高、比纯金属的熔点更高且比纯金属的沸点更低的温度，进行加热而使纯金属熔融之步骤；及将熔融后的纯金属造球成为球状之步骤；其中该纯金属，系具有比在纯金属所含有的不纯物之中，作为除去对象的不纯物之按照气压的沸点更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合计含量为1ppm以上。

5.

发明专利
金屬配線形成用複製基板及藉由上述複製用基板的金屬配線形成方法有权
简体标题：金属配线形成用复制基板及借由上述复制用基板的金属配线形成方法

公开(公告)号：TWI462151B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW100143260

申请日：2011-11-25

申请人： 田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.

发明人： 小柏俊典 , OGASHIWA, TOSHINORI , 栗田昌昭 , KURITA, MASAAKI , 西森尚 , NISHIMORI, TAKASHI , 兼平幸男 , KANEHIRA, YUKIO

IPC分类号： H01L21/08 , H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2201/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11

6.

发明专利
晶圓之接合方法及接合部之構造审中-公开
简体标题：晶圆之接合方法及接合部之构造

公开(公告)号：TW201330051A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101134103

申请日：2012-09-18

申请人： 歐姆龍股份有限公司 , OMRON CORPORATION

发明人： 藤原剛史 , FUJIWARA, TAKESHI , 奧野敏明 , OKUNO, TOSHIAKI , 井上勝之 , INOUE, KATSUYUKI , 山本淳也 , YAMAMOTO, JUNYA , 日沼健一 , HINUMA, KENICHI , 蘆原義樹 , ASHIHARA, YOSHIKI , 宮地孝明 , MIYAJI, TAKAAKI

IPC分类号： H01L21/02 , B81B7/00

CPC分类号： H01L24/05 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/06182 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/14181 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16502 , H01L2224/16506 , H01L2224/2908 , H01L2224/29171 , H01L2224/3201 , H01L2224/32058 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/81193 , H01L2224/81805 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： [目的]當藉由共晶接合來接合晶圓之接合部時，防止一黏著層因AuSn而變差。[解決方法]在一晶圓1之一表面上形成一黏著層4，以及在該黏著層4上方堆疊一由對於AuSn具有低可濕性之材料所形成之防擴散層7。此外，在該防擴散層7之一表面上形成一接合層8，以便從該防擴散層7之邊緣縮進，藉此在該晶圓1之表面上形成一接合部3。同時，在一晶圓11之下表面上提供一接合部13，以及在該接合部13下方提供一AuSn焊料層19。使該AuSn焊料層19熔化，以及在該第一晶圓1與該第二晶圓11彼此相對之狀況下，藉由AuSn共晶接合以一AuSn焊料22接合該第一接合部與該第二接合部。

简体摘要： [目的]当借由共晶接合来接合晶圆之接合部时，防止一黏着层因AuSn而变差。[解决方法]在一晶圆1之一表面上形成一黏着层4，以及在该黏着层4上方堆栈一由对于AuSn具有低可湿性之材料所形成之防扩散层7。此外，在该防扩散层7之一表面上形成一接合层8，以便从该防扩散层7之边缘缩进，借此在该晶圆1之表面上形成一接合部3。同时，在一晶圆11之下表面上提供一接合部13，以及在该接合部13下方提供一AuSn焊料层19。使该AuSn焊料层19熔化，以及在该第一晶圆1与该第二晶圆11彼此相对之状况下，借由AuSn共晶接合以一AuSn焊料22接合该第一接合部与该第二接合部。