公开(公告)号：TWI479542B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW100133943

申请日：2011-09-21

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  吉爾斯 馬丁 ,  GILES, MARTIN D. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  坎恩 克萊恩 ,  KUHN, KELIN J. ,  坎恩 馬克斯 ,  KUHN, MARKUS ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI528419B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW103146547

申请日：2011-09-21

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  吉爾斯 馬丁 ,  GILES, MARTIN D. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  坎恩 克萊恩 ,  KUHN, KELIN J. ,  坎恩 馬克斯 ,  KUHN, MARKUS ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201545320A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104105362

申请日：2015-02-16

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK

IPC: H01L27/118 ,  H01L27/11 ,  H01L21/82 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/161 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 說明關於具有鍺錫之電晶體及積體電路的技術、包含這些電晶體的系統、形成它們的方法。這些電晶體包含通道區，通道區包括鰭的鍺錫部以致於鰭包含配置於基底上的緩衝層及配置於緩衝層上的鍺錫部。

Abstract in simplified Chinese: 说明关于具有锗锡之晶体管及集成电路的技术、包含这些晶体管的系统、形成它们的方法。这些晶体管包含信道区，信道区包括鳍的锗锡部以致于鳍包含配置于基底上的缓冲层及配置于缓冲层上的锗锡部。

公开(公告)号：TWI483398B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW101145434

申请日：2012-12-04

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/158 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  Y10S977/938

公开(公告)号：TW201342611A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW101147880

申请日：2012-12-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762

Abstract: 本發明實施例提供具有應變通道區域的電晶體結構。應變係經由在相對於電晶體的通道區域之源極與汲極區域中之晶格不匹配所建立。在本發明實施例中，電晶體通道區域由鍺、矽、鍺及矽的結合或鍺、矽及錫的結合所組成，並且源極及汲極區域由摻雜的III-V複合半導體材料所組成。本發明實施例在各種電晶體結構中是有用的，例如像是三閘、雙閘及單閘電晶體，並且具有通道區域的電晶體由奈米線或奈米帶組成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供具有应变信道区域的晶体管结构。应变系经由在相对于晶体管的信道区域之源极与汲极区域中之晶格不匹配所创建。在本发明实施例中，晶体管信道区域由锗、硅、锗及硅的结合或锗、硅及锡的结合所组成，并且源极及汲极区域由掺杂的III-V复合半导体材料所组成。本发明实施例在各种晶体管结构中是有用的，例如像是三闸、双闸及单闸晶体管，并且具有信道区域的晶体管由奈米线或奈米带组成。

公开(公告)号：TW201342601A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW101145434

申请日：2012-12-04

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  趙 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/158 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  Y10S977/938

Abstract: 第三族氮化物奈米線係設置在基板上。奈米線之縱向長度被定義為第一第三族氮化物材料之通道區、與該通道區之第一端電性耦合之源極區、及與該通道區之第二端電性耦合之汲極區。在該第一第三族氮化物材料上之第二第三族氮化物材料作為一電荷誘導層、及/或奈米線之表面上的阻障層。閘極絕緣體及/或閘極導體完全地同軸環繞在該通道區內的該奈米線。汲極及源極接觸可相同地完全地同軸環繞該汲極及源極區。

Abstract in simplified Chinese: 第三族氮化物奈米线系设置在基板上。奈米线之纵向长度被定义为第一第三族氮化物材料之信道区、与该信道区之第一端电性耦合之源极区、及与该信道区之第二端电性耦合之汲极区。在该第一第三族氮化物材料上之第二第三族氮化物材料作为一电荷诱导层、及/或奈米线之表面上的阻障层。闸极绝缘体及/或闸极导体完全地同轴环绕在该信道区内的该奈米线。汲极及源极接触可相同地完全地同轴环绕该汲极及源极区。

公开(公告)号：TWI603476B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW105124465

申请日：2012-12-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762

公开(公告)号：TWI411048B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW097136898

申请日：2008-09-25

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 金 賓毅 ,  JIN, BEEN-YIH ,  道爾 布萊恩 ,  DOYLE, BRIAN ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  戴塔 蘇門 ,  DATTA, SUMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI411020B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW097148513

申请日：2008-12-12

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW ,  達克西 馬克 ,  DOCZY, MARK L. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/324 ,  H01L29/105 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI565069B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW101147880

申请日：2012-12-17

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦李耶羅 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7848 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762