公开(公告)号：TW201347102A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW101148329

申请日：2012-12-19

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 沢井裕一 ,  SAWAI, YUICHI ,  內藤孝 ,  NAITO, TAKASHI ,  青柳拓也 ,  AOYAGI, TAKUYA ,  藤枝正 ,  FUJIEDA, TADASHI ,  森睦宏 ,  MORI, MUTSUHIRO

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L23/3736 ,  B23K35/26 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/408 ,  C22C5/06 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/12014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明的課題是使接著金屬、陶瓷、半導體的任一種之接合體的接著性及熱傳導性提升。其解決手段為：一種接合體，係接著金屬、陶瓷、半導體的任一種的第1構件與第2構件之接合體，其特徵為：經由設在前述第1構件的面之接著構件來接著前述第2構件，前述接著構件係含有含V2O5的玻璃及金屬粒子。一種半導體模組，係具備基底金屬、陶瓷基板、金屬配線及半導體晶片的半導體模組，其特徵為：經由設在前述基底金屬的面之第1接著構件來接著前述陶瓷基板，經由設在前述陶瓷基板的面之第2接著構件來接著前述金屬配線，經由設在前述金屬配線的面之第3接著構件來接著前述半導體晶片，前述第1接著構件、第2接著構件及第3接著構件係含有含V2O5的玻璃及金屬粒子。

简体摘要： 本发明的课题是使接着金属、陶瓷、半导体的任一种之接合体的接着性及热传导性提升。其解决手段为：一种接合体，系接着金属、陶瓷、半导体的任一种的第1构件与第2构件之接合体，其特征为：经由设在前述第1构件的面之接着构件来接着前述第2构件，前述接着构件系含有含V2O5的玻璃及金属粒子。一种半导体模块，系具备基底金属、陶瓷基板、金属配线及半导体芯片的半导体模块，其特征为：经由设在前述基底金属的面之第1接着构件来接着前述陶瓷基板，经由设在前述陶瓷基板的面之第2接着构件来接着前述金属配线，经由设在前述金属配线的面之第3接着构件来接着前述半导体芯片，前述第1接着构件、第2接着构件及第3接着构件系含有含V2O5的玻璃及金属粒子。

公开(公告)号：TW200814513A

公开(公告)日：2008-03-16

申请号：TW095132951

申请日：2006-09-06

申请人： 台達電子工業股份有限公司 DELTA ELECTRONICS, INC

发明人： 陳盈源 CHEN, YIN YUAN ,  游承諭 YU, CHEN YU

IPC分类号： H03F

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/18 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本案為一種功率半導體裝置,其包括:半導體晶片,具有第一與第二電極,其中第一電極設置於半導體晶片之第一表面,第二電極設置於半導體晶片之第一表面或與第一表面相對之第二表面上;第一導電片,具有第一與第二接觸部,其中第二接觸部與半導體晶片之第一電極連接;第二導電片,具有第一與第二接觸部,其中第二接觸部與半導體晶片之第二電極連接;以及封裝物質,用於封裝半導體晶片、部份第一與第二導電片,並使第一導電片以及第二導電片之第一接觸部暴露,俾使功率半導體裝置得由第一導電片以及第二導電片之第一接觸部供電流流通。

简体摘要： 本案为一种功率半导体设备,其包括:半导体芯片,具有第一与第二电极,其中第一电极设置于半导体芯片之第一表面,第二电极设置于半导体芯片之第一表面或与第一表面相对之第二表面上;第一导电片,具有第一与第二接触部,其中第二接触部与半导体芯片之第一电极连接;第二导电片,具有第一与第二接触部,其中第二接触部与半导体芯片之第二电极连接;以及封装物质,用于封装半导体芯片、部份第一与第二导电片,并使第一导电片以及第二导电片之第一接触部暴露,俾使功率半导体设备得由第一导电片以及第二导电片之第一接触部供电流流通。

公开(公告)号：TWI241714B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW093114730

申请日：2004-05-25

申请人： 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  關東三洋半導體股份有限公司 KANTO SANYO SEMICONDUCTORS CO., LTD.

发明人： 吉羽茂治 YOSHIBA, SHIGEHARU ,  福田浩和 FUKUDA, HIROKAZU ,  境春彥 SAKAI, HARUHIKO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種半導體裝置及開關元件。由於習知之單晶片雙MOSFET係將兩個MOSFET之晶片並列，且使汲極電極短路之構造，因此有安裝面積大，且汲極電極間之電阻無法降低之問題，於市場要求的小型化、薄型化方面受到限制。
本發明係將兩個MOSFET半導體晶片之汲極電極彼此直接連接，使兩個晶片重疊者。由於雙MOSFET中，無須將汲極電極導出外部，而僅為兩個閘極端子及兩個源極端子，因此藉由引線框架或導電圖案將該等四端子導出外部。藉此可達成裝置之小型化與低導通電阻化。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及开关组件。由于习知之单芯片双MOSFET系将两个MOSFET之芯片并列，且使汲极电极短路之构造，因此有安装面积大，且汲极电极间之电阻无法降低之问题，于市场要求的小型化、薄型化方面受到限制。 本发明系将两个MOSFET半导体芯片之汲极电极彼此直接连接，使两个芯片重叠者。由于双MOSFET中，无须将汲极电极导出外部，而仅为两个闸极端子及两个源极端子，因此借由引线框架或导电图案将该等四端子导出外部。借此可达成设备之小型化与低导通电阻化。

公开(公告)号：TWI228317B

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：TW092132751

申请日：2003-11-21

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 史登迪 馬汀 STANDING, MARTIN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一半導體元件具有一半導體晶元，該半導體晶元具有至少兩個相對的主電極和一控制電極。導電夾子，各具有一基底部份和一接觸部份，係藉著一對應的導電材料層來在其之基底部份連接到對應的電極。一鈍化層係被設置在該等電極中之至少一者上並且包圍該等導電材料層。該等夾子中之一者的基底部份和接觸部份係由一延伸部連接，該延伸部延伸在該半導體晶元的主表面之間。

简体摘要： 一半导体组件具有一半导体芯片，该半导体芯片具有至少两个相对的主电极和一控制电极。导电夹子，各具有一基底部份和一接触部份，系借着一对应的导电材料层来在其之基底部份连接到对应的电极。一钝化层系被设置在该等电极中之至少一者上并且包围该等导电材料层。该等夹子中之一者的基底部份和接触部份系由一延伸部连接，该延伸部延伸在该半导体芯片的主表面之间。

公开(公告)号：TWI565021B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW100121479

申请日：2011-06-20

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 克里斯南 舒泰許 ,  KRISHNAN, SHUTESH ,  王順偉 ,  WANG, SOON WEI

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H05K7/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/37624 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41052 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

公开(公告)号：TWI516028B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102121988

申请日：2013-06-20

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 黃馨儀 ,  HUANG, SHIN YI ,  陳文志 ,  CHEN, WEN CHIH ,  張道智 ,  CHANG, TAO CHIH

IPC分类号： H03K17/16 ,  H01L27/04

CPC分类号： H04B10/802 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI451537B

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW099145382

申请日：2010-12-22

申请人： 泰斯拉公司 ,  TESSERA, INC.

发明人： 哈巴 貝勒卡塞姆 ,  HABA, BELGACEM ,  丹姆伯格 菲利普 ,  DAMBERG, PHILIP ,  奧斯本 飛利浦R ,  OSBORN, PHILIP R.

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/50 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/01 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48477 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/4942 ,  H01L2224/49427 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TW201212200A

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：TW100121480

申请日：2011-06-20

申请人： 半導體組件工業公司

发明人： 克里斯南 舒泰許 ,  王順偉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/41 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示一種半導體組件及一種製造該半導體組件之方法,其中該半導體組件包含經堆疊半導體晶粒。根據實施例,該半導體組件包含具有一組件承接區域及複數個接合墊之一基板。一半導體晶片附接至該組件承接區域。一電連接器耦合至該半導體晶片及該基板。一第二半導體晶片安裝或附接至該電連接器之若干端之一者使得此端係定位於該等半導體晶片之間。一第二電連接器耦合於該第二半導體晶片與該基板之間。一第三半導體晶片安裝於該第二電連接器之上或附接至該第二電連接器使得一部分係在該第二半導體晶片與該第三半導體晶片之間。

简体摘要： 本发明揭示一种半导体组件及一种制造该半导体组件之方法,其中该半导体组件包含经堆栈半导体晶粒。根据实施例,该半导体组件包含具有一组件承接区域及复数个接合垫之一基板。一半导体芯片附接至该组件承接区域。一电连接器耦合至该半导体芯片及该基板。一第二半导体芯片安装或附接至该电连接器之若干端之一者使得此端系定位于该等半导体芯片之间。一第二电连接器耦合于该第二半导体芯片与该基板之间。一第三半导体芯片安装于该第二电连接器之上或附接至该第二电连接器使得一部分系在该第二半导体芯片与该第三半导体芯片之间。

公开(公告)号：TWI354367B

公开(公告)日：2011-12-11

申请号：TW094100907

申请日：2005-01-12

申请人： 邁威爾世界貿易股份有限公司

发明人： 席哈舒塔佳

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/02 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/40 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 一種積體電路，包括第一、第二和第三類平面金屬層。一第一電晶體具有一第一控制端以及第一和第二端。第二端與第一類平面金屬層相連。第一端與第二類平面金屬層相連。一第二電晶體具有一第二控制端以及第三和第四端。第三端與第一類平面金屬層相連。第四端與第三類平面金屬層相連。一第四類平面金屬層包括第一、第二和第三接觸部，彼此之間電性絕緣並分別連接到第二類平面金屬層、第一類平面金屬層和第三類平面金屬層。

简体摘要： 一种集成电路，包括第一、第二和第三类平面金属层。一第一晶体管具有一第一控制端以及第一和第二端。第二端与第一类平面金属层相连。第一端与第二类平面金属层相连。一第二晶体管具有一第二控制端以及第三和第四端。第三端与第一类平面金属层相连。第四端与第三类平面金属层相连。一第四类平面金属层包括第一、第二和第三接触部，彼此之间电性绝缘并分别连接到第二类平面金属层、第一类平面金属层和第三类平面金属层。

公开(公告)号：TWI300619B

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：TW095102077

申请日：2006-01-19

申请人： 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

发明人： 橫塚剛秀

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

摘要： 本發明之電子裝置具備以夾於各自形成之連接部分之間
的連接層連接且熱膨脹率不同之一對構件,上述連接層係
藉由使以相互不同材料在上述連接部分分別形成之金屬層
在其接觸界面附近熔融之該金屬層間的擴散反應所形成。
上述金屬層之至少一個係由鍍敷形成,使上述連接層以足
以藉此吸收上述一對構件的熱膨脹率差之厚度形成。上述
一對構件連接後上述連接層之熔融溫度較上述擴散反應之
其熔融溫度上升,故可防止該連接後進行之加熱處理造成
之該連接層破損,確保電子裝置的高信賴性。

简体摘要： 本发明之电子设备具备以夹于各自形成之连接部分之间 的连接层连接且热膨胀率不同之一对构件,上述连接层系 借由使以相互不同材料在上述连接部分分别形成之金属层 在其接触界面附近熔融之该金属层间的扩散反应所形成。 上述金属层之至少一个系由镀敷形成,使上述连接层以足 以借此吸收上述一对构件的热膨胀率差之厚度形成。上述 一对构件连接后上述连接层之熔融温度较上述扩散反应之 其熔融温度上升,故可防止该连接后进行之加热处理造成 之该连接层破损,确保电子设备的高信赖性。