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    半導體裝置及其製造方法
    21.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201511264A

    公开(公告)日：2015-03-16

    申请号：TW103125147

    申请日：2014-07-22

    申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

    发明人： 西森理人 ,  NISHIMORI, MASATO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

    摘要： 一種半導體裝置包括一被組構俾被形成於一基體上的電子轉渡層層；一被組構俾被形成於該電子轉渡層上的電子供應層；一被組構俾被形成於該電子供應層上的上表面層；一被組構俾被形成於該電子供應層或者該上表面上的閘極電極；被組構俾被形成於該上表面層上的一源極電極和一汲極電極；及被組構俾被形成在該上表面層和該電子供應層正好位在形成源極電極與汲極電極之區域下方的第一導電-型區域。該電子供應層是由包括In的氮化物半導體形成。該上表面層是由一種包括在B、Al、與Ga當中選擇之一個或多個元素之氮化物的材料形成。

    简体摘要： 一种半导体设备包括一被组构俾被形成于一基体上的电子转渡层层；一被组构俾被形成于该电子转渡层上的电子供应层；一被组构俾被形成于该电子供应层上的上表面层；一被组构俾被形成于该电子供应层或者该上表面上的闸极电极；被组构俾被形成于该上表面层上的一源极电极和一汲极电极；及被组构俾被形成在该上表面层和该电子供应层正好位在形成源极电极与汲极电极之区域下方的第一导电-型区域。该电子供应层是由包括In的氮化物半导体形成。该上表面层是由一种包括在B、Al、与Ga当中选择之一个或多个元素之氮化物的材料形成。

    介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及其半導體元件
    24.
    发明专利
    介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及其半導體元件 审中-公开
    介电质材料形成平台侧壁的半导体制造方法及其半导体组件

    公开(公告)号：TW201432815A

    公开(公告)日：2014-08-16

    申请号：TW102104500

    申请日：2013-02-06

    申请人： 國立中央大學 ,  NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

    发明人： 綦振瀛 ,  CHYI, JEN INN ,  王聖瑜 ,  WANG, SHENG YU ,  陳俊明 ,  CHEN, JIUN MING

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L29/778

    CPC分类号： H01L21/02282 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/778

    摘要： 本發明關於一種介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及用此方法製造之半導體元件。此方法包括下列步驟：在一半導體基板上，配置一垂直元件；進行一旋轉塗抹製程，用以披覆一液態塗佈式介電質材料；進行一烘乾製程，使該液態塗佈式介電質材料成為一乾燥介電質材料；進行一第一乾蝕刻製程，用以去除該乾燥介電質材料之一部分，使該垂直元件的不受離子轟子影響之結構露出；進行一沈積製程，用以對該垂直元件的不受離子轟子影響之結構進行絕緣披覆；以及進行一第二乾蝕刻製程，以構成一具有平台側壁的半導體元件。

    简体摘要： 本发明关于一种介电质材料形成平台侧壁的半导体制造方法及用此方法制造之半导体组件。此方法包括下列步骤：在一半导体基板上，配置一垂直组件；进行一旋转涂抹制程，用以披覆一液态涂布式介电质材料；进行一烘干制程，使该液态涂布式介电质材料成为一干燥介电质材料；进行一第一干蚀刻制程，用以去除该干燥介电质材料之一部分，使该垂直组件的不受离子轰子影响之结构露出；进行一沉积制程，用以对该垂直组件的不受离子轰子影响之结构进行绝缘披覆；以及进行一第二干蚀刻制程，以构成一具有平台侧壁的半导体组件。

    半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    28.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201413944A

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：TW102125378

    申请日：2013-07-16

    申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

    发明人： 吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7787

    摘要： 一種半導體裝置，其係包含：形成於一基板上的第一半導體層；形成於該第一半導體層上的第二半導體層及第三半導體層；形成於該第三半導體層上的第四半導體層；形成於該第四半導體層上的一閘極；以及經形成而與該第二半導體層接觸的一源極及一汲極。該第三半導體層及該第四半導體層形成於直接在該閘極下面的一區域中，用一p型半導體材料形成該第四半導體層，以及該第二半導體層及該第三半導體層用氮化鋁鎵形成，以及該第三半導體層有低於該第二半導體層的鋁成分比例。

    简体摘要： 一种半导体设备，其系包含：形成于一基板上的第一半导体层；形成于该第一半导体层上的第二半导体层及第三半导体层；形成于该第三半导体层上的第四半导体层；形成于该第四半导体层上的一闸极；以及经形成而与该第二半导体层接触的一源极及一汲极。该第三半导体层及该第四半导体层形成于直接在该闸极下面的一区域中，用一p型半导体材料形成该第四半导体层，以及该第二半导体层及该第三半导体层用氮化铝镓形成，以及该第三半导体层有低于该第二半导体层的铝成分比例。

    半導體裝置及其製造方法
    29.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201403814A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102110994

    申请日：2013-03-27

    申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

    发明人： 安藤裕二 ,  ANDO, YUJI ,  大田一樹 ,  OTA, KAZUKI

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： 本發明係於高電子移動度電晶體中，可於維持常斷開動作之狀態下充分地降低導通電阻，藉此實現包含高電子移動度電晶體之半導體裝置之性能提昇。於通道層CH1與電子供給層ES1之間，設置有帶隙大於電子供給層ES1之帶隙之分隔層SP1。藉此，因分隔層SP1之帶隙較大，而於通道層CH1與電子供給層ES1之界面附近形成有較高之電位障壁(電子障壁)。

    简体摘要： 本发明系于高电子移动度晶体管中，可于维持常断开动作之状态下充分地降低导通电阻，借此实现包含高电子移动度晶体管之半导体设备之性能提升。于信道层CH1与电子供给层ES1之间，设置有带隙大于电子供给层ES1之带隙之分隔层SP1。借此，因分隔层SP1之带隙较大，而于信道层CH1与电子供给层ES1之界面附近形成有较高之电位障壁(电子障壁)。