公开(公告)号：TWI609485B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW103137422

申请日：2010-12-10

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  金 賓毅 ,  JIN, BEEN-YIH ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7782

公开(公告)号：TWI609411B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW104106028

申请日：2015-02-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201742253A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106108748

申请日：2013-11-11

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  查德瑞 安納拉 ,  CHAUDHRY, ANURAG ,  林頓二世 湯瑪士 ,  LINTON, JR., THOMAS ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A. ,  坎恩 克萊恩 ,  KUHN, KELIN J.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明說明了用於CMOS架構的穿隧式場效電晶體(TFET)以及製造N型及P型TFET的方式。例如，一穿隧式場效電晶體(TFET)包含被配置在一基材之上的一同質接面主動區。該同質接面主動區包含其中有一未摻雜通道區之一鬆弛鍺或鍺錫合金基體。該同質接面主動區也包含被配置在該通道區的兩側上的該鬆弛鍺或鍺錫合金基體中之摻雜源極及汲極區。該TFET也包含被配置在該源極及汲極區之間的該通道區上之一閘極堆疊。該閘極堆疊包含一閘極介電質部分及閘極部分。

简体摘要： 本发明说明了用于CMOS架构的穿隧式场效应管(TFET)以及制造N型及P型TFET的方式。例如，一穿隧式场效应管(TFET)包含被配置在一基材之上的一同质接面主动区。该同质接面主动区包含其中有一未掺杂信道区之一松弛锗或锗锡合金基体。该同质接面主动区也包含被配置在该信道区的两侧上的该松弛锗或锗锡合金基体中之掺杂源极及汲极区。该TFET也包含被配置在该源极及汲极区之间的该信道区上之一闸极堆栈。该闸极堆栈包含一闸极介电质部分及闸极部分。

公开(公告)号：TW201737355A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106105772

申请日：2017-02-21

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  西瓦拉曼 西里拉姆 ,  SHIVARAMAN, SHRIRAM ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  米拉德 肯特 ,  MILLARD, KENT E. ,  法藍奇 馬克 ,  FRENCH, MARC C.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775

摘要： 本文揭示電晶體閘極通道配置，及相關方法及裝置。例如，在部分實施例中，電晶體閘極通道配置可包括通道材料及電晶體閘極堆疊。該電晶體閘極堆疊可包括閘極電極材料、設置在該閘極電極材料及該通道材料之間的高k介電質、及設置在該高k介電材料及該通道材料之間的銦鎵鋅氧化物(IGZO)。

简体摘要： 本文揭示晶体管闸极信道配置，及相关方法及设备。例如，在部分实施例中，晶体管闸极信道配置可包括信道材料及晶体管闸极堆栈。该晶体管闸极堆栈可包括闸极电极材料、设置在该闸极电极材料及该信道材料之间的高k介电质、及设置在该高k介电材料及该信道材料之间的铟镓锌氧化物(IGZO)。

公开(公告)号：TW201737325A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106107055

申请日：2013-09-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  巴蘇 迪潘傑 ,  BASU, DIPANJAN ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K. ,  蘇利 沙亞斯 ,  SURI, SATYARTH ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/201 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明說明具有含低帶隙包覆層之通道區域的非平面半導體裝置。例如，半導體裝置包括配置在基板上之複數條奈米線的垂直配置。每一奈米線包括具有第一帶隙的內區域以及圍繞該內區域的一外包覆層。該包覆層具有較低之第二帶隙。閘極堆疊係被配置在每一奈米線的通道區域上並且將它完全圍繞。該閘極堆疊包括配置在該包覆層上並且圍繞它的閘極介電層以及配置在該閘極介電層上的閘極電極。源極與汲極區域係被配置在該奈米線之通道區域的任一側上。

简体摘要： 本发明说明具有含低带隙包覆层之信道区域的非平面半导体设备。例如，半导体设备包括配置在基板上之复数条奈米线的垂直配置。每一奈米线包括具有第一带隙的内区域以及围绕该内区域的一外包覆层。该包覆层具有较低之第二带隙。闸极堆栈系被配置在每一奈米线的信道区域上并且将它完全围绕。该闸极堆栈包括配置在该包覆层上并且围绕它的闸极介电层以及配置在该闸极介电层上的闸极电极。源极与汲极区域系被配置在该奈米线之信道区域的任一侧上。

公开(公告)号：TW201732948A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105138478

申请日：2016-11-23

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  阿格拉瓦 艾希許 ,  AGRAWAL, ASHISH

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

摘要： 本發明的實施方式敘述一種半導體裝置，包含有金屬氧化物半導體場效電晶體的半導體基板，此電晶體具有包含鍺或矽鍺的通道，其中介電質層耦合至通道。介電質層可包含金屬氧化物及至少一額外元素，其中至少一額外元素可增加介電質層的帶隙。閘極電極可耦合至介電質層。其它實施方式可如敘述及/或主張的。

简体摘要： 本发明的实施方式叙述一种半导体设备，包含有金属氧化物半导体场效应管的半导体基板，此晶体管具有包含锗或硅锗的信道，其中介电质层耦合至信道。介电质层可包含金属氧化物及至少一额外元素，其中至少一额外元素可增加介电质层的带隙。闸极电极可耦合至介电质层。其它实施方式可如叙述及/或主张的。

公开(公告)号：TW201732939A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105136484

申请日：2016-11-09

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬 子烜 ,  MA, SEAN T. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  雷奧洛比 納迪亞 ,  RAHHAL-ORABI, NADIA ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/785

摘要： 一種設備包括在基板上的非平坦本體，該本體包括在阻擋材料上的通道、及在該本體上的閘極堆疊，該閘極堆疊包括第一閘極電極材料及第二閘極電極材料，該第一閘極電極材料包括第一功函數、設置於該通道材料上，該第二閘極電極材料包括與該第一功函數不同的第二功函數、設置於該通道材料上及該阻擋材料上。一種方法包括形成非平坦本體於基板上，該非平坦本體包括在阻擋材料上的通道；及形成閘極堆疊於該本體上，該閘極堆疊包括第一閘極電極材料及第二閘極電極材料，該第一閘極電極材料包括第一功函數、設置於該通道上，該第二閘極電極材料包括與該第一功函數不同的第二功函數、設置於該通道上及該阻擋材料上。

简体摘要： 一种设备包括在基板上的非平坦本体，该本体包括在阻挡材料上的信道、及在该本体上的闸极堆栈，该闸极堆栈包括第一闸极电极材料及第二闸极电极材料，该第一闸极电极材料包括第一功函数、设置于该信道材料上，该第二闸极电极材料包括与该第一功函数不同的第二功函数、设置于该信道材料上及该阻挡材料上。一种方法包括形成非平坦本体于基板上，该非平坦本体包括在阻挡材料上的信道；及形成闸极堆栈于该本体上，该闸极堆栈包括第一闸极电极材料及第二闸极电极材料，该第一闸极电极材料包括第一功函数、设置于该信道上，该第二闸极电极材料包括与该第一功函数不同的第二功函数、设置于该信道上及该阻挡材料上。

公开(公告)号：TWI599047B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW105135536

申请日：2014-01-15

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  卡琴恩 潔西卡 ,  KACHIAN, JESSICA S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78609 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201727724A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106112385

申请日：2012-12-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  卡貝海 桑納茲 ,  KABEHIE, SANAZ ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/41725 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66628

摘要： 一晶粒包含半導電凸起部及一在該凸起部上之表面摻雜結構。該表面摻雜結構製成與觸點金屬化層接觸。該凸起部可為用於電晶體之源極或汲極觸點。製成該表面摻雜結構之方法包含濕式蒸氣及植入技術，及包含退火技術，以將該表面摻雜僅只打入至該半導電凸起部中之近表面深度。

简体摘要： 一晶粒包含半导电凸起部及一在该凸起部上之表面掺杂结构。该表面掺杂结构制成与触点金属化层接触。该凸起部可为用于晶体管之源极或汲极触点。制成该表面掺杂结构之方法包含湿式蒸气及植入技术，及包含退火技术，以将该表面掺杂仅只打入至该半导电凸起部中之近表面深度。

公开(公告)号：TWI592993B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105108267

申请日：2013-11-28

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  薛力格 南西 ,  ZELICK, NANCY M.

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1033 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696