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61.发明专利展現相當於安裝於其上之基板之有效熱膨脹係數的晶粒及其製作程序 DIE EXHIBITING AN EFFECTIVE COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION EQUIVALENT TO A SUBSTRATE MOUNTED THEREON, AND PROCESSES OF MAKING SAME 审中-公开展现相当于安装于其上之基板之有效热膨胀系数的晶粒及其制作进程 DIE EXHIBITING AN EFFECTIVE COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION EQUIVALENT TO A SUBSTRATE MOUNTED THEREON, AND PROCESSES OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200917434A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097145165
申请日：2005-09-23
发明人： 胡傳 HU, CHUAN , 史蒂芬 陶兒 TOWLE, STEVEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/142 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29101 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/82039 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 變薄之晶粒被配置於散熱片上,並且藉由包含金-錫焊劑之熱介面材料(TIM)來予以接合,此變薄之晶粒展現一實質上匹配散熱片之CTE的晶粒-有效熱膨脹係數(CTE),接合晶粒之製程包含熱接合,在將晶粒接合於電氣內插板之前先將變薄之晶粒接合於散熱片之製程。電腦系統包含被金-錫接合於散熱片之半導體晶粒,並且電腦系統被耦接到至少一輸送-輸出裝置。
简体摘要： 变薄之晶粒被配置于散热片上,并且借由包含金-锡焊剂之热界面材料(TIM)来予以接合,此变薄之晶粒展现一实质上匹配散热片之CTE的晶粒-有效热膨胀系数(CTE),接合晶粒之制程包含热接合,在将晶粒接合于电气内插板之前先将变薄之晶粒接合于散热片之制程。电脑系统包含被金-锡接合于散热片之半导体晶粒,并且电脑系统被耦接到至少一输送-输出设备。
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62.发明专利具有插入器之翻轉晶片,以及製造其之方法 FLIP CHIP WITH INTERPOSER, AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开具有插入器之翻转芯片,以及制造其之方法 FLIP CHIP WITH INTERPOSER, AND METHODS OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200908243A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097113428
申请日：2008-04-11
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本發明所揭示之器件包括一包含一積體電路之晶粒及一與該晶粒耦合之插入器,該插入器具有一比該晶粒還小的佔據面積。所揭示之一種方法包括:可操作地耦合一插入器至一包含一積體電路之晶粒,該插入器的佔據面積小於該晶粒的佔據面積;及以一側填滿材料填充該插入器與晶粒之間的空隙。
简体摘要： 本发明所揭示之器件包括一包含一集成电路之晶粒及一与该晶粒耦合之插入器,该插入器具有一比该晶粒还小的占据面积。所揭示之一种方法包括:可操作地耦合一插入器至一包含一集成电路之晶粒,该插入器的占据面积小于该晶粒的占据面积;及以一侧填满材料填充该插入器与晶粒之间的空隙。
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63.发明专利具有多晶片重新分配之半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE DIE REDISTRIBUTION LAYER AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开具有多芯片重新分配之半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE DIE REDISTRIBUTION LAYER AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200847367A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096150649
申请日：2007-12-27
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明揭示一種具有多晶粒重新分配層之半導體裝置及其形成方法。在一晶圓上製造半導體之後並在從該晶圓切割之前,相鄰半導體晶粒係一起組對且一重新分配層可橫跨該晶粒對而形成。該重新分配層可用於將接合墊之至少一部分從該對中的第一晶粒重新分配至該對中的一第二晶粒。在各對中的一晶粒將會係一工作晶粒而在各對中的另一晶粒將會係一虛設晶粒。會至少部分犧牲在該虛設晶粒上在該重新分配層下面的積體電路功能。
简体摘要： 本发明揭示一种具有多晶粒重新分配层之半导体设备及其形成方法。在一晶圆上制造半导体之后并在从该晶圆切割之前,相邻半导体晶粒系一起组对且一重新分配层可横跨该晶粒对而形成。该重新分配层可用于将接合垫之至少一部分从该对中的第一晶粒重新分配至该对中的一第二晶粒。在各对中的一晶粒将会系一工作晶粒而在各对中的另一晶粒将会系一虚设晶粒。会至少部分牺牲在该虚设晶粒上在该重新分配层下面的集成电路功能。
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64.发明专利具有突出接觸的3D互聯 3D INTERCONNECT WITH PROTRUDING CONTACTS 失效具有突出接触的3D互联 3D INTERCONNECT WITH PROTRUDING CONTACTS
公开(公告)号：TWI298928B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW094130700
申请日：2005-09-07
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/72 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13144 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本發明關於具有突出接觸之一半導體,其包含具有實質位於第一基底內的至少一互聯之第一半導體基底、以及具有實質接觸至少一互聯的至少一突出觸點之第二半導體基底。
简体摘要： 本发明关于具有突出接触之一半导体,其包含具有实质位于第一基底内的至少一互联之第一半导体基底、以及具有实质接触至少一互联的至少一突出触点之第二半导体基底。
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65.发明专利半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开半导体设备之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200828474A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096149165
申请日：2007-12-21
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/49171 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15192 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： 本發明係關於一種半導體裝置之製造方法,該方法包括;a)製備一類型的ASIC晶片;b)製備彼此不同的記憶體晶片;c)製備一共同電路基板;d)製備包括具有記憶體晶片端子及外部連接端子之佈線圖案的基座端子晶片;e)藉由覆晶結合將ASIC晶片安裝於共同電路基板上;f)將基座端子晶片緊固於ASIC晶片上;g)將其中一個記憶體晶片安裝於基座端子晶片上;h)使用第一導線將位於該其中一個記憶體晶片上之端子電連接至記憶體晶片端子;及i)使用第二導線將外部連接端子電連接至位於共同電路基板上之端子。
简体摘要： 本发明系关于一种半导体设备之制造方法,该方法包括;a)制备一类型的ASIC芯片;b)制备彼此不同的内存芯片;c)制备一共同电路基板;d)制备包括具有内存芯片端子及外部连接端子之布线图案的基座端子芯片;e)借由覆晶结合将ASIC芯片安装于共同电路基板上;f)将基座端子芯片紧固于ASIC芯片上;g)将其中一个内存芯片安装于基座端子芯片上;h)使用第一导线将位于该其中一个内存芯片上之端子电连接至内存芯片端子;及i)使用第二导线将外部连接端子电连接至位于共同电路基板上之端子。
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66.发明专利埋入半導體晶片之電路板結構及其製法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE WITH EMBEDDED SEMICONDUCTOR CHIP AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开埋入半导体芯片之电路板结构及其制法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE WITH EMBEDDED SEMICONDUCTOR CHIP AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200810060A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW095128265
申请日：2006-08-02
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24227 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H05K3/4644 , H05K2201/10674 , H05K2203/063
摘要： 一種埋入半導體晶片之電路板結構及其製法,主要係提供一具主動面之半導體晶圓,而該主動面具有複數電極墊,於該電極墊上形成有一連接金屬層;於該連接金屬層表面及半導體晶圓表面形成一保護層,並進行切割製程以形成複數半導體晶片;提供一具有至少一開口之承載板以將該半導體晶片接置於該開口中;以及於該承載板及該半導體晶片表面之保護層上依序形成一介電層及線路層,且該線路層得以電性連接至該半導體晶片之連接金屬層。因此,本發明可藉由形成於該半導體晶片表面之保護層保護覆蓋在其下之連接金屬層不被氧化及污染,而具有簡化製程、降低製程成本及縮短製程時間之優點。
简体摘要： 一种埋入半导体芯片之电路板结构及其制法,主要系提供一具主动面之半导体晶圆,而该主动面具有复数电极垫,于该电极垫上形成有一连接金属层;于该连接金属层表面及半导体晶圆表面形成一保护层,并进行切割制程以形成复数半导体芯片;提供一具有至少一开口之承载板以将该半导体芯片接置于该开口中;以及于该承载板及该半导体芯片表面之保护层上依序形成一介电层及线路层,且该线路层得以电性连接至该半导体芯片之连接金属层。因此,本发明可借由形成于该半导体芯片表面之保护层保护覆盖在其下之连接金属层不被氧化及污染,而具有简化制程、降低制程成本及缩短制程时间之优点。
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67.发明专利層疊、互連半導體封裝及層疊、互連半導體封裝之方法 STACKED, INTERCONNECTED SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHOD OF STACKING AND INTERCONNECTING SEMICONDUCTOR PACKAGES 失效层叠、互连半导体封装及层叠、互连半导体封装之方法 STACKED, INTERCONNECTED SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHOD OF STACKING AND INTERCONNECTING SEMICONDUCTOR PACKAGES
公开(公告)号：TW200807665A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096120561
申请日：2007-06-07
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/105 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1064 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本發明揭示一種電子元件,其包括複數個層疊半導體封裝。第一此種實施例包括一用於電耦接該等層疊半導體封裝之內部連接器。第二此種實施例包括一用於電耦接該等層疊半導體封裝之外部連接器。
简体摘要： 本发明揭示一种电子组件,其包括复数个层叠半导体封装。第一此种实施例包括一用于电耦接该等层叠半导体封装之内部连接器。第二此种实施例包括一用于电耦接该等层叠半导体封装之外部连接器。
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68.发明专利用於晶片堆疊,晶片及晶圓結合之方法及材料 METHODS AND MATERIALS USEFUL FOR CHIP STACKING, CHIP AND WAFER BONDING 审中-公开用于芯片堆栈,芯片及晶圆结合之方法及材料 METHODS AND MATERIALS USEFUL FOR CHIP STACKING, CHIP AND WAFER BONDING
公开(公告)号：TW200802752A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096109717
申请日：2007-03-21
发明人： 亞帕納斯 克里斯 APANIUS, CHRIS , 徐克 羅伯特A SHICK, ROBERT A. , 黃清海 NG, HENDRA , 貝爾 安德魯 BELL, ANDREW , 尼歐 菲爾 NEAL, PHIL , 張偉 ZHANG, WEI
CPC分类号： H01L24/29 , C08F32/00 , C08G64/0208 , C09D145/00 , H01L24/13 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/274 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/838 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06575 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/19042 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/05599
摘要： 茲揭示有利於形成晶片推疊、晶片及晶圓結合以及晶圓薄化的材料以及使用該等材料的方法。該等方法及材料係提供强鍵同時也容易移除而沒有殘留物或很少。
简体摘要： 兹揭示有利于形成芯片推叠、芯片及晶圆结合以及晶圆薄化的材料以及使用该等材料的方法。该等方法及材料系提供强键同时也容易移除而没有残留物或很少。
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69.发明专利三度空間積體電路及其形成方法 THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开三度空间集成电路及其形成方法 THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200802690A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096114358
申请日：2007-04-24
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/81894 , H01L2224/83894 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/83
摘要： 本發明係提供一種三度空間積體電路結構,包括至少第一及第二元件,每一元件包括一基板,且一元件層形成於該基板之上。第一及第二元件互相接合,其中第一及第二元件的接合包括金屬-金屬的接合及非金屬-非金屬的接合。
简体摘要： 本发明系提供一种三度空间集成电路结构,包括至少第一及第二组件,每一组件包括一基板,且一组件层形成于该基板之上。第一及第二组件互相接合,其中第一及第二组件的接合包括金属-金属的接合及非金属-非金属的接合。
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公开(公告)号：TW200746377A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095126238
申请日：2006-07-18
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49531 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/49433 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： 本揭示內容提供積體電路封裝,其包括一引線框,具有定位於該引線框周邊附近且在一中心接地腳座周圍之多個I/O焊墊,一具有定位於該中心接地腳座上之導電晶粒端子之積體電路晶粒,及定位於該中心接地腳座上且與該中心接地腳座電連接的多個接地電路焊墊。導電I/O電路焊墊經排列在該晶粒周圍且在該等接地電路焊墊與該等I/O焊墊之間,每一I/O電路焊墊電連接至該等I/O焊墊其中之一。導電接合線將晶粒端子中之一或多者連接至一或多個I/O電路焊墊或一或多個接地電路焊墊。在特定實施例中,本揭示內容進一步提供一積體電路,其經定位以嚙合與該等晶粒端子電連接之積體電路晶粒。本揭示內容亦關於封裝一積體電路以減小封裝寄生問題之方法。
简体摘要： 本揭示内容提供集成电路封装,其包括一引线框,具有定位于该引线框周边附近且在一中心接地脚座周围之多个I/O焊垫,一具有定位于该中心接地脚座上之导电晶粒端子之集成电路晶粒,及定位于该中心接地脚座上且与该中心接地脚座电连接的多个接地电路焊垫。导电I/O电路焊垫经排列在该晶粒周围且在该等接地电路焊垫与该等I/O焊垫之间,每一I/O电路焊垫电连接至该等I/O焊垫其中之一。导电接合线将晶粒端子中之一或多者连接至一或多个I/O电路焊垫或一或多个接地电路焊垫。在特定实施例中,本揭示内容进一步提供一集成电路,其经定位以啮合与该等晶粒端子电连接之集成电路晶粒。本揭示内容亦关于封装一集成电路以减小封装寄生问题之方法。
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