公开(公告)号：TWI556334B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW100125395

申请日：2011-07-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  張文耀 ,  CHANG, WEN YAO ,  汪青蓉 ,  WANG, CHIEN RHONE ,  左克偉 ,  ZUO, KEWEI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81098 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13139

公开(公告)号：TWI369732B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW096111390

申请日：2007-03-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王靜亞 ,  吳文進 ,  羅冠騰 ,  汪青蓉

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

Abstract: 一種半導體製程，包括提供具有介電層形成於上的基材，然後在介電層上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定義出開口，然後透過這些開口蝕刻介電層。接著以蝕刻物質處理部分的光阻遮罩，並以超臨界流體移除這些光阻遮罩上處理的部分。一種半導體製程的反應室，能使上述之蝕刻、處理及移除製程於此單一之反應室中進行。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体制程，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮罩上处理的部分。一种半导体制程的反应室，能使上述之蚀刻、处理及移除制程于此单一之反应室中进行。

公开(公告)号：TWI497675B

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：TW101142758

申请日：2012-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴志維 ,  LAI, CHIH WEI ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  楊宗翰 ,  YANG, TZONG HANN ,  汪青蓉 ,  WANG, CHIEN RHONE ,  張家棟 ,  CHANG, CHIA TUNG ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG JUI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: G06F17/5077 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/488 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

公开(公告)号：TW201426887A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102126306

申请日：2013-07-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉雁欣 ,  LIU, YENHSIN ,  陳慶和 ,  CHEN, CINGHE ,  左克偉 ,  ZUO, KEWEI ,  汪青蓉 ,  WANG, CHIENRHONE

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/10 ,  H01L23/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/19105

Abstract: 一方法實施例包括藉由貼附一晶片至一封裝基板，形成一封裝單元，施行一電漿處理至封裝基底的一第一部分，其中第一部分相對於封裝基板位於晶片下方的部分，電漿處理不施加於封裝基板的一第二部分，其中封裝基板的第二部分環繞封裝基板的第一部份，以及施加一底部填充材料至封裝基板的第一部份上。

Abstract in simplified Chinese: 一方法实施例包括借由贴附一芯片至一封装基板，形成一封装单元，施行一等离子处理至封装基底的一第一部分，其中第一部分相对于封装基板位于芯片下方的部分，等离子处理不施加于封装基板的一第二部分，其中封装基板的第二部分环绕封装基板的第一部份，以及施加一底部填充材料至封装基板的第一部份上。

公开(公告)号：TW201230215A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100125395

申请日：2011-07-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  張文耀 ,  汪青蓉 ,  左克偉 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81098 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13139

Abstract: 本發明揭示一種回流製程方法。將位於一第一工作部件與一第二工作部件之間的複數個焊料凸塊加熱至熔融狀態;在焊料凸塊的一凝固階段期間,以一第一冷卻速率對焊料凸塊進行冷卻。在完成凝固階段之後,以低於第一冷卻速率的一第二冷卻速率對焊料凸塊進行冷卻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种回流制程方法。将位于一第一工作部件与一第二工作部件之间的复数个焊料凸块加热至熔融状态;在焊料凸块的一凝固阶段期间,以一第一冷却速率对焊料凸块进行冷却。在完成凝固阶段之后,以低于第一冷却速率的一第二冷却速率对焊料凸块进行冷却。

公开(公告)号：TWI534952B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102124132

申请日：2013-07-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 汪青蓉 ,  WANG, CHIEN RHONE ,  左克偉 ,  ZUO, KEWEI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉雁欣 ,  LIU, YEN HSIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TWI365918B

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：TW095135500

申请日：2006-09-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  黃見翎 ,  許志成 ,  許呈鏘 ,  汪青蓉 ,  余振華

IPC: C23C

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3479 ,  H01J37/3482

Abstract: 本發明提供一種可消耗材料的厚板，包括至少一偵測器，用以對於該可消耗材料的厚板接近或已經減少至該可消耗材料的一既定量發出訊號。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可消耗材料的厚板，包括至少一侦测器，用以对于该可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。

公开(公告)号：TWI338911B

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：TW096111769

申请日：2007-04-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  邱文智 ,  吳文進 ,  汪青蓉 ,  涂宏榮 ,  楊固峰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體裝置之製造方法，包括：形成至少一電晶體於一第一基底上、至少一第一假結構於該第一基底內、以及至少一導電結構穿透部份之該第一基底之表面並部分位於該假結構之一表面上；形成一層間介電層於該電晶體上，該層間介電層包括至少一接觸結構形成於其內，該接觸結構電性接觸該電晶體；形成一保護層於該層間介電層上，該保護層包括至少一第一銲墊結構形成於其內，該第一銲墊結構電性連結該第一導電結構；連結該第一基板與一第二基板；至少移除部份之該第一假結構，以形成一第一開口；以及於該第一開口內形成導電材料，以形成一第二導電結構，該第二導電結構電性耦接於該第一導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之制造方法，包括：形成至少一晶体管于一第一基底上、至少一第一假结构于该第一基底内、以及至少一导电结构穿透部份之该第一基底之表面并部分位于该假结构之一表面上；形成一层间介电层于该晶体管上，该层间介电层包括至少一接触结构形成于其内，该接触结构电性接触该晶体管；形成一保护层于该层间介电层上，该保护层包括至少一第一焊垫结构形成于其内，该第一焊垫结构电性链接该第一导电结构；链接该第一基板与一第二基板；至少移除部份之该第一假结构，以形成一第一开口；以及于该第一开口内形成导电材料，以形成一第二导电结构，该第二导电结构电性耦接于该第一导电结构。

公开(公告)号：TWI319440B

公开(公告)日：2010-01-11

申请号：TW095135498

申请日：2006-09-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  余振華 ,  汪青蓉 ,  許呈鏘

IPC: C23C ,  G01D

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3479 ,  H01J37/3482 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/4998

Abstract: 本發明提供一種指示器的形成方法，包括下列步驟：提供一塊狀材料；形成複數個貫穿孔於該塊狀材料中；以及分割該塊狀材料以成為複數個分離的構件，每個構件包括一個上述貫穿孔，其中每個構件形成該指示器的圍封物，該指示器是用來對於一可消耗材料的厚板接近或已經減少至該可消耗材料的一既定量發出訊號。 A method of forming an indicator is provided. A bulk material is provided. A plurality of bores are formed in the bulk material. The bulk material is then separated into a plurality of discrete units each comprising one of the bores, wherein each of the units forms an enclosure of the indicator for signaling that a slab of consumable material is approaching or has been reduced to a predetermined quantity of the consumable material. 【創作特點】 有鑑於此，本發明的實施例之一提供一種指示器的形成方法，包括下列步驟：提供一塊狀材料；形成複數個貫穿孔於該塊狀材料中；以及分割該塊狀材料以成為複數個分離的構件，每個構件包括一個上述貫穿孔(bores)，其中每個構件形成該指示器的圍封物(enclosure)，該指示器是用來對於一可消耗材料的厚板接近或已經減少至該可消耗材料的一既定量發出訊號。
本發明的另一實施例提供一種指示器的形成方法，包括下列步驟：提供一第一模具構件，其具有一既定形狀的外表面；形成一材料層於該第一模具構件的外表面上；以及由該第一模具構件將該材料層分離，其中該材料形成該指示器的圍封物，該指示器是用來對於一可消耗材料的厚板接近或已經減少至該可消耗材料的一既定量發出訊號。
再者，本發明又一實施例提供一種指示器的形成方法，包括下列步驟：提供一模具構件，其具有一既定形狀的外表面；形成一材料薄板於該模具構件的外表面上；以及將該薄板彼此相對的邊緣接合在一起，以形成該指示器的一圍封物，其中該指示器是用來對於一可消耗材料的厚板接近或已經減少至該可消耗材料的一既定量發出訊號。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一块状材料；形成复数个贯穿孔于该块状材料中；以及分割该块状材料以成为复数个分离的构件，每个构件包括一个上述贯穿孔，其中每个构件形成该指示器的围封物，该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。 A method of forming an indicator is provided. A bulk material is provided. A plurality of bores are formed in the bulk material. The bulk material is then separated into a plurality of discrete units each comprising one of the bores, wherein each of the units forms an enclosure of the indicator for signaling that a slab of consumable material is approaching or has been reduced to a predetermined quantity of the consumable material. 【创作特点】 有鉴于此，本发明的实施例之一提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一块状材料；形成复数个贯穿孔于该块状材料中；以及分割该块状材料以成为复数个分离的构件，每个构件包括一个上述贯穿孔(bores)，其中每个构件形成该指示器的围封物(enclosure)，该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。 本发明的另一实施例提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一第一模具构件，其具有一既定形状的外表面；形成一材料层于该第一模具构件的外表面上；以及由该第一模具构件将该材料层分离，其中该材料形成该指示器的围封物，该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。 再者，本发明又一实施例提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一模具构件，其具有一既定形状的外表面；形成一材料薄板于该模具构件的外表面上；以及将该薄板彼此相对的边缘接合在一起，以形成该指示器的一围封物，其中该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。

公开(公告)号：TW201403757A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102124132

申请日：2013-07-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 汪青蓉 ,  WANG, CHIEN RHONE ,  左克偉 ,  ZUO, KEWEI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉雁欣 ,  LIU, YEN HSIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/12

Abstract: 本發明揭露關於形成具有一或更多個矽通孔(through silicon via,TSV)特徵之IC結構之積體電路製造方法及其實施方式。該積體電路製造方法包括：執行複數個處理步驟；由該複數個處理步驟收集實體量測資料(physical metrology data)；基於該實體量測資料，由該複數個處理步驟收集虛擬量測資料(virtual metrology data)；基於該實體量測資料及該虛擬量測資料，產生積體電路結構之良率預測；及基於該良率預測，鑑別在一稍早處理步驟(an earlier processing step)中之一動作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露关于形成具有一或更多个硅通孔(through silicon via,TSV)特征之IC结构之集成电路制造方法及其实施方式。该集成电路制造方法包括：运行复数个处理步骤；由该复数个处理步骤收集实体量测数据(physical metrology data)；基于该实体量测数据，由该复数个处理步骤收集虚拟量测数据(virtual metrology data)；基于该实体量测数据及该虚拟量测数据，产生集成电路结构之良率预测；及基于该良率预测，鉴别在一稍早处理步骤(an earlier processing step)中之一动作。