公开(公告)号：TWI493692B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW096127345

申请日：2007-07-26

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 湯川幹央 ,  YUKAWA, MIKIO ,  杉澤希 ,  SUGISAWA, NOZOMU

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/112 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/84 ,  H01L24/12 ,  H01L24/28 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/1203 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW200919597A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097117658

申请日：2004-10-18

申请人： 米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION

发明人： 林茂雄 LIN, MOU SHIUNG ,  周秋明 CHOU, CHIU MING ,  周健康 CHOU, CHIEN KANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/29075

摘要： 一種半導體晶片,適於電性連接一電路連接構件,半導體晶片包括一線路及一凸塊,凸塊係連接線路且適於電性連接電路連接構件,定義一平面,此平面係大致上平行於半導體晶片之一主動表面,其中線路與凸塊連接的區域投影至此平面上的面積比如係大於30,000平方微米,或者線路與凸塊連接的區域投影至此平面上的延伸距離比如係大於500微米。

简体摘要： 一种半导体芯片,适于电性连接一电路连接构件,半导体芯片包括一线路及一凸块,凸块系连接线路且适于电性连接电路连接构件,定义一平面,此平面系大致上平行于半导体芯片之一主动表面,其中线路与凸块连接的区域投影至此平面上的面积比如系大于30,000平方微米,或者线路与凸块连接的区域投影至此平面上的延伸距离比如系大于500微米。

公开(公告)号：TW200847306A

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：TW096123192

申请日：2007-06-27

申请人： 國家半導體公司 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 海揚 銘 MIN, HEIKYUNG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 一種用於積體電路(IC)結構之導電性凸塊結構,其係包含諸如氧化矽/氮化矽堆疊之被動層,該被動層係形成於IC之各個導電性接點墊(例如Al墊)的上方表面之上。複數個開口延伸穿過被動層而暴露該接點墊之上方表面的區域。該等開口在縱向尺寸上係比橫向尺寸更大。較佳地,包含金(Au)之導電性凸塊係形成於被動層之上,而延伸穿過該被動層中之該等開口,且與接點墊之所曝露的上方表面區域電性接觸。

简体摘要： 一种用于集成电路(IC)结构之导电性凸块结构,其系包含诸如氧化硅/氮化硅堆栈之被动层,该被动层系形成于IC之各个导电性接点垫(例如Al垫)的上方表面之上。复数个开口延伸穿过被动层而暴露该接点垫之上方表面的区域。该等开口在纵向尺寸上系比横向尺寸更大。较佳地,包含金(Au)之导电性凸块系形成于被动层之上,而延伸穿过该被动层中之该等开口,且与接点垫之所曝露的上方表面区域电性接触。

公开(公告)号：TW200844545A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097100402

申请日：2008-01-04

申请人： 愛普生映像元器件有限公司 EPSON IMAGING DEVICES CORPORATION

发明人： 長谷川多哉 HASEGAWA, KAZUYA ,  奧田辰美 OKUDA, TATSUMI

IPC分类号： G02F

CPC分类号： G02F1/13452 ,  H01L22/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/147 ,  H05K2201/09027 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明係一種發光裝置及電子機器,其課題為:針對在具有可撓性配線基板的光電裝置,即使構成光電面板之基板為薄的情況,亦可防止其基板產生破損,而解決手段為液晶面板3之下基板21係具有從上基板22伸出的展開部24,FPC基板11係具有可撓性基板,和設置於基材上之導電圖案46,並FPC基板11係使用ACF37而連接於下基板21之展開部24,FPC基板11係具有黏接於展開部24之寬廣部分11a,和連接至寬廣部分11a之同時,從伸出方向的端邊48a延伸出外方之窄幅部分11c,寬廣部分11a之窄幅部分11c側的端邊48a係與伸出方向的端邊24c的位置一致,或位於較伸出方向的端邊24之位置為內側。

简体摘要： 本发明系一种发光设备及电子机器,其课题为:针对在具有可挠性配线基板的光电设备,即使构成光电皮肤之基板为薄的情况,亦可防止其基板产生破损,而解决手段为液晶皮肤3之下基板21系具有从上基板22伸出的展开部24,FPC基板11系具有可挠性基板,和设置于基材上之导电图案46,并FPC基板11系使用ACF37而连接于下基板21之展开部24,FPC基板11系具有黏接于展开部24之宽广部分11a,和连接至宽广部分11a之同时,从伸出方向的端边48a延伸出外方之窄幅部分11c,宽广部分11a之窄幅部分11c侧的端边48a系与伸出方向的端边24c的位置一致,或位于较伸出方向的端边24之位置为内侧。

公开(公告)号：TWI297125B

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：TW094109083

申请日：2005-03-24

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 石川直樹 ISHIKAWA, NAOKI ,  馬場俊二 BABA, SHUNJI ,  吉良秀彥 KIRA, HIDEHIKO ,  小林弘 KOBAYASHI, HIROSHI

IPC分类号： G06K ,  G06F

CPC分类号： H01L24/12 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/816 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49018 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本發明係提供一以非接觸方式與一外部裝置交換資訊之射頻識別(RFID)標籤，其中使用一膏劑作為用於一天線之一材料，且其設計成可避免凸塊的沉降。一用於限制當電路晶片連接至一天線時由於一壓抵力造成一電路晶片的凸塊產生沉降之阻止器係在一與凸塊相鄰之位置處設置於電路晶片或一基底上。

简体摘要： 本发明系提供一以非接触方式与一外部设备交换信息之射频识别(RFID)标签，其中使用一膏剂作为用于一天线之一材料，且其设计成可避免凸块的沉降。一用于限制当电路芯片连接至一天线时由于一压抵力造成一电路芯片的凸块产生沉降之阻止器系在一与凸块相邻之位置处设置于电路芯片或一基底上。

公开(公告)号：TWI288885B

公开(公告)日：2007-10-21

申请号：TW094120947

申请日：2005-06-23

申请人： 關卡系統股份有限公司 CHECKPOINT SYSTEMS, INC.

发明人： 克萊利 湯瑪斯J. CLARE, THOMAS J. ,  柯堤 安德烈 COTE, ANDRE ,  伊克斯汀 艾立克 ECKSTEIN, ERIC

IPC分类号： G06K

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K20/004 ,  B23K2201/32 ,  B23K2201/40 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67132 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T156/12 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明係描述一用以結合獨特地適合大量標籤製造的積體電路之方法及裝置，其中位於晶粒接附區域之一基材的傳導材料係在一 IC晶片或轉發器配置於切割部上方的傳導材料上及結合之前受到切割。該裝置係進行包括下列之方法，將一第一晶片配置於一具有一傳導層的基材上、測量基材上之第一晶片的部位、以第一晶片的測得部位為基礎來切割一預計後續配置的晶片之一部位處之傳導層以形成一切口、及在切口上方將後續配置的晶片配置於基材上。

简体摘要： 本发明系描述一用以结合独特地适合大量标签制造的集成电路之方法及设备，其中位于晶粒接附区域之一基材的传导材料系在一 IC芯片或转发器配置于切割部上方的传导材料上及结合之前受到切割。该设备系进行包括下列之方法，将一第一芯片配置于一具有一传导层的基材上、测量基材上之第一芯片的部位、以第一芯片的测得部位为基础来切割一预计后续配置的芯片之一部位处之传导层以形成一切口、及在切口上方将后续配置的芯片配置于基材上。

公开(公告)号：TWI240336B

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：TW092106222

申请日：2003-03-20

申请人： 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION

发明人： 鹽澤雅邦 SHIOZAWA, MASAKUNI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/008 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明的課題在於可以進行複數單位的回流處理，而使能夠謀求生產性的提升。
其解決手段是在於使回流爐61沿著捲帶基板50的搬送方向移動，且固定於配合電路基板51的製品間距的位置，而使加熱區塊71a~71c、72a~72c、73a~73c、74a~74c及冷區塊75a~75c的其中之一能夠對準電路基板51的製品間距。藉此，由於不必對製品間距不同的各個電路基板51設定加熱處理時間，因此可連續對連接製品間距不同的電路基板51之捲帶基板50進行回流處理。

简体摘要： 本发明的课题在于可以进行复数单位的回流处理，而使能够谋求生产性的提升。 其解决手段是在于使回流炉61沿着卷带基板50的搬送方向移动，且固定于配合电路基板51的制品间距的位置，而使加热区块71a~71c、72a~72c、73a~73c、74a~74c及冷区块75a~75c的其中之一能够对准电路基板51的制品间距。借此，由于不必对制品间距不同的各个电路基板51设置加热处理时间，因此可连续对连接制品间距不同的电路基板51之卷带基板50进行回流处理。

公开(公告)号：TW550997B

公开(公告)日：2003-09-01

申请号：TW091123553

申请日：2002-10-14

申请人： 松下電器產業股份有限公司

发明人： 朝日 俊行 ,  菅谷康博 ,  小松 慎五 ,  山本義之 ,  中谷 誠一

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/24 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/186 ,  H05K3/20 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/061 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075

摘要： 本發明之元件內藏模組，係含有：電氣絕緣層(101)、在前述電氣絕緣層(101)的兩表面上一體化形成之配線(102、106)、及用以連接前述配線(102、106)間之導通孔(103)，於前述電氣絕緣層(101)的內部，埋設有選自電子元件及半導體之至少一種元件(104)所成者。前述配線(102、106)的至少一方側，係以形成於配線基板(109)的表面之配線(106)所構成，埋設於前述電氣絕緣層(101)的內部之元件(104)，係於埋設之前搭載於配線基板(109)上構成一體化。藉此，於內藏之前，可對半導體等之元件進行構裝檢查或特性檢查。其結果，可提高良率。且由於係將配線基板一體化而進行埋設，故可提高強度。

简体摘要： 本发明之组件内藏模块，系含有：电气绝缘层(101)、在前述电气绝缘层(101)的两表面上一体化形成之配线(102、106)、及用以连接前述配线(102、106)间之导通孔(103)，于前述电气绝缘层(101)的内部，埋设有选自电子组件及半导体之至少一种组件(104)所成者。前述配线(102、106)的至少一方侧，系以形成于配线基板(109)的表面之配线(106)所构成，埋设于前述电气绝缘层(101)的内部之组件(104)，系于埋设之前搭载于配线基板(109)上构成一体化。借此，于内藏之前，可对半导体等之组件进行构装检查或特性检查。其结果，可提高良率。且由于系将配线基板一体化而进行埋设，故可提高强度。

公开(公告)号：TW201517139A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW104102471

申请日：2006-10-05

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 吉岡明彥 ,  鈴木進也

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  G09G3/36

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 本發明提供一種可使半導體晶片尺寸縮小化之技術。 首先，於絕緣膜9上設置焊墊10以及除焊墊以外之佈線11a、11b。於包含該焊墊10及佈線11a、11b之絕緣膜9上，形成表面保護膜12，並於表面保護膜12上設置開口部13。開口部13形成於焊墊10上，使焊墊10之表面露出。於包含該開口部13之表面保護膜12上形成有凸塊電極8。此處形成焊墊10之尺寸充分小於凸塊電極8之結構。藉此，可將佈線11a、11b配置於凸塊電極8之正下方與焊墊10同一層中。即，將佈線11a、11b配置於因縮小焊墊10之尺寸而形成之凸塊電極8之下部空間。

简体摘要： 本发明提供一种可使半导体芯片尺寸缩小化之技术。 首先，于绝缘膜9上设置焊垫10以及除焊垫以外之布线11a、11b。于包含该焊垫10及布线11a、11b之绝缘膜9上，形成表面保护膜12，并于表面保护膜12上设置开口部13。开口部13形成于焊垫10上，使焊垫10之表面露出。于包含该开口部13之表面保护膜12上形成有凸块电极8。此处形成焊垫10之尺寸充分小于凸块电极8之结构。借此，可将布线11a、11b配置于凸块电极8之正下方与焊垫10同一层中。即，将布线11a、11b配置于因缩小焊垫10之尺寸而形成之凸块电极8之下部空间。

公开(公告)号：TW201144405A

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：TW100113519

申请日：2011-04-19

申请人： 索尼化學資訊設備股份有限公司

发明人： 石松朋之 ,  浜地浩史 ,  尾怜司

IPC分类号： C09J ,  C08K ,  B32B ,  H01L ,  H05K

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08K9/04 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  C09J2203/326 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係提供一種含有導電性粒子、膜形成樹脂、基聚合性化合物、產生自由基的硬化劑、及由(甲基)丙烯酸磷酸酯與胺系矽烷偶合劑所獲得的胺鹽之異方性導電膜。

简体摘要： 本发明系提供一种含有导电性粒子、膜形成树脂、基聚合性化合物、产生自由基的硬化剂、及由(甲基)丙烯酸磷酸酯与胺系硅烷偶合剂所获得的胺盐之异方性导电膜。