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公开(公告)号：TWI555074B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101103483
申请日：2012-02-03
Inventor： 林俊成 , LIN, JING CHENG , 黃震麟 , HUANG, CHENG LIN , 盧思維 , LU, SZU WEI , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC: H01L21/304 , H01L25/04
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI525720B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW102148373
申请日：2013-12-26
Inventor： 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 林儀柔 , LIN, YI JOU , 陳碩懋 , CHEN, SHUO MAO , 葉炅翰 , YEH, CHIUNG HAN , 葉德強 , YEH, DER CHYANG
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76843 , H01L21/82 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/82
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公开(公告)号：TWI512812B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101113415
申请日：2012-04-16
Inventor： 茅一超 , MAO, YI CHAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L22/26 , B24B7/228 , B24B37/013 , B24B49/10 , H01L22/12 , H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201503268A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103104684
申请日：2014-02-13
Inventor： 蔡柏豪 , TSAI, PO HAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 李隆華 , LEE, LONG HUA
CPC classification number: H01L24/19 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H05K1/185 , H05K3/4647 , H05K2203/1469 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 一種半導體結構包括：一封膠材料；一導電插塞，位於封膠材料中；一覆蓋元件，位於導電插塞和封膠材料間之一頂部接點上方；及一介電層，位於覆蓋元件上且位於封膠材料上方。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包括：一封胶材料；一导电插塞，位于封胶材料中；一覆盖组件，位于导电插塞和封胶材料间之一顶部接点上方；及一介电层，位于覆盖组件上且位于封胶材料上方。
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公开(公告)号：TWI445140B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100102608
申请日：2011-01-25
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 林詠淇 , LIN, YUNG CHI , 余佳霖 , YU, CHIA LIN , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 黃見翎 , HWANG, CHIEN LING
IPC: H01L23/367 , H01L33/64
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L33/647 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/32506 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2933/0066 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201401483A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102120058
申请日：2013-06-06
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 李明機 , LII, MIRNG JI , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 李建勳 , LEE, CHIEN HSUN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81424 , H01L2224/81455 , H01L2224/81466 , H01L2224/81471 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本發明一實施例中提供一種中介層組件的建構方法，包括：在導電安裝板上安裝導電中介層凸塊；在導電中介層凸塊周圍模造載體平板，使得安裝板的第一表面在載體平板外，且安裝板的第二表面與載體平板的第一表面接觸；在載體平板的第一表面上形成第一改向層與導電中介層凸塊電性接觸；將第一積體電路晶粒的接合至第一改向層；在載體平板第二表面上形成第二改向層；將第二積體電路晶粒接合至第二改向層；以及將第一層間連接結構接合至第一改向層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例中提供一种中介层组件的建构方法，包括：在导电安装板上安装导电中介层凸块；在导电中介层凸块周围模造载体平板，使得安装板的第一表面在载体平板外，且安装板的第二表面与载体平板的第一表面接触；在载体平板的第一表面上形成第一改向层与导电中介层凸块电性接触；将第一集成电路晶粒的接合至第一改向层；在载体平板第二表面上形成第二改向层；将第二集成电路晶粒接合至第二改向层；以及将第一层间连接结构接合至第一改向层。
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公开(公告)号：TWI413202B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098120972
申请日：2009-06-23
Inventor： 蕭義理 , HSIAO, YI LI , 余振華 , YU, CHEN HUA , 汪青蓉 , WANG, JEAN , 何明哲 , HO, MING CHE , 黃見翎 , HWANG, CHIEN LING , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67772 , H01L21/67017 , Y10S414/135
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公开(公告)号：TW201320172A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101113415
申请日：2012-04-16
Inventor： 茅一超 , MAO, YI CHAO , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L22/26 , B24B7/228 , B24B37/013 , B24B49/10 , H01L22/12 , H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種研磨方法，包括為晶圓研磨製程選擇一目標輪承載量，及實施一研磨製程於一晶圓上。在研磨製程進行時，測量研磨製程的輪承載量。在達成目標輪承載量後停止研磨製程。或者，該方法包括選擇一晶圓研磨製程的目標反射強度，及實施一研磨製程於一晶圓上。在研磨製程進行時，測量從晶圓的一表面反射的光的反射強度。在反射強度的其中之一達成目標反射強度時停止研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 一种研磨方法，包括为晶圆研磨制程选择一目标轮承载量，及实施一研磨制程于一晶圆上。在研磨制程进行时，测量研磨制程的轮承载量。在达成目标轮承载量后停止研磨制程。或者，该方法包括选择一晶圆研磨制程的目标反射强度，及实施一研磨制程于一晶圆上。在研磨制程进行时，测量从晶圆的一表面反射的光的反射强度。在反射强度的其中之一达成目标反射强度时停止研磨制程。
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公开(公告)号：TW201714228A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104143521
申请日：2015-12-24
Inventor： 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 黃震麟 , HUANG, CHENG LIN , 劉獻文 , LIU, HSIEN WEN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/544
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/10 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/83005
Abstract: 本揭露係關於一些晶片封裝體及其形成方法。在一實施例中，晶片封裝體包括一半導體晶粒，以及一封裝層部分或完全包覆半導體晶粒。晶片封裝體也包括貫穿該封裝層的一導電特徵。晶片封裝體更包括一介面層，其中介面層連續地包圍導電特徵。介面層位於導電特徵與封裝層之間，且介面層包括一金屬氧化物材料。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一些芯片封装体及其形成方法。在一实施例中，芯片封装体包括一半导体晶粒，以及一封装层部分或完全包覆半导体晶粒。芯片封装体也包括贯穿该封装层的一导电特征。芯片封装体更包括一界面层，其中界面层连续地包围导电特征。界面层位于导电特征与封装层之间，且界面层包括一金属氧化物材料。
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公开(公告)号：TWI518858B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102141844
申请日：2013-11-18
Inventor： 茅一超 , MAO, YI CHAO , 張進傳 , CHANG, CHIN CHUAN , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/48 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
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