公开(公告)号：TW201727860A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105141744

申请日：2016-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295

Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。

公开(公告)号：TWI561871B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW101122935

申请日：2012-06-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宛諭 ,  LEE, WAN YU ,  曾俊豪 ,  TSENG, CHUN HAO ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01L2924/00011

公开(公告)号：TWI553706B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103144919

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  姚欣潔 ,  YAO, HSIN CHIEH ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F9/7069 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/8825 ,  G01N2021/95676 ,  G01N2201/061 ,  G01N2201/06113 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/027 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

公开(公告)号：TWI538128B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103145046

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI538100B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW102148625

申请日：2013-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7685 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201430396A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102114849

申请日：2013-04-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 曾俊豪 ,  TSENG, CHUN HAO ,  郭英顥 ,  KUO, YING HAO ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: G02B3/00

CPC classification number: B05D5/06 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/0043 ,  G02B6/136

Abstract: 本發明係提供一種光學元件結構及其製造方法，該光學元件製造方法包括，提供一基板，並於其上形成一突出物，以及藉由一沈積方法在該突出物及該基板上形成一覆蓋塗覆層，以形成一光學元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种光学组件结构及其制造方法，该光学组件制造方法包括，提供一基板，并于其上形成一突出物，以及借由一沉积方法在该突出物及该基板上形成一覆盖涂覆层，以形成一光学组件。

公开(公告)号：TWI606584B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW104141054

申请日：2015-12-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂志偉 ,  LU, CHIH WEI ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28132 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201727745A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135086

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 本揭露提供一種方法，包括提供具有第一介電材料層及藉由第一介電材料層之區段彼此橫向分離之第一導電特徵之基板。在第一介電材料層及第一導電特徵上沉積第一蝕刻終止層，從而形成具有與第一介電材料層之區段自對準之富氧部分及與第一導電特徵自對準之缺氧部分的第一蝕刻終止層。執行選擇性移除製程以選擇性移除第一蝕刻終止層之缺氧部分。在第一導電特徵及第一蝕刻終止層之富氧部分上形成第二蝕刻終止層。在第二蝕刻終止層上形成第二介電材料層。在第二介電材料層中形成導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种方法，包括提供具有第一介电材料层及借由第一介电材料层之区段彼此横向分离之第一导电特征之基板。在第一介电材料层及第一导电特征上沉积第一蚀刻终止层，从而形成具有与第一介电材料层之区段自对准之富氧部分及与第一导电特征自对准之缺氧部分的第一蚀刻终止层。运行选择性移除制程以选择性移除第一蚀刻终止层之缺氧部分。在第一导电特征及第一蚀刻终止层之富氧部分上形成第二蚀刻终止层。在第二蚀刻终止层上形成第二介电材料层。在第二介电材料层中形成导电结构。

公开(公告)号：TW201725606A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133750

申请日：2016-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳永旭 ,  WU, YUNG HSU ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/532

Abstract: 在基板上方形成互連結構的層。此層含有層間介電質(interlayer dielectric；ILD)材料及配置在層間介電質中的金屬接線。在層間介電質上形成第一蝕刻停止層，但不形成於金屬接線上。經由選擇性原子層沉積製程形成第一蝕刻停止層。在第一蝕刻停止層上方形成第二蝕刻停止層。高蝕刻選擇性存在於第一蝕刻停止層與第二蝕刻停止層之間。形成導孔以使金屬接線至少部分地對準並電耦接至金屬接線。第一蝕刻停止層是用於避免層間介電質在導孔形成期間被蝕刻穿透。

Abstract in simplified Chinese: 在基板上方形成互链接构的层。此层含有层间介电质(interlayer dielectric；ILD)材料及配置在层间介电质中的金属接线。在层间介电质上形成第一蚀刻停止层，但不形成于金属接在线。经由选择性原子层沉积制程形成第一蚀刻停止层。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。高蚀刻选择性存在于第一蚀刻停止层与第二蚀刻停止层之间。形成导孔以使金属接线至少部分地对准并电耦接至金属接线。第一蚀刻停止层是用于避免层间介电质在导孔形成期间被蚀刻穿透。

公开(公告)号：TWI585971B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW104137841

申请日：2015-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1047