晶粒堆疊結構及其製作方法
    2.
    发明专利
    晶粒堆疊結構及其製作方法 审中-公开
    晶粒堆栈结构及其制作方法

    公开(公告)号:TW201919193A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107109003

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 一種晶粒堆疊結構,包括第一晶粒、第二晶粒、第一接合結構以及第二接合結構。所述第一接合結構設置在所述第一晶粒的背面上。所述第二接合結構設置在所述第二晶粒的正面上。所述第一晶粒及所述第二晶粒通過所述第一接合結構及所述第二接合結構接合在一起,且與所述第二接合結構進行接合的所述第一接合結構的表面的可接合拓撲變化小於1 mm/1 mm範圍。還提供一種製作晶粒堆疊結構的方法。

    Abstract in simplified Chinese: 一种晶粒堆栈结构,包括第一晶粒、第二晶粒、第一接合结构以及第二接合结构。所述第一接合结构设置在所述第一晶粒的背面上。所述第二接合结构设置在所述第二晶粒的正面上。所述第一晶粒及所述第二晶粒通过所述第一接合结构及所述第二接合结构接合在一起,且与所述第二接合结构进行接合的所述第一接合结构的表面的可接合拓扑变化小于1 mm/1 mm范围。还提供一种制作晶粒堆栈结构的方法。

    製造半導體封裝結構的方法
    3.
    发明专利
    製造半導體封裝結構的方法 审中-公开
    制造半导体封装结构的方法

    公开(公告)号:TW201919133A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107117822

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 一種製造半導體封裝結構的方法包括以下步驟。將晶粒接合到晶圓。在晶圓及晶粒上形成介電材料層。介電材料層覆蓋晶粒的頂表面及側壁。執行至少一個平坦化製程來移除介電材料層的一部分及晶粒的一部分,以暴露出晶粒的頂表面並形成位於晶粒側邊的介電層。介電層環繞且覆蓋晶粒的側壁。

    Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体封装结构的方法包括以下步骤。将晶粒接合到晶圆。在晶圆及晶粒上形成介电材料层。介电材料层覆盖晶粒的顶表面及侧壁。运行至少一个平坦化制程来移除介电材料层的一部分及晶粒的一部分,以暴露出晶粒的顶表面并形成位于晶粒侧边的介电层。介电层环绕且覆盖晶粒的侧壁。

    半導體裝置之製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号:TW201630117A

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:TW104126338

    申请日:2015-08-13

    Abstract: 本揭露係關於一種半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法包括形成一第一開口於一第一半導體晶圓中,第一開口位於一第一半導體晶粒與一第二半導體晶粒之間,第一開口具有一第一寬度平行於第一半導體晶圓的一主要表面。切割第一半導體晶圓以形成一第二開口,其中第一開口以及第二開口將第一半導體晶粒與第二半導體晶粒分離,第二開口具有一第二寬度平行於第一半導體晶圓的主要表面且小於第一寬度。薄化第一半導體晶粒直到第一半導體晶粒具有一筆直的側壁。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法包括形成一第一开口于一第一半导体晶圆中,第一开口位于一第一半导体晶粒与一第二半导体晶粒之间,第一开口具有一第一宽度平行于第一半导体晶圆的一主要表面。切割第一半导体晶圆以形成一第二开口,其中第一开口以及第二开口将第一半导体晶粒与第二半导体晶粒分离,第二开口具有一第二宽度平行于第一半导体晶圆的主要表面且小于第一宽度。薄化第一半导体晶粒直到第一半导体晶粒具有一笔直的侧壁。

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