-
公开(公告)号：TW201724192A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105125395
申请日：2016-08-10
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 陳明發 , CHEN, MING FA , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU
CPC classification number: H01L24/06 , H01L21/31051 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L22/14 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/14 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/037 , H01L2224/0382 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/06515 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2924/00012 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042
Abstract: 方法包含形成第一導電結構與第二導電結構，形成金屬墊於第一導電結構上以接觸第一導電結構，以及形成鈍化層覆蓋金屬墊的邊緣部份，且鈍化層中的開口露出金屬墊之上表面的中心部份。形成第一介電層以覆蓋金屬墊與鈍化層。形成接合墊於第一介電層上，且接合墊電性耦接至第二導電結構。沉積第二介電層以圍繞接合墊。進行平坦化步驟使第二介電層之上表面與接合墊齊平。在平坦化步驟後，金屬墊的上表面之整體接觸介電材料。
Abstract in simplified Chinese: 方法包含形成第一导电结构与第二导电结构，形成金属垫于第一导电结构上以接触第一导电结构，以及形成钝化层覆盖金属垫的边缘部份，且钝化层中的开口露出金属垫之上表面的中心部份。形成第一介电层以覆盖金属垫与钝化层。形成接合垫于第一介电层上，且接合垫电性耦接至第二导电结构。沉积第二介电层以围绕接合垫。进行平坦化步骤使第二介电层之上表面与接合垫齐平。在平坦化步骤后，金属垫的上表面之整体接触介电材料。
-
公开(公告)号：TW201919193A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107109003
申请日：2018-03-16
Inventor： 陳怡秀 , CHEN, YI-HSIU , 邱文智 , CHIOU, WEN-CHIH , 陳勇龍 , CHEN, YUNG-LONG
IPC: H01L23/538
Abstract: 一種晶粒堆疊結構，包括第一晶粒、第二晶粒、第一接合結構以及第二接合結構。所述第一接合結構設置在所述第一晶粒的背面上。所述第二接合結構設置在所述第二晶粒的正面上。所述第一晶粒及所述第二晶粒通過所述第一接合結構及所述第二接合結構接合在一起，且與所述第二接合結構進行接合的所述第一接合結構的表面的可接合拓撲變化小於1 mm/1 mm範圍。還提供一種製作晶粒堆疊結構的方法。
Abstract in simplified Chinese: 一种晶粒堆栈结构，包括第一晶粒、第二晶粒、第一接合结构以及第二接合结构。所述第一接合结构设置在所述第一晶粒的背面上。所述第二接合结构设置在所述第二晶粒的正面上。所述第一晶粒及所述第二晶粒通过所述第一接合结构及所述第二接合结构接合在一起，且与所述第二接合结构进行接合的所述第一接合结构的表面的可接合拓扑变化小于1 mm/1 mm范围。还提供一种制作晶粒堆栈结构的方法。
-
公开(公告)号：TW201919133A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107117822
申请日：2018-05-24
Inventor： 陳怡秀 , CHEN, YI-HSIU , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 邱文智 , CHIOU, WEN-CHIH
IPC: H01L21/56
Abstract: 一種製造半導體封裝結構的方法包括以下步驟。將晶粒接合到晶圓。在晶圓及晶粒上形成介電材料層。介電材料層覆蓋晶粒的頂表面及側壁。執行至少一個平坦化製程來移除介電材料層的一部分及晶粒的一部分，以暴露出晶粒的頂表面並形成位於晶粒側邊的介電層。介電層環繞且覆蓋晶粒的側壁。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体封装结构的方法包括以下步骤。将晶粒接合到晶圆。在晶圆及晶粒上形成介电材料层。介电材料层覆盖晶粒的顶表面及侧壁。运行至少一个平坦化制程来移除介电材料层的一部分及晶粒的一部分，以暴露出晶粒的顶表面并形成位于晶粒侧边的介电层。介电层环绕且覆盖晶粒的侧壁。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201630117A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104126338
申请日：2015-08-13
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU , 楊固峰 , YANG, KU FENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC: H01L21/78 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L24/97
Abstract: 本揭露係關於一種半導體裝置之製造方法。一種半導體裝置之製造方法包括形成一第一開口於一第一半導體晶圓中，第一開口位於一第一半導體晶粒與一第二半導體晶粒之間，第一開口具有一第一寬度平行於第一半導體晶圓的一主要表面。切割第一半導體晶圓以形成一第二開口，其中第一開口以及第二開口將第一半導體晶粒與第二半導體晶粒分離，第二開口具有一第二寬度平行於第一半導體晶圓的主要表面且小於第一寬度。薄化第一半導體晶粒直到第一半導體晶粒具有一筆直的側壁。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体设备之制造方法。一种半导体设备之制造方法包括形成一第一开口于一第一半导体晶圆中，第一开口位于一第一半导体晶粒与一第二半导体晶粒之间，第一开口具有一第一宽度平行于第一半导体晶圆的一主要表面。切割第一半导体晶圆以形成一第二开口，其中第一开口以及第二开口将第一半导体晶粒与第二半导体晶粒分离，第二开口具有一第二宽度平行于第一半导体晶圆的主要表面且小于第一宽度。薄化第一半导体晶粒直到第一半导体晶粒具有一笔直的侧壁。
-
公开(公告)号：TWI595535B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105125395
申请日：2016-08-10
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 陳明發 , CHEN, MING FA , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU
CPC classification number: H01L24/06 , H01L21/31051 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L22/14 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/14 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/037 , H01L2224/0382 , H01L2224/039 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/04 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/06515 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2924/00012 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042
-
公开(公告)号：TW201626533A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132972
申请日：2015-10-07
Inventor： 蔡承竣 , TSAI, CHENG CHUN , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 楊固峰 , YANG, KU FENG , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC: H01L23/538 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/8001 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2224/80001 , H01L2224/19
Abstract: 本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法，其使用一單一遮罩以形成用於貫穿基板導孔與貫穿介電質導孔的開口。在一實施例中，一接觸蝕刻停止層沉積於第一半導體裝置與第二半導體裝置上以及之間。一介電材料沉積於位於第一半導體裝置與第二半導體裝置之間的接觸蝕刻停止層上。接觸蝕刻停止層與介電材料使用不同的材料，因此一單一遮罩可用來形成穿過第一半導體裝置的貫穿基板導孔，以及形成穿過介電材料的貫穿介電質導孔。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法，其使用一单一遮罩以形成用于贯穿基板导孔与贯穿介电质导孔的开口。在一实施例中，一接触蚀刻停止层沉积于第一半导体设备与第二半导体设备上以及之间。一介电材料沉积于位于第一半导体设备与第二半导体设备之间的接触蚀刻停止层上。接触蚀刻停止层与介电材料使用不同的材料，因此一单一遮罩可用来形成穿过第一半导体设备的贯穿基板导孔，以及形成穿过介电材料的贯穿介电质导孔。
-
公开(公告)号：TWI579971B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104126338
申请日：2015-08-13
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU , 楊固峰 , YANG, KU FENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC: H01L21/78 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L24/97
-
公开(公告)号：TWI573239B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104132972
申请日：2015-10-07
Inventor： 蔡承竣 , TSAI, CHENG CHUN , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 楊固峰 , YANG, KU FENG , 陳怡秀 , CHEN, YI HSIU , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC: H01L23/538 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/8001 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2224/80001 , H01L2224/19
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
