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公开(公告)号：TWI649835B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106106176
申请日：2017-02-23
发明人： 曹鈞涵 , TSAO, CHUN-HAN , 陳志明 , CHEN, CHIH-MING , 陳漢譽 , CHEN, HAN-YU , 王嗣裕 , WANG, SZU-YU , 趙蘭璘 , CHAO, LAN-LIN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/45
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公开(公告)号：TW201806080A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106106176
申请日：2017-02-23
发明人： 曹鈞涵 , TSAO, CHUN-HAN , 陳志明 , CHEN, CHIH-MING , 陳漢譽 , CHEN, HAN-YU , 王嗣裕 , WANG, SZU-YU , 趙蘭璘 , CHAO, LAN-LIN , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/45
CPC分类号： H01L29/42344 , H01L21/02063 , H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/76834 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L28/00 , H01L29/665
摘要： 本揭露提供半導體裝置及其製造方法。該半導體裝置包含一半導體結構、一介電層、一金屬-半導體化合物薄膜以及一覆蓋層。該半導體結構具有一上表面與一側面。該介電層包圍該半導體結構的該側面，並且暴露該半導體結構的該上表面。該金屬-半導體化合物薄膜位於該半導體結構上，其中該介電層暴露該金屬-半導體化合物薄膜的一表面的一部分。該覆蓋層包圍由該介電層暴露的該金屬-半導體化合物薄膜的該表面的該部分，並且暴露該介電層。
简体摘要： 本揭露提供半导体设备及其制造方法。该半导体设备包含一半导体结构、一介电层、一金属-半导体化合物薄膜以及一覆盖层。该半导体结构具有一上表面与一侧面。该介电层包围该半导体结构的该侧面，并且暴露该半导体结构的该上表面。该金属-半导体化合物薄膜位于该半导体结构上，其中该介电层暴露该金属-半导体化合物薄膜的一表面的一部分。该覆盖层包围由该介电层暴露的该金属-半导体化合物薄膜的该表面的该部分，并且暴露该介电层。
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公开(公告)号：TWI567014B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103112655
申请日：2014-04-07
发明人： 吳銘棟 , WU, MING TUNG , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： B65G49/07
CPC分类号： H01L21/6838 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B41/005 , H01L21/67288 , H01L21/68707 , H01L21/68764 , H01L21/68771
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公开(公告)号：TWI502700B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102134695
申请日：2013-09-26
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201408430A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102126605
申请日：2013-07-25
发明人： 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： B24B37/04
摘要： 一種用於晶圓邊緣修整之研磨輪，包括一頭部及一研磨端。頭部具有一開放側邊。研磨端係圍繞頭部之開放側邊之一邊緣。研磨端係被配置以在晶圓邊緣修整過程中接觸一晶圓邊緣。
简体摘要： 一种用于晶圆边缘修整之研磨轮，包括一头部及一研磨端。头部具有一开放侧边。研磨端系围绕头部之开放侧边之一边缘。研磨端系被配置以在晶圆边缘修整过程中接触一晶圆边缘。
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公开(公告)号：TWI516435B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101129467
申请日：2012-08-15
发明人： 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 朱立晟 , CHU, LI CHENG , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 鄭鈞文 , CHENG, CHUN WEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/023
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公开(公告)号：TWI515882B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102111829
申请日：2013-04-02
发明人： 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 趙亦平 , CHAO, CALVIN YI PING , 王子睿 , WANG, TZU JUI , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN
IPC分类号： H01L27/142 , H01L21/98
CPC分类号： H01L27/1469 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201413835A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134954
申请日：2013-09-27
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 鄭凱文 , CHENG, KAI WEN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L23/522 , H01L21/7684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種半導體元件，包括：一第一基板，其中該第一基板包括一導電組件設置於其中；以及一交界表面位於該導電組件的頂部，其中該交界表面包括一金屬層連接到該導電組件，且該交界表面進行一研磨製程。
简体摘要： 本发明提供一种半导体组件，包括：一第一基板，其中该第一基板包括一导电组件设置于其中；以及一交界表面位于该导电组件的顶部，其中该交界表面包括一金属层连接到该导电组件，且该交界表面进行一研磨制程。
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公开(公告)号：TWI429008B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099112271
申请日：2010-04-20
发明人： 劉丙寅 , LIU, MARTIN , 朱立晟 , CHU, RICHARD , 林宏樺 , LIN, HUNG HUA , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 陳相甫 , CHEN, HSIANG FU , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 鄭鈞文 , CHENG, CHUN WEN
IPC分类号： H01L21/67
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公开(公告)号：TW201332879A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101129467
申请日：2012-08-15
发明人： 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 朱立晟 , CHU, LI CHENG , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 鄭鈞文 , CHENG, CHUN WEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B23K20/002 , B23K20/023
摘要： 本發明之接合方法包括以共熔接合法將第一接合層接合至第二接合層。共熔接合法的步驟包括將第一接合層與第二接合層加熱至高於該第一接合層與該第二接合層的共熔溫度，以及進行泵浦循環。泵浦循環包括施加第一力值使第一接合層與第二接合層彼此壓合。在施加第一力值後，施加第二力值使第一接合層與第二接合層彼此壓合，且第二力值小於第一力值；以及在施加第二力值後，施加第三力值使第一接合層與第二接合層彼此壓合，且第三力值大於第二力值。
简体摘要： 本发明之接合方法包括以共熔接合法将第一接合层接合至第二接合层。共熔接合法的步骤包括将第一接合层与第二接合层加热至高于该第一接合层与该第二接合层的共熔温度，以及进行泵浦循环。泵浦循环包括施加第一力值使第一接合层与第二接合层彼此压合。在施加第一力值后，施加第二力值使第一接合层与第二接合层彼此压合，且第二力值小于第一力值；以及在施加第二力值后，施加第三力值使第一接合层与第二接合层彼此压合，且第三力值大于第二力值。
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