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1.发明专利
公开(公告)号：TW201505088A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115772
申请日：2014-05-02
Inventor： 陳昇照 , CHEN, SHENG CHAU , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 吳政達 , WU, CHENG TA , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02041 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/02334 , H01L21/187 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , H01L21/68707 , H01L33/0079 , Y10S438/906
Abstract: 本揭露提供一種用於混合接合法(hybrid bonding)的半導體晶圓的清潔方法，包括以下步驟：提供一半導體晶圓，其中該半導體晶圓具有埋設在一絕緣層中的一導電墊與形成在該導電墊上的一金屬氧化物層；對該半導體晶圓之一表面進行一電漿製程；在該電漿製程之後，使用一清潔溶液對該半導體晶圓之該表面進行一清潔製程，其中該金屬氧化物被還原且複數個金屬-氫鍵形成在該導電墊之表面上；以及在真空下，傳輸該半導體晶圓至一接合腔體。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种用于混合接合法(hybrid bonding)的半导体晶圆的清洁方法，包括以下步骤：提供一半导体晶圆，其中该半导体晶圆具有埋设在一绝缘层中的一导电垫与形成在该导电垫上的一金属氧化物层；对该半导体晶圆之一表面进行一等离子制程；在该等离子制程之后，使用一清洁溶液对该半导体晶圆之该表面进行一清洁制程，其中该金属氧化物被还原且复数个金属-氢键形成在该导电垫之表面上；以及在真空下，传输该半导体晶圆至一接合腔体。
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公开(公告)号：TWI563576B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW102148960
申请日：2013-12-30
Inventor： 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 林宏樺 , LIN, HUNG HUA , 匡訓沖 , KUANG, HSUN CHUNG , 謝元智 , HSIEH, YUAN CHIH , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAO-MENG
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L21/02068 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K20/026 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , H01L24/89 , H01L2224/80894
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公开(公告)号：TW201503336A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103112656
申请日：2014-04-07
Inventor： 蔡淑如 , TSAI, SHU JU , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 吳政達 , WU, CHENG TA , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L51/44 , H01L27/307 , H01L51/0037 , H01L51/4213
Abstract: 本發明之數個實施例係關於一種光學感測器。此光學感測器，包括：一第一電極，設置於一半導體基板上；一光電轉換元件，包括一P型層與一N型層，設置於該第一電極上，以轉換具有波長位於一特定波長範圍內之一或多個光子成為一電子訊號；一第二電極，設置於該光電轉換元件上，其中該第二電極於該特定波長範圍內為透明的；以及一彩色濾光元件，由複數個電漿子奈米結構所製成，設置於該第二電極之上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之数个实施例系关于一种光学传感器。此光学传感器，包括：一第一电极，设置于一半导体基板上；一光电转换组件，包括一P型层与一N型层，设置于该第一电极上，以转换具有波长位于一特定波长范围内之一或多个光子成为一电子信号；一第二电极，设置于该光电转换组件上，其中该第二电极于该特定波长范围内为透明的；以及一彩色滤光组件，由复数个等离子子奈米结构所制成，设置于该第二电极之上。
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公开(公告)号：TWI543340B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103111648
申请日：2014-03-28
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/115 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L21/76877 , H01L27/10814 , H01L27/1085 , H01L27/10897 , H01L28/90
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公开(公告)号：TW201413835A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134954
申请日：2013-09-27
Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 鄭凱文 , CHENG, KAI WEN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/7684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體元件，包括：一第一基板，其中該第一基板包括一導電組件設置於其中；以及一交界表面位於該導電組件的頂部，其中該交界表面包括一金屬層連接到該導電組件，且該交界表面進行一研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件，包括：一第一基板，其中该第一基板包括一导电组件设置于其中；以及一交界表面位于该导电组件的顶部，其中该交界表面包括一金属层连接到该导电组件，且该交界表面进行一研磨制程。
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：TWI547990B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103115772
申请日：2014-05-02
Inventor： 陳昇照 , CHEN, SHENG CHAU , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 吳政達 , WU, CHENG TA , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02041 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/02334 , H01L21/187 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , H01L21/68707 , H01L33/0079 , Y10S438/906
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公开(公告)号：TWI536552B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103112656
申请日：2014-04-07
Inventor： 蔡淑如 , TSAI, SHU JU , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 吳政達 , WU, CHENG TA , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L51/44 , H01L27/307 , H01L51/0037 , H01L51/4213
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公开(公告)号：TWI502700B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102134695
申请日：2013-09-26
Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TWI556326B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102134954
申请日：2013-09-27
Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 鄭凱文 , CHENG, KAI WEN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/7684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201521183A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103111648
申请日：2014-03-28
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/115 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L21/76877 , H01L27/10814 , H01L27/1085 , H01L27/10897 , H01L28/90
Abstract: 一種半導體裝置包括一邏輯區與一記憶體區。該記憶體區具有包括一半導體元件之一主動區。該記憶體區亦具有位於該主動區上之一或多個介電層內之一電容器，其中該電容器係位於該半導體元件之上。該半導體裝置亦包括位於至少該邏輯區與該記憶體區其中之一內之一保護環，且該保護環分隔了該邏輯區與該記憶體區。該電容器具有一第一電極、一第二電極與位於該第一電極與該第二電極之間之一絕緣層，其中該第一電極大體大於該電容器之其他部分。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括一逻辑区与一内存区。该内存区具有包括一半导体组件之一主动区。该内存区亦具有位于该主动区上之一或多个介电层内之一电容器，其中该电容器系位于该半导体组件之上。该半导体设备亦包括位于至少该逻辑区与该内存区其中之一内之一保护环，且该保护环分隔了该逻辑区与该内存区。该电容器具有一第一电极、一第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间之一绝缘层，其中该第一电极大体大于该电容器之其他部分。
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