光學感測器
    3.
    发明专利
    光學感測器 审中-公开
    光学传感器

    公开(公告)号:TW201503336A

    公开(公告)日:2015-01-16

    申请号:TW103112656

    申请日:2014-04-07

    CPC classification number: H01L51/44 H01L27/307 H01L51/0037 H01L51/4213

    Abstract: 本發明之數個實施例係關於一種光學感測器。此光學感測器,包括:一第一電極,設置於一半導體基板上;一光電轉換元件,包括一P型層與一N型層,設置於該第一電極上,以轉換具有波長位於一特定波長範圍內之一或多個光子成為一電子訊號;一第二電極,設置於該光電轉換元件上,其中該第二電極於該特定波長範圍內為透明的;以及一彩色濾光元件,由複數個電漿子奈米結構所製成,設置於該第二電極之上。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之数个实施例系关于一种光学传感器。此光学传感器,包括:一第一电极,设置于一半导体基板上;一光电转换组件,包括一P型层与一N型层,设置于该第一电极上,以转换具有波长位于一特定波长范围内之一或多个光子成为一电子信号;一第二电极,设置于该光电转换组件上,其中该第二电极于该特定波长范围内为透明的;以及一彩色滤光组件,由复数个等离子子奈米结构所制成,设置于该第二电极之上。

    半導體裝置及其製造方法
    10.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201521183A

    公开(公告)日:2015-06-01

    申请号:TW103111648

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 一種半導體裝置包括一邏輯區與一記憶體區。該記憶體區具有包括一半導體元件之一主動區。該記憶體區亦具有位於該主動區上之一或多個介電層內之一電容器,其中該電容器係位於該半導體元件之上。該半導體裝置亦包括位於至少該邏輯區與該記憶體區其中之一內之一保護環,且該保護環分隔了該邏輯區與該記憶體區。該電容器具有一第一電極、一第二電極與位於該第一電極與該第二電極之間之一絕緣層,其中該第一電極大體大於該電容器之其他部分。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括一逻辑区与一内存区。该内存区具有包括一半导体组件之一主动区。该内存区亦具有位于该主动区上之一或多个介电层内之一电容器,其中该电容器系位于该半导体组件之上。该半导体设备亦包括位于至少该逻辑区与该内存区其中之一内之一保护环,且该保护环分隔了该逻辑区与该内存区。该电容器具有一第一电极、一第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间之一绝缘层,其中该第一电极大体大于该电容器之其他部分。

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