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公开(公告)号：TW201725659A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105139996
申请日：2016-12-02
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 陳威宇 , CHEN, WEI-YU , 陳英儒 , CHEN, YING-JU , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 張進傳 , CHANG, CHIN-CHUAN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 吳偉誠 , WU, WEI-CHENG , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06527 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2924/3511
摘要： 本揭露提供的方法包含附接一第一階裝置晶粒至一啞晶粒，囊封該第一階裝置晶粒於一第一囊封材料中，形成貫穿通路於該第一階裝置晶粒上方並且電耦合至該第一階裝置晶粒，附接一第二階裝置晶粒於該第一階裝置晶粒上方，以及囊封該貫穿通路與該第二階裝置晶粒於一第二囊封材料中。重佈線形成於該貫穿通路與該第二階裝置晶粒上方並且電耦合至該貫穿通路與該第二階裝置晶粒。該啞晶粒、該第一階裝置晶粒、該第一囊封材料、該第二階裝置晶粒、以及該第二囊封材料形成一複合晶圓的部分。
简体摘要： 本揭露提供的方法包含附接一第一阶设备晶粒至一哑晶粒，囊封该第一阶设备晶粒于一第一囊封材料中，形成贯穿通路于该第一阶设备晶粒上方并且电耦合至该第一阶设备晶粒，附接一第二阶设备晶粒于该第一阶设备晶粒上方，以及囊封该贯穿通路与该第二阶设备晶粒于一第二囊封材料中。重布线形成于该贯穿通路与该第二阶设备晶粒上方并且电耦合至该贯穿通路与该第二阶设备晶粒。该哑晶粒、该第一阶设备晶粒、该第一囊封材料、该第二阶设备晶粒、以及该第二囊封材料形成一复合晶圆的部分。
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公开(公告)号：TW201731048A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140129
申请日：2016-12-05
发明人： 謝正賢 , HSIEH, CHENG-HSIEN , 許立翰 , HSU, LI-HAN , 吳偉誠 , WU, WEI-CHENG , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014
摘要： 一實施例係一種結構，其包括一第一晶粒，具有一主動表面，該主動表面具有一第一中心點；一模塑料，至少側向囊封該第一晶粒；以及一第一重佈線層(RDL)，包括延伸在該第一晶粒及該模塑料上方的金屬化圖案。該第一RDL的該金屬化圖案的一第一部分，其係延伸在該第一晶粒的一邊界的一第一部分上方至該模塑料，該金屬化圖案的該第一部分係不平行於一第一線延伸，該第一線係從該第一晶粒的該第一中心點延伸至該第一晶粒的該邊界的該第一部分。
简体摘要： 一实施例系一种结构，其包括一第一晶粒，具有一主动表面，该主动表面具有一第一中心点；一模塑料，至少侧向囊封该第一晶粒；以及一第一重布线层(RDL)，包括延伸在该第一晶粒及该模塑料上方的金属化图案。该第一RDL的该金属化图案的一第一部分，其系延伸在该第一晶粒的一边界的一第一部分上方至该模塑料，该金属化图案的该第一部分系不平行于一第一线延伸，该第一线系从该第一晶粒的该第一中心点延伸至该第一晶粒的该边界的该第一部分。
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公开(公告)号：TWI648817B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105139996
申请日：2016-12-02
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 陳威宇 , CHEN, WEI-YU , 陳英儒 , CHEN, YING-JU , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 張進傳 , CHANG, CHIN-CHUAN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 吳偉誠 , WU, WEI-CHENG , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
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公开(公告)号：TW202027177A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108124122
申请日：2019-07-09
发明人： 洪 文興 , HUNG, WENSEN , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 陳琮瑜 , CHEN, TSUNG-YU , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 勞禎祥 , LAO, CHEN-HSIANG
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/42 , H01L25/00 , H01L25/065
摘要： 一種封裝式半導體元件及一種用於形成封裝式半導體元件的方法及裝置。在一實施例中，一種方法包括：將元件晶粒接合到基底的第一表面；在所述基底的所述第一表面上沉積黏合劑；在所述元件晶粒的與所述基底相對的表面上沉積熱介面材料；在所述元件晶粒及所述基底之上放置蓋，所述蓋接觸所述黏合劑及所述熱介面材料；對所述蓋及所述基底施加鉗緊力；以及在施加所述鉗緊力時，將所述黏合劑及所述熱介面材料固化。
简体摘要： 一种封装式半导体组件及一种用于形成封装式半导体组件的方法及设备。在一实施例中，一种方法包括：将组件晶粒接合到基底的第一表面；在所述基底的所述第一表面上沉积黏合剂；在所述组件晶粒的与所述基底相对的表面上沉积热界面材料；在所述组件晶粒及所述基底之上放置盖，所述盖接触所述黏合剂及所述热界面材料；对所述盖及所述基底施加钳紧力；以及在施加所述钳紧力时，将所述黏合剂及所述热界面材料固化。
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公开(公告)号：TWI663699B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106114156
申请日：2017-04-27
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 李孟燦 , LEE, MENG-TSAN , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 吳偉誠 , WU, WEI-CHENG , 邱建嘉 , CHIU, CHIEN-CHIA , 王景德 , WANG, CHIN-TE
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/60
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公开(公告)号：TW202022998A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108127161
申请日：2019-07-31
发明人： 邱元升 , CHIU, YUAN-SHENG , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 鄭志楷 , CHENG, CHIH-KAI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/498 , H01L23/522
摘要： 在實施例中，一種裝置包括：積體電路晶粒；重佈線結構，位於積體電路晶粒的前側表面之上；插座，位於重佈線結構之上；機械支架，位於插座之上，所述機械支架具有暴露出插座的開口，插座的邊緣區與開口處的機械支架的邊緣區交疊；第一支座螺釘，設置在機械支架的邊緣區中，所述第一支座螺釘實體地接觸插座，所述第一支座螺釘在插座與機械支架之間延伸第一距離；以及螺栓，延伸穿過機械支架及重佈線結構。
简体摘要： 在实施例中，一种设备包括：集成电路晶粒；重布线结构，位于集成电路晶粒的前侧表面之上；插座，位于重布线结构之上；机械支架，位于插座之上，所述机械支架具有暴露出插座的开口，插座的边缘区与开口处的机械支架的边缘区交叠；第一支座螺钉，设置在机械支架的边缘区中，所述第一支座螺钉实体地接触插座，所述第一支座螺钉在插座与机械支架之间延伸第一距离；以及螺栓，延伸穿过机械支架及重布线结构。
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公开(公告)号：TW201724415A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105137415
申请日：2016-11-16
发明人： 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/02315 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要： 提供半導體元件以及形成方法。模塑化合物沿著第一晶粒以及第二晶粒的側壁延伸。在第一晶粒、第二晶粒以及模塑化合物上方形成重佈層。重佈層包括在第一晶粒與第二晶粒之間的間隙上的導體。按第一角度將導體佈線於第一晶粒的邊緣上方。相對於沿著第一晶粒與第二晶粒之間的最短線延伸的直線量測第一角度，且第一角度大於0。
简体摘要： 提供半导体组件以及形成方法。模塑化合物沿着第一晶粒以及第二晶粒的侧壁延伸。在第一晶粒、第二晶粒以及模塑化合物上方形成重布层。重布层包括在第一晶粒与第二晶粒之间的间隙上的导体。按第一角度将导体布线于第一晶粒的边缘上方。相对于沿着第一晶粒与第二晶粒之间的最短线延伸的直线量测第一角度，且第一角度大于0。
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公开(公告)号：TWI653720B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW107107334
申请日：2018-03-06
发明人： 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 陳琮瑜 , CHEN, TSUNG-YU , 洪 文興 , HUNG, WENSEN , 李虹錤 , LI, HUNG-CHI
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公开(公告)号：TW201830639A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106114156
申请日：2017-04-27
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 李孟燦 , LEE, MENG-TSAN , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 吳偉誠 , WU, WEI-CHENG , 邱建嘉 , CHIU, CHIEN-CHIA , 王景德 , WANG, CHIN-TE
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/60
摘要： 一種半導體封裝包括第一介電層、元件晶粒、主動穿孔及虛設穿孔、密封材料、第二介電層、主動金屬頂蓋、虛設金屬頂蓋及第一重佈線線路。元件晶粒位於第一介電層之上。密封材料密封元件晶粒、主動穿孔、及虛設穿孔。第二介電層位於元件晶粒、主動穿孔、及虛設穿孔之上。主動金屬頂蓋位於第二介電層之上，並且電性耦合至主動穿孔。主動金屬頂蓋交疊主動穿孔。虛設金屬頂蓋位於第二介電層之上。虛設金屬頂蓋交疊虛設穿孔。虛設金屬頂蓋被間隙分隔成第一部分及第二部分。重佈線線路穿過虛設金屬頂蓋的第一部分與第二部分之間的間隙。
简体摘要： 一种半导体封装包括第一介电层、组件晶粒、主动穿孔及虚设穿孔、密封材料、第二介电层、主动金属顶盖、虚设金属顶盖及第一重布线线路。组件晶粒位于第一介电层之上。密封材料密封组件晶粒、主动穿孔、及虚设穿孔。第二介电层位于组件晶粒、主动穿孔、及虚设穿孔之上。主动金属顶盖位于第二介电层之上，并且电性耦合至主动穿孔。主动金属顶盖交叠主动穿孔。虚设金属顶盖位于第二介电层之上。虚设金属顶盖交叠虚设穿孔。虚设金属顶盖被间隙分隔成第一部分及第二部分。重布线线路穿过虚设金属顶盖的第一部分与第二部分之间的间隙。
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公开(公告)号：TW201742081A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106101345
申请日：2017-01-16
发明人： 邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 邱建嘉 , CHIU, CHIEN-CHIA , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 余佩弟 , YU, PEI-TI
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311
摘要： 一種導電圖案，其包括：導電墊，包括圓形墊部及連接至圓形墊部的第一收斂部，第一收斂部具有一對不平行的第一邊緣，不平行的第一邊緣界定第一錐度角，且不平行的第一邊緣由圓形墊部的一對不平行的第一切線界定；以及緩衝延伸部，連接至導電墊的第一收斂部，緩衝延伸部至少包括具有一對不平行的第二邊緣的第二收斂部，不平行的第二邊緣界定第二錐度角，第一錐度角大於或等於第二錐度角。
简体摘要： 一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。
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