半導體裝置及方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及方法 审中-公开
    半导体设备及方法

    公开(公告)号:TW201830637A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:TW106134972

    申请日:2017-10-12

    摘要: 本發明實施例係關於一種半導體裝置,其包含:一基板;一第一重佈層(RDL),其在該基板一第一側上方;一或多個半導體晶粒,其或其等在該第一RDL上方且電耦合至該第一RDL;及一囊封劑,其在該第一RDL上方且圍繞該一或多個半導體晶粒。該半導體裝置亦包含附接至與該第一側相對之該基板之一第二側的連接器,該等連接器電耦合至該第一RDL。該半導體裝置進一步包含:一聚合物層,其在該基板之該第二側上,該等連接器在位於該基板遠端之該聚合物層之一第一表面上方自該聚合物層突出。接觸該等連接器之該聚合物層之一第一部分具有一第一厚度,且在相鄰連接器之間之該聚合物層之一第二部分具有小於該第一厚度之一第二厚度。

    简体摘要: 本发明实施例系关于一种半导体设备,其包含:一基板;一第一重布层(RDL),其在该基板一第一侧上方;一或多个半导体晶粒,其或其等在该第一RDL上方且电耦合至该第一RDL;及一囊封剂,其在该第一RDL上方且围绕该一或多个半导体晶粒。该半导体设备亦包含附接至与该第一侧相对之该基板之一第二侧的连接器,该等连接器电耦合至该第一RDL。该半导体设备进一步包含:一聚合物层,其在该基板之该第二侧上,该等连接器在位于该基板远程之该聚合物层之一第一表面上方自该聚合物层突出。接触该等连接器之该聚合物层之一第一部分具有一第一厚度,且在相邻连接器之间之该聚合物层之一第二部分具有小于该第一厚度之一第二厚度。