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公开(公告)号:TWI527172B
公开(公告)日:2016-03-21
申请号:TW102134499
申请日:2008-04-30
申请人: 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人: 官怡荷 , KUAN, HEAP HOE , 鄒勝源 , CHOW, SENG GUAN , 周 佩儀 , CHUA, LINDA PEI EE
IPC分类号: H01L23/48 , H01L21/304 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06537 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/167 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:TWI421987B
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:TW097115852
申请日:2008-04-30
申请人: 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人: 官怡荷 , KUAN, HEAP HOE , 鄒勝源 , CHOW, SENG GUAN , 周 佩儀 , CHUA, LINDA PEI EE
IPC分类号: H01L23/48 , H01L21/304 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06537 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/167 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:TWI541913B
公开(公告)日:2016-07-11
申请号:TW100136916
申请日:2011-10-12
申请人: 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人: 杜雍台 , DO, BYUNG TAI , 派蓋菈 瑞莎A , PAGAILA, REZA A. , 周 佩儀 , CHUA, LINDA PEI EE
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/48 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/16225 , H01L2224/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3011 , H01L2224/19 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:TW201403771A
公开(公告)日:2014-01-16
申请号:TW102134499
申请日:2008-04-30
申请人: 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人: 官怡荷 , KUAN, HEAP HOE , 鄒勝源 , CHOW, SENG GUAN , 周 佩儀 , CHUA, LINDA PEI EE
IPC分类号: H01L23/48 , H01L21/304 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06537 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/167 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一半導體封裝係包含一晶圓,其係具有一被整合至該晶圓之一頂表面的第一電氣接觸銲墊。一穿孔互連係自該第一電氣接觸銲墊之一第一表面延伸向下。一晶片係被電氣連接至該第一電氣接觸銲墊之一第二表面。一第二電氣接觸銲墊係被置放於該穿孔互連的一表面上。一介電層係沿著該第二電氣接觸銲墊之一側表面被置放。該晶圓係被切割以形成一通道部分以及一連接部分。一封裝材料係被置放於該晶片以及該通道部分上,且該晶圓係被研磨以移除該連接部分並且以曝光該穿孔互連的表面。
简体摘要: 一半导体封装系包含一晶圆,其系具有一被集成至该晶圆之一顶表面的第一电气接触焊垫。一穿孔互连系自该第一电气接触焊垫之一第一表面延伸向下。一芯片系被电气连接至该第一电气接触焊垫之一第二表面。一第二电气接触焊垫系被置放于该穿孔互连的一表面上。一介电层系沿着该第二电气接触焊垫之一侧表面被置放。该晶圆系被切割以形成一信道部分以及一连接部分。一封装材料系被置放于该芯片以及该信道部分上,且该晶圆系被研磨以移除该连接部分并且以曝光该穿孔互连的表面。
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5.具有在切割道上之穿孔通路及具有背側重新分配層的半導體晶圓 SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THROUGH-HOLE VIAS ON SAW STREEtS WITH BACKSIDE REDISTRIBUTION LAYER 有权
简体标题: 具有在切割道上之穿孔通路及具有背侧重新分配层的半导体晶圆 SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THROUGH-HOLE VIAS ON SAW STREEtS WITH BACKSIDE REDISTRIBUTION LAYER公开(公告)号:TWI371842B
公开(公告)日:2012-09-01
申请号:TW097130213
申请日:2008-08-08
申请人: 史達晶片有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/12 , H01L24/19 , H01L24/25 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L2221/68336 , H01L2221/68345 , H01L2221/68372 , H01L2224/02371 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82001 , H01L2225/06513 , H01L2225/06551 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一種半導體晶圓係含有複數個晶粒,以及接觸銲墊係被佈置在每個晶粒之一第一表面上。金屬通路係被形成在切割道導槽之溝渠中,並且係由有機材料所圍繞。跡線係連接該等接觸銲墊以及金屬通路。該等金屬通路能為半圓通路或是整圓通路。該等金屬通路係由有機材料所圍繞。重新分配層係被形成在該晶粒相對該第一表面之一第二表面上。該等重新分配層以及穿孔通路係提供擴張的互連彈性至相鄰晶粒。重新鈍化層係被形成在該晶粒之第二表面上的重新分配層之間,以用於電氣隔離。該晶粒係為可堆疊,並且係能與其它晶粒被放置在一半導體封裝中。該等重新分配層係提供電氣互連至該相鄰晶粒。接合銲線以及銲錫凸塊係亦提供電氣連接至該半導體晶粒。
简体摘要: 一种半导体晶圆系含有复数个晶粒,以及接触焊垫系被布置在每个晶粒之一第一表面上。金属通路系被形成在切割道导槽之沟渠中,并且系由有机材料所围绕。迹线系连接该等接触焊垫以及金属通路。该等金属通路能为半圆通路或是整圆通路。该等金属通路系由有机材料所围绕。重新分配层系被形成在该晶粒相对该第一表面之一第二表面上。该等重新分配层以及穿孔通路系提供扩张的互连弹性至相邻晶粒。重新钝化层系被形成在该晶粒之第二表面上的重新分配层之间,以用于电气隔离。该晶粒系为可堆栈,并且系能与其它晶粒被放置在一半导体封装中。该等重新分配层系提供电气互连至该相邻晶粒。接合焊线以及焊锡凸块系亦提供电气连接至该半导体晶粒。
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6.在切割道上具有穿孔通路及在晶粒之作用區中具有穿孔通路的半導體晶粒 SEMICONDUCTOR DIE WITH THROUGH-HOLE VIA ON SAW STREETS AND THROUGH-HOLE VIA IN ACTIVE AREA OF DIE 有权
简体标题: 在切割道上具有穿孔通路及在晶粒之作用区中具有穿孔通路的半导体晶粒 SEMICONDUCTOR DIE WITH THROUGH-HOLE VIA ON SAW STREETS AND THROUGH-HOLE VIA IN ACTIVE AREA OF DIE公开(公告)号:TWI373110B
公开(公告)日:2012-09-21
申请号:TW097130210
申请日:2008-08-08
申请人: 史達晶片有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/19 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/2101 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/82039 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一種半導體晶圓係含有複數個晶粒,以及接觸銲墊係被佈置在每個晶粒之一第一表面上。金屬通路係被形成在切割道導槽之溝渠中,並且係由有機材料所圍繞。跡線係連接該等接觸銲墊以及金屬通路。該等金屬通路能為半圓通路或是整圓通路。該等金屬通路係亦透過該晶粒之作用區上的接觸銲墊所形成。重新分配層係被形成在該晶粒相對該第一表面之一第二表面上。重新鈍化層係被形成在該等重新分配層之間以用於電氣隔離。該晶粒係為可堆疊,並且係能與其它晶粒被放置在一半導體封裝中。穿過該等切割道之通路與穿過該晶粒的作用區以及該等重新分配層之通路係提供電氣互連至相鄰晶粒。
简体摘要: 一种半导体晶圆系含有复数个晶粒,以及接触焊垫系被布置在每个晶粒之一第一表面上。金属通路系被形成在切割道导槽之沟渠中,并且系由有机材料所围绕。迹线系连接该等接触焊垫以及金属通路。该等金属通路能为半圆通路或是整圆通路。该等金属通路系亦透过该晶粒之作用区上的接触焊垫所形成。重新分配层系被形成在该晶粒相对该第一表面之一第二表面上。重新钝化层系被形成在该等重新分配层之间以用于电气隔离。该晶粒系为可堆栈,并且系能与其它晶粒被放置在一半导体封装中。穿过该等切割道之通路与穿过该晶粒的作用区以及该等重新分配层之通路系提供电气互连至相邻晶粒。
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7.半導體裝置以及在半導體晶粒和互連結構周圍形成可穿透膜封裝材料之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PENETRABLE FILM ENCAPSULANT AROUND SEMICONDUCTOR DIE AND INTERCONNECT STRUCTURE 审中-公开
简体标题: 半导体设备以及在半导体晶粒和互链接构周围形成可穿透膜封装材料之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PENETRABLE FILM ENCAPSULANT AROUND SEMICONDUCTOR DIE AND INTERCONNECT STRUCTURE公开(公告)号:TW201222687A
公开(公告)日:2012-06-01
申请号:TW100136916
申请日:2011-10-12
申请人: 史達晶片有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/48 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/16225 , H01L2224/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3011 , H01L2224/19 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一種半導體裝置係具有複數個形成在一載體之上的凸塊。一半導體晶粒係在該些凸塊之間被安裝到該載體。一具有一基底層、第一黏著層以及第二黏著層之可穿透的膜封裝材料層係被設置在該半導體晶粒及凸塊之上。該可穿透的膜封裝材料層係在該半導體晶粒及凸塊之上被加壓,以將該半導體晶粒及凸塊嵌入在該第一及第二黏著層之內。該第一黏著層以及第二黏著層係被分開以移除該基底層及第一黏著層並且留下在該半導體晶粒及凸塊周圍的第二黏著層。該些凸塊係從該第二黏著層露出。該載體係被移除。一互連結構係形成在該半導體晶粒以及第二黏著層之上。一導電層係形成在電連接至該些凸塊的第二黏著層之上。
简体摘要: 一种半导体设备系具有复数个形成在一载体之上的凸块。一半导体晶粒系在该些凸块之间被安装到该载体。一具有一基底层、第一黏着层以及第二黏着层之可穿透的膜封装材料层系被设置在该半导体晶粒及凸块之上。该可穿透的膜封装材料层系在该半导体晶粒及凸块之上被加压,以将该半导体晶粒及凸块嵌入在该第一及第二黏着层之内。该第一黏着层以及第二黏着层系被分开以移除该基底层及第一黏着层并且留下在该半导体晶粒及凸块周围的第二黏着层。该些凸块系从该第二黏着层露出。该载体系被移除。一互链接构系形成在该半导体晶粒以及第二黏着层之上。一导电层系形成在电连接至该些凸块的第二黏着层之上。
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