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公开(公告)号：TW201709473A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105108870
申请日：2016-03-22
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/82005 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/83101 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/1451 , H01L2924/14511 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/19
摘要： 本發明描述垂直堆疊式系統級封裝結構。在一實施例中，一封裝包括一第一層級模製及扇出結構、一第三層級模製及扇出結構，以及在該第一層級與該第三層級之間的一第二層級模製及扇出結構。該第二層級模製及扇出結構包括背對背朝向之晶粒，其中各晶粒之一前表面接合至一重佈層。
简体摘要： 本发明描述垂直堆栈式系统级封装结构。在一实施例中，一封装包括一第一层级模制及扇出结构、一第三层级模制及扇出结构，以及在该第一层级与该第三层级之间的一第二层级模制及扇出结构。该第二层级模制及扇出结构包括背对背朝向之晶粒，其中各晶粒之一前表面接合至一重布层。
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公开(公告)号：TWI627716B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW105106201
申请日：2016-03-01
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 龐 孟枝 , PANG, MENGZHI , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/538
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公开(公告)号：TWI621228B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105121277
申请日：2016-07-05
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/10 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/181 , H01L2924/186
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公开(公告)号：TW201712824A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105121277
申请日：2016-07-05
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/10 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/181 , H01L2924/186
摘要： 本發明描述封裝及3D晶粒堆疊程序。在一實施例中，一種封裝包括：一第二層級晶粒，其混合結合至一第一封裝層級，該第一封裝層級包括囊封於一氧化物層中之一第一層級晶粒及延伸穿過該氧化物層之複數個氧化物穿孔(TOV)。在一實施例中，該等TOV及該第一層級晶粒具有約20微米或更小的高度。
简体摘要： 本发明描述封装及3D晶粒堆栈进程。在一实施例中，一种封装包括：一第二层级晶粒，其混合结合至一第一封装层级，该第一封装层级包括囊封于一氧化物层中之一第一层级晶粒及延伸穿过该氧化物层之复数个氧化物穿孔(TOV)。在一实施例中，该等TOV及该第一层级晶粒具有约20微米或更小的高度。
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公开(公告)号：TWI690029B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104112749
申请日：2015-04-21
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L25/18
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公开(公告)号：TWI666758B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104122800
申请日：2015-07-14
申请人： 美商蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/065
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公开(公告)号：TWI646655B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105108575
申请日：2016-03-18
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 龐 孟枝 , PANG, MENGZHI , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/56
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公开(公告)号：TWI594396B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105108870
申请日：2016-03-22
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/82005 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/83101 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/1451 , H01L2924/14511 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/19
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公开(公告)号：TW201705400A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106201
申请日：2016-03-01
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 龐 孟枝 , PANG, MENGZHI , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/538
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/08167 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/81193 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2225/06572 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1461 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2224/27 , H01L2924/014
摘要： 本發明描述封裝及形成方法。在一實施例中，一種系統級封裝(SiP)包括第一及第二重佈層(RDL)，以及附接至該第一RDL之前側及背側之複數個晶粒。該等第一及第二RDL與自該第一RDL之該背側延伸至該第二RDL之一前側的複數個導電柱耦接在一起。
简体摘要： 本发明描述封装及形成方法。在一实施例中，一种系统级封装(SiP)包括第一及第二重布层(RDL)，以及附接至该第一RDL之前侧及背侧之复数个晶粒。该等第一及第二RDL与自该第一RDL之该背侧延伸至该第二RDL之一前侧的复数个导电柱耦接在一起。
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公开(公告)号：TW201611199A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104112749
申请日：2015-04-21
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/16227 , H01L2924/18161
摘要： 在一些實施例中，期望利用一整體解決方案增加記憶體頻寬。在一實施例中，可使用寬I/O記憶體。本文所述為重組態寬I/O記憶體模組之系統及方法的實施例。該等重組態之記憶體模組可經組態以使得該等記憶體模組與當前封裝架構結合起作用。
简体摘要： 在一些实施例中，期望利用一整体解决方案增加内存带宽。在一实施例中，可使用宽I/O内存。本文所述为重组态宽I/O内存模块之系统及方法的实施例。该等重组态之内存模块可经组态以使得该等内存模块与当前封装架构结合起作用。
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